简介：<正>在高功率的广播发射机、视频发射机以及某些高频、中频高功率设备中,一般要使用高功率电容器。这些高功率电容器中用量最多的为高功率陶瓷电容器,也有一些是真空电容器(固定的或可变的)。高功率陶瓷电容器种类繁多,根据不同的使用要求有高频、低频之分,高频、低频高功率电容器除所用瓷料不同外,在结构、外型尺寸、各种电气指标等有较大区别。高功率电容器在高功率设备中用于槽路的耦合、旁路、馈电、谐振、滤波等

简介：前言近年来,随着人们环保意识的提高,在LCD制造工厂,降低清洗设备使用的药液、纯水、排气等的用量及降低废液、废水处理负荷已经成了最大的课题.

简介：本文介绍了超声波洗净设备在制造过程中需考虑的有关设计问题,以及在制造技术方面需考虑的多种因素,并提出了实用性的建议.

简介：摘要无损检测是对设备进行检测而不会对其产生损伤的一种检测技术，在检测工作中占据着重要地位。而超声检测作为其中一种被广泛运用的检测技术，在承压类设备检测中发挥了重大作用。因此，文中首先研究了超声检测的主要缺陷特征，然后据此提出了缺陷定位的影响因素，同时也分析了在承压类设备检测中超声检测的实际运用，以期为促进承压类设备的安全运行提供条件。

简介：摘要目前，人们逐渐意识到传统能源的储量和污染问题，在这种趋势下环保节能的光伏发电技术得到重视与发展。光伏发电技术中最重要的便是光伏功率预测技术，光伏功率预测对光伏发电控制、性能提高、保障光伏电站平稳运行等方面都起着重要作用。本文主要介绍了光伏功率预测技术的基本原理和关键问题，通过研究分析光伏电站数据对提高光伏预测技术的几点重要问题进行分析。

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简介：现代功率MOSFET被日益广泛地应用在汽车上，是最具发展前号的功率器件之一。文章在概述不同种类功率MOSFET特点的基础上，具体分析了当前主要的汽车用功率MOSFET的分类、结构、性能及其封装形式与改进，并给出这一领域的现状及发展趋势。

简介：WCDMA系统采用宽带扩频技术，所有用户共享上、下行频谱资源，每一个用户的有用信号的能量都被分配到整个频带内，但这种有用信号对其他用户将会产生干扰。如何控制用户间干扰、改善功率利用率，提高整个系统的用户容量和通话质量，以便更有效地利用无线资源呢？对此，功率控制成了解决问题的重要手段。

简介：<正>TriQuint与LockheedMartin公司共同研制出一种高功率密度、PAE及RF寿命长的GaNHEMT。该器件连续波功率为12W/mm,频率在10GHz时PAE为50%。TriQuint运用其独有的"先进的栅工艺"使GaNHEMT的功率密度比传统的E电子束及

简介：自1973年前苏联用相对论返波管产生10ns400MW的脉冲输出到2003年美国高功率电磁脉冲炸弹首次用于伊拉克战争,高功率微波武器的发展已近半个世纪,微波武器的概念目前尚未被大众所知。首先简要综述了高功率微波系统的组成、基本概念,以及高功率微波的发展历史、世界各国研究现状和高功率微波的基本效应、威力、对抗高功率微波的措施、研究中的安全防护、研究高功率微波的仪器、仪表、设备、方法及手段;最后分析了目前的水平和困难、高功率微波能量传输的极限及高功率微波武器的安全问题。

简介：功率电子模块正朝着高频、高可靠性、低损耗的方向发展，其种类日新月异。同时，模块的封装结构、模块内部芯片及其与基板的互连方式、封装材料的选择、制备工艺等诸多问题对其封装技术提出了严峻的挑战。文章结合了近年来国内外的主要研究成果，详细阐述了各类功率电子模块（GTR、MOSFET、IGBT、IPM、PEBB、IPEM）的内部结构、性能特点及其研究动态，并对其封装结构及主要封装技术，如基板材料、键合互连工艺、封装材料和散热技术进行了综述。

