简介：<正>近日,推动高能效创新的安森美半导体(ONSemiconductor)与功率转换专家Transphorm宣布已建立了新的合作关系,共同开发及共同推广基于氮化镓(GaN)的产品和电源系统方案,用于工业、计算机、电信、LED照明及网络领域的各种高压应用。该策略合作充分发挥两家公司固有的实力。Transphorm是公认的第一家将600伏(V)GaN硅晶体管量产通过授证的公司,并在这先进技术有无与伦比

简介：以三氯化铝和叠氮化钠为原料，利用复分解反应法在温度为650℃条件下反应3h，成功地制备出呈灰白色粉末的一维单晶氮化铝纳米材料，通过对样品进行XRD、TEM和SAED测试，结果表明，样品为表面光滑的长直形圆柱状六方结构的氮化铝，直径为50nm左右，长度在几个微米以上，晶格常数分别为a=0．268nm，c=0．498nm；AlN紫外吸收谱的研究表明，AlN样品在202nm处具有一个尖锐吸收峰，其对应禁带宽度值约为6．14eV，并采用气-固（VS）生长机理、择优取向原理对一维单晶纳米线的生长进行了解释。

简介：<正>美国Kyma公司新推出高掺杂n+型氮化镓体单晶衬底,尺寸为10´10mm-2和18´18mm-2,同时他们也正在研发直径2英寸的氮化镓衬底,下一步是进入量产阶段。这次Kyma新研制的高掺杂n型氮化镓衬底的电阻率小

简介：暗电流是影响氮化镓（GaN）雪崩光电探测器性能的一个关键性因素。课题组通过工具软件Sentaurus-TCAD对GaN基雪崩探测器暗电流机制进行了仿真研究,对其暗电流的主要机制：扩散电流、复合电流、隧穿电流、雪崩倍增电流以及表面复合电流进行了总结与分析。将仿真得到的雪崩探测器暗电流特性与实验数据进行对比,发现它们具有很好的吻合性,为学生对GaN探测器暗电流特性的学习和仿真研究提供参考和借鉴。

简介：<正>富士通半导体宣布采用其基于硅基板的氮化镓(GaN)功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率,富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用,对实现低碳社会做出重大贡献。与传统硅基功率器件相比,基于GaN的功率器件具有导通电阻低和能够进行高频操作等特性。而这些特性恰恰有利于提高电源单元转换效率,并使电源

简介：通过后重氮偶合方法，以聚甲基丙烯酸乙基咔唑酯（PACE）和重氮盐为原料，以十二烷基苯磺酸钠为相转移催化剂，制备了聚甲基丙烯乙基咔唑酯接枝偶氮硝基苯。讨论了时间、催化剂用量、不同溶剂对合成工艺的影响。用IR﹑UV-vis方法表征偶合后聚合物结构。

简介：为选出合适的辅助离子源进行沉积制备c-BN薄膜,通过对高能和低能辅助镀膜离子源的重要性能进行比较研究之后,在单晶Si基体进行应用制备立方氮化硼薄膜,用红外光谱(FTIR)及光电子能谱(XPS)分析技术,对不同辅助离子源制备沉积的薄膜,进行比较表征,得出结论:低能辅助镀膜离子源,比高能辅助镀膜离子源更适用于制备立方氮化硼薄膜.

简介：度发蓝光的LED是以氮化镓(GaN)为基底的,因此对GaN的研究和开发成为目前国外和有关机构工作活动的对象.由于以GaN为基底可做成除LED以外的多种器件,它的研究与生产自然更受关注,本文就以综合介绍的形式将GaN的近年来开发应用和市场予以介绍.

简介：用粒径为20nm的纳米氮化硅（Si3N4）填充丁腈橡胶（NBR）制备纳米橡胶复合材料，用16^#大分子偶联剂对纳米Si3N4进行表面处理，研究了复合材料的力学性能和热老化性能等。结果表明，纳米Si3N4的加入在一定程度上提高了NBR的撕裂强度、拉伸强度、耐磨性等，明显降低内耗，改善了橡胶的动态力学性能和耐热老化性能；初步的台架试验显示，添加0．5-1．5质量份左右纳米Si3N4的NBR油封制品使用寿命得到大幅提高。

