简介：RFLDMOSs}／率管具有高输出功率、高增益、高线性、良好的热稳定性等优点，广泛应用于移动通信基站、数字广播电视发射以及射频通信领域、微波雷达系统。阻抗匹配是LDMOS~率管应用电路设计的关键任务，LDMOS功率管匹配电路的主要任务是实现功率管的最大功率传输。文中选择中国电子科技集团公司第58研究所研制的S波段10wLDMOS功率管，利用微波仿真工具ADS设计外匹配电路。经过精心调试后，s波段LDMOSs}／率管输入回波损耗、增益、输出功率、效率、谐波等技术指标达到设计要求。完成匹配电路设计的S波段LDMOS功率管在3．1～3．4GHz频率范围内，输出功率大于13．8W，功率增益大于12．4dB，效率大于37．9％。

简介：OKInternational公司宣布推出全新的紧凑型PS-800E大功率生产焊接系统，带领制造商进入可靠和稳定的无铅手工焊接的新领域。PS-800E专为解决重复的手工焊接和精密焊接等挑战而设计，具有更佳的热性能而无需提高烙铁头的闲置温度。PS-800E的特点是具有创新的加热体设计、优化的烙铁头几何形状及扩大的烙铁头接触范围，加上传导区域较大，因此能够实现更有效的热传导。PS-800E采用了公司的焊接台解决方案中所有的先进控制技术，

简介：全球领先的高性能功率和移动产品供应商飞兆半导体公司和英飞凌科技宣布，两家公司就采用MLP3×3（Power33TM）和PowerStage3×3封装的功率MOSFET达成封装合作伙伴协议。

简介：<正>日本知名半导体制造商罗姆株式会社日前面向EV/HEV车(电动汽车/混合动力车)和工业设备的变频驱动,开发出符合SiC器件温度特性的可在高温条件下工作的SiC功率模块。该模块采用新开发的高耐热树脂,世界首家实现了压铸模类型、225℃高温下工作,并可与现在使用Si器件的模块同样实现小型和低成本封装,在SiC模块的普及上迈出了巨大的一步。这种模块是600V/100A三相变频,搭载了罗姆的6个SiC-SBD和6个SiC沟槽MOSFET,经验证工作温度可高达225℃。此外,该模块使用范围可达1200V级。因此,与传统的Si-IGBT模块相比,其损耗大大降低,不仅可实现小型化,而且与以往的母模类型SiC模

简介：本文综述了我国超声波清洗技术发展状况,介绍了超声波清洗特点和机理、超声波清洗技术参数的选择、超声波设备的组成以及超声波技术的最新进展.

简介：本文介绍了超声波清洗的工艺,并对超声波清洗技术的应用作了介绍,指出了超声波清洗技术的几点主要优势.

简介：超声波清洗的发展历史超声波技术起源于20世纪,在其发展过程中历经曲折,最终达到了今天的水平.

简介：意法半导体推出了采用先进的PowerFLATTM5×6双面散热（DSC）封装的MOSFET晶体管，新产品可提高汽车系统电控单元（ECU）的功率密度，已被为全球所有的汽车厂商提供先进技术的汽车零配件大厂电装株式会社选用。

简介：新兴市场碳化硅（SIC）和氮化镓（GaN）功率半导体预计将在2020年达到近10亿美元，推动力来自混合动力及电动汽车、电力和光伏（PV）逆变器等方面的需求。

简介：GaN（氮化镓）功率器件的全球领军企业GaNSystemsInc．和功率半导体的领军企业ROHMCo．，Ltd．为促进电力电子市场的创新与发展，开始就GaN功率器件事业展开合作。

简介：<正>日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出新款8VN沟道Trench-FET功率MOSFET—SiA436DJ。该器件采用占位面积2mm×2mm的热增强型PowerPAK?SC-70封装,具有N沟道器件中最低的导通电阻。新的SiA436DJ在4.5V、2.5V、1.8V、1.5V和1.2V下具有9.4mΩ2、10·5mΩ、12.5mΩ、18mΩ和36mΩ的超低导通电阻。导通电阻数值比前一代方案最多低18%,比2mm×2mm占位面积的最接近的N沟道器件最多低64%。