简介：不同的通信系统对于功率测量的要求可能会有较大的差异。例如，两种流行的第二代（2G）无线通信制式即时分多址（TDMA）系统和码分多址（CDMA）系统对功率测量的要求存在着差别。但是，随着通信业向第三代（3G）无线通信系统的发展，TDMA和CDMA系统将相互融合。这些新系统的功率测量要求也将趋于一致。是否具备所需测量的能力是选择功率测量系统的关键因素，但快速、可重复性和精确的测量能力的支持也是必不可少的。本文将探讨这些兼容系统所需要的功率测量类型，并重点介绍一些由良好设计的测试系统对提高测量精度的促进作用。

简介：SiC（碳化趟材料作为第三代半导体材料，具有高结温、高临界击穿电压、高热导率等特点，因此，SiC材料有利于实现功率模块的小型化并提高功率模块的高温性能。基于此，同时为了实现模块的自主可控化，将Si模块中的Si二极管用自主SiC二极管进行替代，制作SiC混合功率模块。主要介绍混合功率模块封装工艺的关键工序：回流、铝线键合、点胶、灌胶。

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简介：随着国内半导体工艺水平的不断提高,固态合成功率放大器也开始大量的被应用到各种微波工程之中。目前国内多种固态合成功率放大器的产品皆以多路波导合成的方式获得大功率。在使用这些多路合成结构对大量功率器件进行功率合成时,一个或者多个器件的失效将对总体的输出功率造成多大的影响便成为了大家极其关心的性能指标。文章对固态功率合成器进行了理论的分析,通过计算推导出端口失效的模式。对两路合成器进行了仿真得到了失效50%会导致功率下降6dB的结论。并通过对八路波导合成功率放大器的失效模拟试验,验证了前面的计算分析。最后对试验中取得的数据进行比较分析得出了该数据在实际工程应用的作用。

简介：摘要随着科技的进步与创新，时代的发展与前进，集成电路产业不断地飞跃，集成电路已经渗透在我们生活中的各处领域，特别是便携式的电子产品。作为消费类的音频功率放大器采用集成方式实现，也是集成电路领域中重要的一部分。因此，对高性能音频功率放大器的研究与设计具有重要的实际意义。本文首先对基本共发射极与共集电极放大电路的结构和基本工作原理进行初步了解，再掌握功率放大电路和构成集成运算放大器中的基本单元电路——差分放大电路与电流源电路。最后针对功率放大器的非线性失真小，静态功耗小，电源效率尽可能高等性能，选择差动输入级功率放大器，利用Multisim仿真。

简介：<正>根据市场研究公司ABI日前的调查,在未来的五年里,整个GaAs(砷化镓)功率半导体和硅功率半导体市场规模将徘徊在每年20亿美元左右,处于相对平稳的状态。ABI的乐观预期显示,未来五年该市场年复合增长率为2%。由于其市场很大程度上仍依靠境况欠佳的蜂窝产业,故强劲的增长趋势只会局限于某些局部市场。

简介：<正>位于美国加州的功率半导体和集成电路的供应商IXYS公司日前宣布一项新型的铝基基片技术。该项技术也称为直接铝材连接(directaluminumbonded简称(DAB)技术,已经用于集成功率半导体模块的生产中,例如:马达驱动、DC/DC转换器和功率模块中。该项技术是一项替换直接铜材连接(directcopperbonded)简称(DCB)先进技术,在直接铜材连接技术中铜作为主要的导体被连接到铝或者氮化铝陶瓷上。

简介：<正>VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出采用针对更高电压器件优化的新型低导通电阻技术的首款TrenchFET（?）功率MOSFET—ThunderFETTMSiR880DP。新器件是业界首款在4.5V栅极驱动下就能导通的80V功率MOSFET。新的80VSiR880DP采用热增强型PowerPAK（?）SO-8封装,在4.5V、7.5V和10V下具有8.5mΩ、6.7mΩ和5.9mΩ的超低导通电阻。在4.5V栅极驱动下,该器件的典型导通电阻与栅极电荷的乘积为161,该数值是DC-DC转换器应用中MOSFET的优