简介:采用溶肢-凝肢法提拉镀膜制备Sn掺杂ZnO薄膜,研究了空气退火、高真空退火(10-2Pa)、低真空退火(1Pa)和循环退火四种条件下Sn掺杂浓度对SZO薄膜光电性能的影响.结果表明:四种退火条件下不同Sn掺杂浓度时制备的SZO薄膜均为纤锌矿结构且具有C轴择优取向生长特性,当Sn掺杂浓度为5at.%时SZO薄膜的结晶生长最好.高真空退火条件下Sn掺杂浓度为3at.%时,电学性能最优,其电阻率可达到5.4×10^-2Ω·cm.当Sn掺杂浓度小于3at.%时,薄膜的可见光区平均透过率均大于85%,当掺杂浓度高于3at.%时,薄膜的透过率随着掺杂浓度的增大而降低.
简介:用电化学阳极氧化法制备了一定孔隙率的多孔硅样品,然后用脉冲激光沉积法以PS为衬底生长一层ZnS薄膜.用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和荧光分光光度计分别表征了ZnS薄膜的结构、形貌和ZnS/PS复合膜的光致发光性质.XRD结果表明,制备的ZnS薄膜沿G—ZnS(111)方向择优生长,结晶质量良好,但衍射峰的半峰全宽较大;SEM图像显示,ZnS薄膜表面出现一些凹坑,这是衬底PS的表面粗糙所致.室温下的光致发光谱表明,沉积ZnS薄膜后,PS的发光峰蓝移.把ZnS的蓝绿光与PS的橙红光叠加,在可见光区450~700nm形成了一个较宽的光致发光谱带,ZnS/PS复合膜呈现较强的白光发射.