简介：比利时研究中心（IMEC）推出一项联合开发计划（IIAP：industrialaitiliationprogram），目标是降低氮化镓（GaN）技术成本，采用大直径的硅基氮化镓（GaN-on-Si），并开发高效率、大功率白光LED，致力于推动氮化镓技术的发展，包括功率转换和固态照明（SSL）应用。

简介：在古时候，没有钱币的情况下，人们都是用物品相互交换，获得自己需要的东西，如：两只兔子换一只羊，三只羊换一头牛，两头牛换一匹马……今天我们班也举办了一个以物换物的交易会，大家把看过的书和玩过的玩具带到班里来，然后互相交换成自己喜欢的东西。我带了一本动物书和一个机器人玩具，我找到了一位喜欢动物的同学，把动物书推荐给他：“这是，态圆裒并茂的动物书，看过之后，你一定能增长很多学问。”他爽快地答应了我的要求，我成功地从他手上换到了我喜欢的暴丸。

简介：国内今年上半年豪华车销量统计近期出炉，数据表明，奥迪依旧稳居豪华品牌销量榜酋，而其中出货量最大的便是一汽．大众奥迪的A6L，上半年累计销量达85875辆。有钱买辆A6L固然是不错的选择，但这笔钱是否有其他同样理智的消费方法？

简介：观致上市伊始便受到追捧，低至11.99万元的售价是重要因素，但如果你手头有12万元闲钱，

简介：美国宇航局格林研究中心开发出一种技术用于提高钡钙铝硅酸盐玻璃的力学特性，后者是平面固体氧化物燃料电池的密封材料。用氮化硼纳米管（BNNT）强化的玻璃复合材料的断裂强度及断裂韧性获得极大改善。例如，向玻璃中掺入4wt％BNNT可使强度提高90％，使断裂韧性提高35％。掺有4wt％BNNT的玻璃板经热压并加工成测试条。测量了力学和物理特性，如四点弯曲强度、断裂韧性、弹性模量、微硬度、玻璃复合材料的密度等。断裂韧性是用单刃V形沟槽横梁法测量的。

简介：铌-钒控轧钢的冶金学原理已人所共知。近年来，氮化钛技术在低碳铌及铌钒钢中的应用正在不断发展。

简介：在高温高压下的氮化锂-六方氮化硼（Li3N-hBN）体系中合成立方氮化硼（cBN）单晶,通过表征实验样品发现,生长界面处的相结构是由hBN、cBN微颗粒和硼氮化锂（Li3BN2）组成的,大颗粒cBN单晶通过吞并生长界面周围的cBN微颗粒进行生长,生长界面中的硼和氮原子的电子结构从sp2逐渐转变为sp3,根据结果推断,高温高压状态下,在立方氮化硼合成过程中,cBN更有可能是在Li3BN2的催化下由hBN直接转变而来.

简介：TriQuint半导体公司推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化镓（GaN）HEMT射频功率晶体管产品。TriQuint的氮化镓晶体管可使放大器的尺寸减半，同时改进效率和增益。这些新的氮化镓晶体管可在直流至6GHz宽广的工作频率上提供30—37W（CW）射频输出功率。

简介：在Al2O3(0001）衬底上用MOCDVD方法进行了GaN的外延生长，通过X射线衍射（同步辐射源）研究了GaN和Al2O3(0001）的匹配关系。结果表明，经充分氮化的衬底上，GaN以单一的匹配方式沿[0001]方向生长：在Al2O3(0001）衬底未经氮化或氮化不充分时，不同程度地出现了其它三种绕<11-20>晶带轴倾斜一定角度的匹配位向。指出了GaN/Al2O3(0001）的几种匹配方式的晶体学规律。GaN绕<11-20>晶带轴倾斜的匹配方式是其外延生长过程中降低和Al2O3(0001）的晶格失配、释放界面应变的重要机制之一。

简介：在多晶立方氮化硼或金刚石的密实体中分散晶须和／或纤维，以增加其耐磨性，断裂韧性和耐碎裂性能。晶须和／或纤维可以包括硼、碳、以及那些在多晶立方氮化硼和金刚石的烧结温度和压力下不熔化的金属氧化物、金属硼化物、金属氮化物、金属碳化物和金属碳氮化物。

简介：以硝酸-氢氟酸分解样品，高氯酸冒烟驱除硝酸及氢氟酸，将磷全部氧化成正磷酸，铋盐存在下，抗坏血酸还原成铋磷钼蓝于分光光度计660hm波长下比色。