简介：Ti3SiC2是一种具有优良性能的可加工陶瓷材料，具有金属和陶瓷特性，导电、导热性能良好，可加工，耐氧化、耐化学腐蚀，具有抗热震性、高温稳定性和高温塑性以及良好的自润滑性等。本文综合评述了Ti3SiC2的结构、性能、制备方法及应用前景。

简介：以YAG（Y3Al5O12，钇铝石榴石，Al2O3和Y2O3的反应产物）为主要助烧剂的SiC／YAG复合陶瓷材料具有许多优良的性能，在诸多领域中存在巨大的应用潜力。综述了近年来SiC／YAG复合陶瓷材料的研究进展，并提出了目前研究工作中尚存在的一些问题，指出SiC／YAG复合陶瓷仍具有广阔的发展前景。

简介：以Ti,Si3N4,石墨和SiC粉体为原料,用反应热压法合成了TiN-SiC复合陶瓷材料,并对其显-微结构及力学性能进行了研究.结果表明:该复合材料的维氏硬度和断裂韧性分别为13.6GPa和6.89MPa·m1/2,其增韧机制主要为裂纹偏转和裂纹分叉机制.

简介：阐述了C/SiC陶瓷基复合材料与铌合金的活性钎焊连接方式,通过扫描电镜、金相分析等手段,研究了钛基和铜基活性钎焊料分别在C/SiC陶瓷基复合材料和铌合金上的润湿性,并分析了两种材料的钎焊连接界面的微观元素扩散特征。研究结果表明,陶瓷基复合材料与铌合金的活性钎焊机理主要是通过钎焊料中的活性元素分别向陶瓷和铌合金中扩散并发生化学反应,从而实现三者之间的良好键合。

简介：采用真空高温裂解聚碳硅烷法制备β-SiC陶瓷粉末，并对热解产物进行TGA/DSC、XRD和拉曼光谱表征。通过矩形波导法测量β-SiC陶瓷粉末与石蜡复合材料在8.2-18GHz下的复介电常数来研究其介电性能。结果表明：复介电常数的实部与虚部均随着热解温度的升高而增大。高温下产生的石墨碳引起的电子松弛极化及电导损耗是复介电常数的实部与虚部增大的主要原因。

简介：陶瓷与金属连接具有重要的工程应用背景,然而却面临诸多技术难关,连接件的热应力缓解便是其中之一。本文作者采用弹性有限元方法,对采用不同材料作为中间层得到的实际连接尺寸的SiC陶瓷与Ni基高温合金连接件的应力进行计算,并结合各种材料的塑性对连接件的应力进行定性分析。计算结果表明,SiC陶瓷与Ni基高温合金直接连接产生的热应力很大。最大轴向拉应力位于陶瓷近缝区,导致连接件强度偏低或断裂。采用功能梯度中间层或软金属中间层能在一定程度上缓解热应力;硬金属中间层虽然不能缓解应力,但能改善应力分布状态,使最大轴向拉应力迁移出比较薄弱的陶瓷一侧,有利于连接强度的提高;采用软、硬金属复合中间层具有较好的缓解应力和改善应力分布的效果,但却较多地增加了连接件的界面,有可能导致负面效应,在实际工程应用中需要根据具体情况,权衡利弊,综合考虑。

简介：量监禁效果在nanoelectronics和光电子应用是重要的；然而，在量监禁的理论之间有差异，它显示拓宽的乐队差距仅仅在在大直径的nanowires(NW)拓宽的乐队差距的小尺寸，和试验性的观察发生。这份报纸在紫外可见的吸收系列报导吸收边的明显的蓝移动原文如此有50-300nm的直径的NW。根据量监禁，理论和高分辨率的传播电子显微镜学想象原文如此NW，拓宽在的乐队差距原文如此，有多达几百纳米的直径的NW充分被解释；结果能帮助解释与大直径在另外的NW拓宽的类似的乐队差距。

简介：微管道（MP）一直是SiC晶体中的主要缺陷。其它的结构缺陷有：位错，堆垛层错和本征点缺陷及其与杂质所形成的复合体。除高质量晶体外，具有平滑的、无缺陷表面的衬底对于生长出器件级高质量外延层也很关键。晶片加工过程中可能在衬底表面上感生出缺陷（例如划痕或亚表面损伤），它们对随后所生长的外延层及所制器件都有很不利的影响。

