简介:以TiO2纳米管阵列(TNTs)为基底,采用电化学沉积法制备TNTs/CdSxSey异质结,在单一变量的基础上结合正交实验,探讨了络合剂的选择、沉积时间、沉积温度、Na2S2O3浓度、柠檬酸浓度、沉积电压等条件对TNTs/CdSxSey异质结光电压的影响。结果表明,当Na2S2O3浓度为0.009mol·L^-1、柠檬酸的浓度为0.025mol·L^-1时,在20℃、2.4V沉积电压下电化学沉积5min,获得的TNTs/CdSxSey异质结光电压值达0.2672V,优于同等条件下空白TNTs的0.0917V。XRD结果显示,CdSxSey的主要衍射峰位于2θ为26.276°、27.992°、51.285°、52.842°的位置,分别对应于标准卡片CdS0.25Se0.75的[002]、[101]、[112]、[201]晶面,属于六方晶系,在2θ为37.600°、47.565°处出现Se的单质峰,在2θ为62.728°、72.033°处出现六方晶系单质Cd的(110)、(112)晶面。根据EDS的数据分析可知,Cd、S、Se的原子个数百分比分别为2.57%,0.63%,4.76%,对Cd进行归一化处理后,可确定所得样品的化学式为TNTs/Cd1.02S0.25Se1.89,其中含0.02的单质Cd和1.14的单质Se,扫描电子显微镜(SEM)显示所制样品为50~100nm量子点。
简介:行业异质性往往导致知识产权保护在各个行业中的创新效应也不尽相同。文章首先构建了省际层面知识产权保护强度指数,随后通过Probit模型和Tobit模型考察了知识产权保护这一制度环境对工业企业研发投入的作用。跨行业的实证结果表明,知识产权保护程度的提高显著地推动了我国全样本工业企业的研发活动。但分行业的回归结果却显示,知识产权保护对企业研发投入的影响在市场结构不同的行业里表现迥异。在垄断程度较高的行业中,两者呈倒"U"型关系,过于严厉的知识产权保护反而会削弱企业研发动机;在竞争程度较高的行业中,知识产权保护则显著地提高了企业研发激励。我们的研究建议,政府在作知识产权保护的制度安排时应充分考虑到行业异质性,既要保证创新主体从研发中获得足够多的利润以激励其研发,又要减少因为过度知识产权保护所带来的创新阻碍,从而提高行业总体创新水平。
简介:为了集成电路的低成本和高性能设计,文章通过设计SiGe异质结双极晶体管的结构和工艺,给出了微波无线通讯系统的集成方案,从而解决了现行Si器件在高频领域的噪声、速度和带宽问题,同时为CMOS的兼容性提供了技术保障。