简介：摘要本文主要研究了新型热控材料器件的相关问题，重点对其新型热控材料器件的应用进行分析，提出了应用的具体的环节和应用的一些关键要素，供参考和借鉴。

简介：摘要：在所有电子设备中，都是由多个电子元器件构成的。确保电子元器件的可靠性是提升电子设备功能的有效保障。随着科技的进步，电子元器件的类型和数量不断增加，如何提升电子元器件的可靠性检测和筛选，是电子行业不断追寻的目标。

简介：摘要：随着LED的快速发展，散热已成为LED行业发展的技术瓶颈。由于非辐射复合、电流过载等原因，LED芯片会产生大量的热，因此，分析LED器件的热管理具有重要意义。

简介：克利夫兰的SIFCO工业公司停止了它的涡轮器件服务和修复业务，包括关闭它在明尼阿波利斯的工厂。修复业务据称战略上不符合公司核心打造业务。SIFCO生产的产品主要用在航空和能源工业，并提供多种金属加工服务包括锻造，热处理，涂层和机加工。

简介：摘要：本文主要从电子元器件的选用和过程控制上阐述怎么去管控元器件的质量，对军代表质量控制有一些参考意义。

简介：本文分三个专题，介绍了IEEE第15届国际功率半导体器件和集成电路研讨会(SPSD’03)上有关IGBT的第二部分文章，供专业人士参考。

简介：判断1:2008年全球LCD芯片市场将达70亿美元由于液晶电视和液晶电脑显示器产品将快速发展,到2008年,全球LCD芯片市场规模将从今年的37亿美元增至70亿美元.这意味着到2008年,全球LCD芯片销售额将出现17%的复合增长率,而单位出货量将增长29%.LCD半导体市场的快速增长,反映出笔记本个人电脑(PC)显示器面板,台式PC的液晶显示器和液晶电视市场的需求上升.预计笔记本和台式电脑的液晶显示器市场规模亦将自1176亿台增至2.264亿台.

简介：现阶段，整个电子元器件行业都在密切关注一些新兴应用领域的技术和市场发展情况，诸如LED照明设备、汽车电子、医疗电子、电力电子、智能电网、新能源、物联网、新能源汽车、新型视像设备、智能交通系统、智能手机、平板电脑等。随着这些新兴应用领域技术的逐渐成熟和市场的普及，新兴产业将成为电子元器件行业未来发展的主要推动力。

简介：

简介：多少年以来，SCR、MOSFET和1GBT占据了大功率器件市场的主要份额，近年来，新型功率器件不断涌现，如IGGT、IEGT、IPEM和PEBB、SiC器件、GaN器件芋。文中主要介绍这些功率器件的结构、工作原理．特性参数和应用实例，

简介：摘要：工业控制、机车牵引等现代许多领域都离不开电力电子技术，作为其技术的直接呈现，电力电子器件的作用日益突出。文章首先从电压驱动型、电流驱动型两方面分别介绍了几种常见的电力电子器件，然后对其在实际中的应用和发展史进行了分析。

简介：本文叙述动态增益均衡技术的发生背景和当前已经开发成功并逐步推广应用的几种动态增益器件（DGEs)。DGEs实际上是一种子系统，基于通过软件和电子电路控制的光滤波器。DGE目前尚处于商业化初期阶段，但已被普遍看好，并将会迅速成熟且需求量也将不断增加。作为刚刚问世一、二年的光电子器件，DGEs应予以充分的重视。

简介：随着半导体存储器件的小型化、微型化，传统多晶硅浮栅存储因为叠层厚度过大，对隧穿氧化层绝缘性要求过高而难以适应未来存储器的发展要求。最近，基于绝缘性能优异的氮化硅的SONOS非易失性存储器件，以其相对于传统多晶硅浮栅存储器更强的电荷存储能力、易于实现小型化和工艺简单等特性而重新受到重视。文章论述了SONOS非易失性存储器件的存储原理和存储性能的影响因素研究进展，并在材料、工艺与结构设计等方面对SONOS存储器件性能改进的研究进展情况进行了分析和讨论。

简介：摘要随着当前社会经济的进步，我国电器行业发展极为迅速，电子元器件作为保障电器质量，提升其运行效率和运行安全的关键，对其做好质量性能检测工作便显得极为必要。但与此同时，由于电子元器件种类、参数、本身结构的不同，其检测差异性也较为明显，检测难度较大；接下来本文将对常见电子元器件检测方法和经验，进行一定分析探讨；并对其做相应整理和总结。

简介：摘要：在所有电子设备中，都是由多个电子元器件构成的。确保电子元器件的可靠性是提升电子设备功能的有效保障。随着科技的进步，电子元器件的类型和数量不断增加，如何提升电子元器件的可靠性检测和筛选，是电子行业不断追寻的目标。

简介：利用密度泛函理论和弹性散射格林函数方法，研究了被不同官能团取代后的联苯分子的电输运特性．计算结果表明，由于氢键的影响，使得分子的电子结构发生了变化，特别是对电子在分子结内的跃迂几率影响较大，从而直接影响了分子器件的伏安特性．

简介：摘要元器件使用管理与控制包括建立元器件优选信息库、采购管理、验收管理、保管、电器装配管理、通电调试管理、信息管理等。必要的元器件管理是实现型号工程的有效手段，是保证高质量元器件应用的关键，最终目的为提高产品质量与可靠性做保障。

简介：摘要：针对表面贴装阻容元器件常见的失效模式，分析了几种典型的失效案例。通过对样品进行过磨抛制样、X射线检测、SEM观察和EDX分析，阐述了表面贴装阻容器件不同失效模式的失效机理。在此基础上，提出了防止失效发生的控制措施。

简介：

简介：宇宙空间存在大量高能粒子,这些粒子会导致空间系统中的CMOS集成电路发生单粒子闩锁。基于0.18μmCMOS工艺,利用TCAD器件模拟仿真软件,开展CMOS反相器的单粒子闩锁效应研究。结合单粒子闩锁效应的触发机制,分析粒子入射位置、工作电压、工作温度、有源区距阱接触距离、NMOS和PMOS间距等因素对SEL敏感性的影响,并通过工艺加固得出最优的设计结构。重离子试验表明,采用3.2μm外延工艺,可提高SRAM电路抗SEL能力,当L1、L2分别为0.86μm和0.28μm时,其单粒子闩锁阈值高达99.75MeV·cm^2/mg。