简介：

简介：SiC以其具有高绝缘击穿电场强度的特性,非常适宜于功率半导体器件应用。本文系统阐述了SiC功率芯片及SiC功率模块的产品化开发动向。

简介：LowcostsiliconcarbonnanometerpowderwassynthesizedbycarbothermalreductionmethodwithnanometerSiO2andcarbonasrawmaterial.Itssynthesisthermodynamicswerediscussed.TheinfluenceofLaonTG-DSCcurvewasalsoanalyzed.ItindicatedthatthesynthesisprocessofSiCpowderhadtwosteps.InthefirststeptwomedialproductionsofSiOgandCOgformed,andinthesecondstep,β-SiCwasfinallysynthesized.After0.3%Laadded,atthefirststep,theinitiatoryformingtemperatureofproducingSiO(g)andCO(g)declinedfrom1351.4to1250.9℃,andthethermalactivationenergydecreasedfrom223.6to34.7J·g-1;atthesecondsteptheinitiatoryformingtemperatureofsynthesizingβ-SiCpowderdeclinedfrom1526.5to1357.8℃,andthethermalactivationenergydecreasedfrom693.7to295.7J·g-1.WithoutLaadded,thebestsynthesistechnologyforβ-SiCpowderwas1550℃for120min,averagepowderdiameterwasbiggerabout150nm.WithLaadded,thebestsynthesistechnologywas1500℃for120min,averagepowderdiameterwasabout100nm.

简介：

简介：ＦｒａｃｔｕｒｅＣｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆＳｉＣ（ｐ）／ＡｌＣｏｍｐｏｓｉｔｅｓＧｕＨｏｎｇｗｅｉ；ＣａｏＬｉ；ＹｕａｎＧｕａｎｓｅｎ；ＬｉｕＡｎｓｈｅｎｇ；ＷｕＺｉｑｉｎａｎｄＣｈｅｎＬａｎｆｅｎｇ（古宏伟），（曹利），（袁冠森），（刘安生...

简介：本刊讯4月8日,万利(中国)有限公司旗下"TOP陶瓷"品牌与中国陶瓷总部正式签约,宣布进驻中国陶瓷总部西区G01。TOP陶瓷相关负责人苏进益、营销总经理李平凡、执行董事龙强、中国陶瓷总部营运总经理汤洁明以及各界媒体代表出席了签约仪式。尽管2015年行情并不理想,但据TOP陶瓷相关负责人苏进益透露,2015年TOP还是实现了50%的增长。TOP是如何做

简介：利用CVI法,在两种不同类型的国产SiC纤维束中引入(PyC/SiC)4或(PyC/SiC)8多层界面,并进一步致密化,制备含不同纤维种类和界面类型的SiCf/SiCMini复合材料。研究纤维种类和界面类型对SiCf/SiCMini复合材料力学性能和断裂机制的影响。结果表明:致密化的SiCf/SiCMini复合材料已形成一个整体,在纤维和基体连接处可观察到明显的界面层,且界面厚度均匀;A/(PyC/SiC)4/SiC、B/(PyC/SiC)4/SiC、A/(PyC/SiC)8/SiC三种SiCf/SiCMini复合材料的最大拉伸强度分别达到466,350和330MPa,最终拉伸应变分别达到0.519%,0.219%和0.330%;拉伸断口均有纤维拔出,且随纤维种类或界面类型不同,纤维拔出长度和断口形貌有所差异。其中A/(PyC/SiC)4/SiC以ModelⅡ断裂机制发生断裂,B/(PyC/SiC)4/SiC和A/(PyC/SiC)8/SiC以ModelⅠ断裂机制发生断裂。

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简介：SiC（碳化趟材料作为第三代半导体材料，具有高结温、高临界击穿电压、高热导率等特点，因此，SiC材料有利于实现功率模块的小型化并提高功率模块的高温性能。基于此，同时为了实现模块的自主可控化，将Si模块中的Si二极管用自主SiC二极管进行替代，制作SiC混合功率模块。主要介绍混合功率模块封装工艺的关键工序：回流、铝线键合、点胶、灌胶。

简介：SiCwhiskerswith'rosarybead'morphologyweresynthesizedusingsuitablesiliconsourceandcarbonsourcethroughsolidreactionatthetemperatureabove1537K.ThediameterandlengthoftheSiCwhiskerswereabout0.1-1.0μmand20-100μm,respectively.Thelargestdiameteroftheirenlargedendsofthewhiskerswasabout0.2-1.0μm,anditgraduallyandsmoothlydecreasedtothesizeoftheplainpartofthewhiskers.TheresultsofX-raydiffractionanalysisshowthatthecrystallinestructureoftheobtainedSiCwhiskersisβ-SiC.ItisconsideredthattheSiCwhiskersgrowviaavapor-solidmechanism.

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