简介:利用分离式Hopkinson压杆(splithopkinsonpressurebar,简称SHPB)技术对T6时效态2195铝锂合金帽型试样进行动态加载获得绝热剪切带(adiabaticshearband,ASB),利用透射电镜(TEM)和光学显微镜(OM)观察动态加载前后剪切带的微观结构特征,利用电子背散射衍射(EBSD)分析合金在100~400℃温度下退火后绝热剪切带微观结构的变化,研究剪切带内纳米结构的热稳定性。结果表明:在动态加载过程中,帽型试样的剪切区域形成绝热剪切带,剪切带内的晶粒为50~100nm左右的纳米等轴晶,在绝热剪切形变过程中析出相已完全溶解于基体中,纳米晶内部和晶界不存在析出相。在不同温度下退火时,剪切带内的晶粒随温度升高而长大,100~200℃温度下退火后晶粒未发生显著长大,在300℃退火后晶粒急剧长大到0.22μm,400℃退火后晶粒尺寸为1.77μm;在300℃左右温度下剪切带的硬度显著下降,此温度正是剪切带内纳米晶粒急剧长大的临界温度。
简介:摘要 本文对张应变的 Si基外延 Ge上 NiGe薄膜的热稳定性以及 NiGe与外延 Ge接触的电学特性进行了研究。通过四探针等测试结果,表明张应变外延 Ge上 NiGe薄膜的热稳定性比 N型 c-Ge上 NiGe薄膜的热稳定性提高了 100oC,可能的原因是 NiGe薄膜与张应变的外延 Ge之间的晶格失配较小, NiGe薄膜所受到的应力较小。 I-V测试结果表明 NiGe与外延 Ge接触反向漏电流较大,器件整流比较小,势垒高度比 NiGe/c-Ge的势垒高度小。因此,要使 NiGe更好的应用于外延 Ge基的肖特基势垒源漏的 MOSFET中,还需要进一步提高外延 Ge质量。
简介:目的研究中药朱砂热稳定性等物理参数与其质量的相关性。方法主要采用滴定分析、X射线衍射(XRD)和热重分析法,对湖南省11批不同产地的朱砂主成分硫化汞(HgS)从含量、热性能、主要物相结构等方面进行研究。结果中药朱砂分解温度为350~500℃,结构稳定,主要成分HgS为α-型六方晶系,含有少量的In4AsSe、SnZnAs2(或As2SnZn)、CuSe(或Cu2Se,或Cu6Se4.50),样品中还存在Cr、Pb、Sr、Co、Mo等微量元素,均未检出含毒性的有机汞。其中样品2、5号为伪品朱砂,XRD中未检出HgS,主要成分为CaMg(CO3)2和Sr2CrO4,其中Sr2CrO4为致癌物质。结论热重分析HgS的失重质量与滴定法测定HgS含量的大小顺序基本保持一致;XRD能快速鉴别中药朱砂的物相组成,初步判定有机汞的存在与否,初步鉴定朱砂的质量。两者结合,能对朱砂的真伪、优劣提供更为全面的判断,为矿物药有效性及安全性研究提供新的理论依据。
简介:摘要:制备了硫醇甲基锡、硬脂酸铈和钛酸丁酯(微波处理的)多组分复合稳定剂,并在PVC薄膜中进行了应用加工实验,在195℃和氮气气氛下测定了PVC释放氯化氢的电导率-时间曲线。结果表明,经由微波处理的PVC薄膜的热稳定性能提高,且优于对照样。