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共轭梯度法研究超晶格 Ga As/AlxGa1-xAs的电子结构（英文）

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摘要改进了一种从头计算方法—共轭梯度方法,研究了超晶格GaAs/AlxGa1-xAs的电子结构.根据超晶格的基本方程,在固定电子密度n(z)下,求解了基本方程的本征值和本征函数,并由它们组成新的n(z),重复此过程直到得自洽解.另按超晶格基本方程的具体情况,对每个kz独立地应用了共轭梯度方法,此可大大节省与Gram-Schmit正交化有关的时间.计算了超晶格的两个最低子能带之间的能量差和Fermi能量,其模拟计算的结果与对应的实验数值一致

DOI 6jrnkmrp45/1914887

作者金英进;姜恩永;金光日;金成规;任世伟

机构地区不详

出处《天津大学学报：英文版》 2001年2期

关键词电子结构超晶格从头计算共轭梯度方法

分类 [文化科学][高等教育学]

出版日期 2001年02月12日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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电子结构超晶格从头计算共轭梯度方法

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