简介:研究表明含氟气体的性质决定了原子氟(F)的转化效率,通常在CxFy气体中x的值越大,氟(F)的转化效率也就会越高。所以C3F8(八氟丙烷)比C2F6(乙氟烷)具有更高的利用效率,更少的PFC(全氟化物)的排放。文章主要研究在以四乙氧基硅烷(TOES)为基础的离子增强化学气相沉积(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition,PECVD)的清洗制程中,利用分解效率高的C3F8气体取代C2F6气体。通过实验设计(DesignOfExperiment,DOE),调整腔体压力、射频(RF)功率、气体流量等参数,最终得到最优化的新清洗配方。应用到实际的量产中,有效地降低了成本,减少了PFC的排放。
简介:利用热氧化法,在紫外线光源催化作用下,在N型硅衬底上沉积氧化镍(NiO)薄膜,制备具有半导体特性的NiO/Si异质结二极管。使用JASCONRS-3100测量薄膜拉曼散射频谱,分析不同氧化时间、不同紫外线光源、不同退火条件对NiO薄膜性能的影响。实验结果表明:氧化时间为60min时,金属Ni能够充分氧化;含臭氧水银灯比金属卤化物灯更有助于金属Ni的氧化反应;氮气下退火30min,有助于消除晶格损伤,改善薄膜特性。通过PhillipsX’Pert衍射仪分析NiO薄膜的晶体结构,KeysightB1500A半导体参数测量仪测量NiO/Si二极管的I-V特性,当二极管两端电压分别为2V和-2V时,电流密度相差3个数量级,表现出良好的整流特性。