改进了一种从头计算方法—共轭梯度方法,研究了超晶格GaAs/AlxGa1-xAs的电子结构.根据超晶格的基本方程,在固定电子密度n(z)下,求解了基本方程的本征值和本征函数,并由它们组成新的n(z),重复此过程直到得自洽解.另按超晶格基本方程的具体情况,对每个kz独立地应用了共轭梯度方法,此可大大节省与Gram-Schmit正交化有关的时间.计算了超晶格的两个最低子能带之间的能量差和Fermi能量,其模拟计算的结果与对应的实验数值一致
天津大学学报：英文版
2001年2期
