简介:摘要本研究提出了一种高击穿电压AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(DCBL-HEMT),它具有通过在栅极和漏极之间的钝化层中加入两个负电荷区形成的双电荷区势垒层结构。负电荷的引入可以氟等离子体处理实现。相较于普通钝化层结构和场板结构的晶体管,具有双电荷区阻挡层结构的晶体管沟道中的电子被势垒层中的负电荷耗尽。栅边缘的电场集中得到改善,沟道层出现两个新的的峰值电场,使电场分布更加均匀。双电荷区势垒层结构可以调节沟道层中的电场分布,有效地提高器件的击穿电压。通过sentaurus仿真软件对器件的结构和双电荷区进行优化,最终得到了284V的击穿电压。
简介:【摘要】 基于 TSMC 0.18um RF CMOS工艺实现了一种用于电荷泵型锁相环的快速入锁结构。锁相环为数模混合电路提供稳定可靠的时钟信号,在上电与跳频过程应当越小越好,并且加速锁定过程不应当影响稳态相位噪声。快速入锁结构包括动态环路带宽单元及预置位反馈环,控制电路均采用全数字电路实现。在工作电源 1.8V情况下锁定时间为 1.12us,较传统结构锁定时间提升了 76.7%;整体相噪在稳态保持 -103.1dBc/Hz @1MHz,较传统结构仅上升了 0.3%。因此,快速入锁方案能够有效降低上电启动以及跳频时的锁定时间。
简介:文章使用matlab用户图形界面设计了一个计算和分析PN结空间电荷区宽度的可视化界面.通过分析PN结的形成,从理论上给出空间电荷区宽度的计算公式,讨论了影响空间电荷区宽度的因素,最终得到影响PN结空间电荷区宽度的主要因素为P区和N区的掺杂浓度NA和ND以及外加电压V.