简介：日本东芝公司（Toshiba）日前宣布，一种被命名为DTMOS的新式功率MOSFET，由于采用最新的超结合技术，DTMOS的导通电阻（RDSon）仅相当于传统的MOSFET的40％左右，可降低功耗。在采用这项技术的系列产品中第一个产品是0TK15A60S，它的市场定位于电视机电源、家用电器、交流电适配器、照明镇流器。

简介：她在报告中回顾了功率变换技术的发展历史，对如何获得高效、优波负载适应性和强鲁棒性的综合特征进行了阐述。效率、优波、负载鲁棒性以及对负载尖刺的危害等问题的合理解决，关键是如何得到与输出波形同步、同形、同频、同相的纹波供电电压波形，并始终跟随其幅频变化，保持线性功率管工作在临

简介：

简介：过去几年里，中小功率的UPS电源设计已经越来越多的采用无变压器电路原理，这不仅使得成本进一步优化，而且将给制造技术带来全新的面貌。随着UPS电源向高功率领域扩展，这一电路原理还不能完全的适用，还需要增添新的原理。本文介绍了关于这一新的电路原理及其控制结构，它使无变压器UPS电源的新潜力得以发挥。文章给出了这一技术的基本层面，并展示了一系列高功率UPS电源的新的研究成果。

简介：多少年以来，SCR、MOSFET和1GBT占据了大功率器件市场的主要份额，近年来，新型功率器件不断涌现，如IGGT、IEGT、IPEM和PEBB、SiC器件、GaN器件芋。文中主要介绍这些功率器件的结构、工作原理．特性参数和应用实例，

简介：功率半导体器件和电力电子世界上最早的半导体器件是整流器和晶体管,当时并没有功率半导体或微电子半导体之分。1958年,我国开始了第一个晶闸管研究课题(当初称为PNPN器件)。在大致相似的时间里,集成电路的研究也逐步开始。从此半导体器件向两个方向发展。前者

简介：本文首先介绍了包层泵浦的基本原理，和采用大功率多模泵浦激光器泵浦镱铒共掺双包层光纤实现高功率放大器的技术方案，并与传统掺铒光纤放大器的技术方案进行了比较。随后，作者在文章中提出了创新的光学结构，即在第一级采用传统EDFA技术优化噪声指数，第二级采用镱铒共掺双包层光纤和高功率多模泵浦激光器以提升输出功率。采用此结构的光放大器获得T30．9dBm的输出功率和5．2dB的噪声指数。

简介：<正>位于美国加州的功率半导体和集成电路的供应商IXYS公司日前宣布一项新型的铝基基片技术。该项技术也称为直接铝材连接(directaluminumbonded简称(DAB)技术,已经用于集成功率半导体模块的生产中,例如:马达驱动、DC/DC转换器和功率模块中。该项技术是一项替换直接铜材连接(directcopperbonded)简称(DCB)先进技术,在直接铜材连接技术中铜作为主要的导体被连接到铝或者氮化铝陶瓷上。

简介：为进一步提高FTTH用户隐患的发现及时率和故障定位能力、提升广大用户的感知，中国电信广西桂林分公司网络操作维护中心近日开发了FTTH光功率测试软件平台。该软件平台投入使用后，能够批量提取FTTHONU的光功率，协助对FTTH用户在申告故障前进行隐患排查，从而有效降低故障申告率，在提高故障处理及时率的同时，大幅提升用户对电信光网宽带品牌的满意度。

简介：InternationalRectifier（IR）公司日前宣布，他们已成功研制出具有革命意义的基于氮化镓（GaN）材料的新一代功率器件技术平台，该平台将为诸多领域内的关键应用提供强力支持。

简介：介绍了大功率IGBT模块的新概念，以及为实现小型化和高可靠系统时大功率应用的栅驱动技术。采用新型模块，可使体积和重量大约减小50％。使用通常的栅驱动方法驱动新型模块，也能简化设计并得到大功率电子系统。IGBT芯片的正面采用了沟槽栅结构，背面采用了电场截止层结构。未选择栅沟槽的FSIGBT芯片，其电流的不均衡率是10％或更小。采用通常的栅驱动单元有可能均衡与栅驱动单元并联的IGBT的开关波形。这些技术将使大容量的应用变得容易。

简介：<正>VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出采用针对更高电压器件优化的新型低导通电阻技术的首款TrenchFET（?）功率MOSFET—ThunderFETTMSiR880DP。新器件是业界首款在4.5V栅极驱动下就能导通的80V功率MOSFET。新的80VSiR880DP采用热增强型PowerPAK（?）SO-8封装,在4.5V、7.5V和10V下具有8.5mΩ、6.7mΩ和5.9mΩ的超低导通电阻。在4.5V栅极驱动下,该器件的典型导通电阻与栅极电荷的乘积为161,该数值是DC-DC转换器应用中MOSFET的优

简介：SKiN技术是一个革命性的技术进步。它通过无绑定线封装技术平台增强了可靠性，减小了热阻并改进了内部寄生电感。有了SKiN技术，包含新宽禁带材料功率器件的封装技术已经出现，并允许它们被用在中高功率领域�

简介：<正>功率半导体下游需求旺盛,发展前景看好。随着全球经济复苏势头增强,iSuppli公司预测2010年半导体市场营业收入为2833亿美元,增长率达到23.2%。MOSFET市场前景广阔。2007年全球MOSFET的销售额大约为52.89亿

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简介：实验评估了600V，4A碳化硅(SiC)肖特基二极管(英飞凌，SDP04S06)的性能。作为一种重点的应用，作者考虑选用一种300W，按平均电流模式控制的Boost功率因数校正器(PFC)。作者测量了采用该型号SiC肖特基二极管和采用两种超快、软恢复的硅功率二极管(RURD460和目前正被列入的STTH5R06D)制成的整机的效率、开关损耗、二极管损耗和电磁干扰(EMI)等特性。本文比较了这些结果，特别是定量地考察了SiC二极管提供的恢复电流的减小对该变换器行为的这些关键参数的影响。基于试验结果，本文表明在功率因数校正器设计中，采用SiC二极管只是在高开关频率时才是合算的。

简介：随着运营商LTE网络业务要求的不断提高,应合理规划建设不同的站型,特别是40W高性能大功率微站,其小型化和美观性特征能适应目前建网需求,同时对控制网络建设成本具有重要意义。文章结合大功率微站的性能进行信号覆盖预测,针对性地给出微站优势分析及其应用场景建议,最后例举大功率微站应用效果,论证大功率微站能有效解决覆盖问题。

简介：<正>Aethercomm公司推出其最新高功率宽带RF放大器,其工作频率为600～3000MHz。这种固态功放适用于宽带军事平台,整个频带的饱和输出功率典型值为10.0W,典型增益34

简介：Tn系列功率放大器具有适用于巡回演出的高功率输出，有T5n（2500W）、T4n（2200W）、T3n（1900W）等型号。主要特点有：经美国安全检测实验室公司（UnderwritersLaboratoriesInc．）和IntertekETLSEMKO质量安全认证：出色的高、中、低频表现：稳定的2Ω驱动能力，完美适用于线性阵列音箱系统；

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