简介：<正>三菱电机试制出了采用SiC肖特基势垒二极管(SBD)和硅沟道型IGBT、输出功率为300kW级的逆变器。该公司表示,"该输出功率可以驱动轻轨的马达"。三菱电机通过将逆变器的二极管由原来的Si制改为SiC制SBD,可以使功率损耗平均减少18%左右。通过降低功率损耗,将有利于减轻逆变器的重量、或减少发热量、简化冷却机构。三菱电机一直在致力于开发SiC功率元件,以及利用SiC功率元件的逆变器等产品。此类逆变器的输出功率截至目前为几十kW。此次是首次试制成功超过100kW的大功率逆变器。

简介：<正>本文针对占风机泵类变量设备总容量80％以上的电动机,研讨实施高效变频调速技术的应用领域、适用类型、微观效益、宏观效益、产业化规模和政策措施,旨在实现量

简介：<正>日前,碳化硅（SiC）功率器件领域的市场领先者科锐公司宣布推出业界首款符合全面认证的可应用于电力电子模组的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件。科锐碳化硅ZFETTMMOSFET器件和二极管适用于高阶电力电子电路,与传统硅器件相比,可实现更高的能源效率。

简介：基于能效的考虑，当前生产的功率模块不仪对工作表现提出了更严格的要求，同时在封装密度方面也提出了新标准。对应的即使是表面上最细微的残留物，也会对这些极其敏感的应用中器件的稳定性产生不良影响。

简介：在综述微波功率AlGaN/GaNHFET技术发展趋势基础上,提出了二维异质结能带优化设计的新课题。从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了利用异质界面上的极化电荷来剪裁异质结能带。用极化电荷设计近矩形前势垒能增大高能热电子的隧穿势垒宽度,抑制电流崩塌。背势垒中的极化电荷强化了沟道阱的量子限制,减弱了沟道中的强场峰,能提高击穿电压和抑制电流崩塌。薄势垒层中的极化电荷强化了沟道阱的结构,降低势垒高度后能产生高密度的电子气。优化设计二维异质结构能抑制沟道中的强场峰和电流崩塌,提高击穿电压和大漏压下的输出功率。

简介：在光学冷加工中,镜片的清洗主要是指镜片抛光后残余抛光液、黏结剂、保护性材料的清洗镜片磨边后磨边油、玻璃粉的清洗镜片镀膜前手指印、口水圈以及各种附着物的清洗.传统的清洗方法是利用擦拭材料(纱布、无尘纸)配合化学试剂(汽油、乙醇、丙酮、乙醚)采取浸泡、擦拭等手段进行手工清擦.

简介：本文阐述了用于测量低频超声清洗声场强度的几种实用方法,介绍了每种测量方法的基本原理,并对各自的优缺点进行了对比分析,最后介绍了国内外一些相关的测量设备.结合目前低频超声清洗声场测量方面的研究现状,探讨了今后该领域急需解决的问题.

简介：相比发达国家,我国的清洗行业起步晚,企业规模普遍较小,总体技术水平落后,市场竞争混乱。在这种形势下,如何推动民族清洗产业尽快更上一层楼就成为业内精英们孜孜以求的目标。深圳市科伟达超声波设备有限公司董事长兼深圳市联合环保设备有限公司董事长周耀尚先生就是在超声波清洗领域里辛苦奋斗多年,并取得了一定成就的一位有识之士。

简介：<正>中国首次实现碳化硅大功率器件的批量生产,在以美、欧、日为主导的半导体领域形成突破。业内专家指出,这一突破有望缓解中国的能源危机。泰科天润半导体科技(北京)有限公司G2S06010碳化硅肖特基二极管产品鉴定会暨新产品信息发布会近日在北京举行。鉴定委员会认为该公司的量产