简介:O484.42003021190稀土Nd,Ce掺杂硅基薄膜光致发光特征=PhotoluminescencepropertiesinNd,Ce-implantedSi-basedfilms[刊,中]/元美玲(南昌大学物理系.江西,南昌(330047)),刘南生…//发光学报.—2002,23(3).—291-295测量了Nd,Ce稀土离子注入Si基晶片,在不同离子注入剂量、不同退火条件下的室温光致发光(PL)谱,结果表明它们均具有蓝、紫发光峰,且发光稳定。在一定范围内发光效率随掺杂浓度的增加而增大,随退火条件的不同而改变。运用原子力显微镜(AFM)对样品的表面形貌进行了观察,结果显示,样品表面颗粒大小、粗糙度将影
简介:O484.12003053737铌酸锶钡薄膜的微结构与电光性能的研究=Microstructureandelectroopticalpropertiesofstrontiumbariumniobatethinfilm[刊,中]/叶辉(浙江大学现代光学仪器国家重点实验室.浙江,杭州(310027)),MelanieMTHo…//光学学报.-2002,22(10).-1170-1175叙述了使用溶胶-凝胶法在MgO(001)的衬底上制备铌酸锶钡薄膜的过程,膜层厚度可达5μm。通过X射线衍射、摇摆曲线、(?)扫描、喇曼散射光谱等方法研究了薄膜的微结构性能,实验发现,铌酸锶钡薄膜具有了较好的
简介:综合论述了基于碳化硅(SiC)材料制备的四层器件在脉冲功率领域的应用现状或前景。调研了SC超级门极可关断晶闸管(supergateturn-offthyristor,SGTO)的研究进展,总结了近年来获得的实验结果。实验研究了SiC发射极可关断晶闸管(emitterturn-offthyristor,ETO)的开通过程。结果表明,开通dl/R可以在一定条件下受控,以适应脉冲功率或电力电子变换的不同需求,实验获得最大功率密度为329kW*cm_2。建立了SiC反向开关晶体管(reverselyswitcTeddynistor,RSD)二维数值模型,论证了开通原理的可行性,热电耦合模型以SiC本征温度为依据据,SiCRSD的功率密度达MWvm^量级。
简介:以钛酸四丁酯为前驱体,采用溶胶一凝胶一超声波法制备得到了纳米TiO2溶胶,在单面抛光的硅片上采用旋转涂膜法涂上TiO2溶胶,快速烘干,再经烧结得到TiO2薄膜,并利用XRD,XPS与AFM对其结构性能进行表征,结果表明,膜厚度大约可控在3-5nm,膜表面颗粒大小约20nM,膜的组成主要为锐钛矿型TiO2和少量有机碳化物。在制备TiO2薄膜时,发现膜层随着镀膜次数变化显示不同的颜色差异,并有着良好的对应关系。以此现象入手研究不同颜色的TiO2薄膜在同一光催化条件下甲醛的降解分析,实验结果发现呈蓝色光的TiO2薄膜表现良好的光催化效果,其原因可能是蓝色光对光的吸收较好。
简介:采用溶胶-凝胶法制备了Mn离子摩尔掺杂比.32分别为0,2%,4%,6%,8%的Ba(Ti1-xMnx)O3铁电薄膜。研究发现:当x为6%时,漏电流和矫顽场均达到最小,与未掺杂时相比,漏电流降低了约3个量级,矫顽场电场强度降低了约60%,P—E回线的矩形度增加。实验结果表明:通过适量掺杂Mn离子,可以改善BaTiO3铁电薄膜电学性能,提高铁电薄膜的极化,降低薄膜的漏电流。
简介:在模拟球面元件曲率半径的仿面形夹具上镀制了AlF3单层薄膜,并对不同口径位置上的薄膜进行了比较,以表征球面元件表面镀制薄膜的光学特性和微观结构。首先,采用紫外可见光分光光度计测量了不同口径位置上薄膜样品的透射和反射光谱,反演得出AlF3的折射率和消光系数。然后,使用原子力显微镜观察了样品的表面形貌和表面粗糙度。最后,使用X射线衍射仪对薄膜的内部结构进行了表征。实验结果表明:在球面不同位置镀制的AlF3单层薄膜样品的光学损耗随着所在位置口径的增大而增大。口径为280mm处的消光系数是中心位置处消光系数的1.8倍,表面粗糙度是中心位置的17.7倍。因此,球面元件需要考虑由蒸汽入射角不同带来的光学损耗的差异。