简介：战略分析指出，手机市场仍然是GaAs器件工业的主要驱动力，2003年北美的公司是其主导者。

简介：

简介：国际半导体工艺指南（ITRS）的组织者们，迄今仍主要关注SiCMOS器件，但也在考虑非数字、非Si器件的应用，例如，无线通信。就数字电路来说，HRS的组织者们也不得不寻找Si以外的材料，在ITRS的最新版（2005年版）中，有这样的评论：随着本“指南”接近末期，器件将按准弹道模式工作，其电流增益将按与目前所知不同的参数得以增强，实际上碳纳米管、纳米线和其它高输运沟道材料（例如，Ge、Si衬底上的Ⅲ-Ⅴ族化合物薄膜沟道）是需要的。这一陈述是记载在“长期指南（2014-2020年）”部分。“准弹道”意味着载流子平均自由程和驰豫时间达到器件特征尺寸量级和工作频率量级。同时需建立新的电荷输运物理模型。

简介：克利夫兰的SIFCO工业公司停止了它的涡轮器件服务和修复业务，包括关闭它在明尼阿波利斯的工厂。修复业务据称战略上不符合公司核心打造业务。SIFCO生产的产品主要用在航空和能源工业，并提供多种金属加工服务包括锻造，热处理，涂层和机加工。

简介：研究了几种纳米器件处理的活化水对不同种子发芽的影响，探讨了活化水处理时间对种子发芽势、发芽率、发芽指数和活力指数的变化。结果表明，几种纳米器件对水稻浸种均不同程度地提高了种子的发芽势、发芽率、发芽指数和活力指数，对种子的发芽产生了明显影响，在生产中可进一步试验推广应用。

简介：介绍了纳米电子学的基本概念及其＂自上而下＂和＂自下而上＂的发展路线,分析概括了纳米电子器件的基本物理原理及其应用,基于纳电子器件的实际应用价值,阐述了研究纳电子学的现实意义,总结了纳米电子学目前存在的问题及今后的发展趋势。

简介：

简介：据报道，为推动节能降耗，促进电力电子技术和产业的发展，国家发改委等有关部门将对安排补贴资金支持新型电力电子器件产业化。

简介：采用了一种新颖的电子器件装配制造方法.InAs纳米线场效应晶体管通过介电泳方法装配,在装配之前,InAs纳米线放入到（NH）2Sx溶液进行湿法刻蚀来去除表面的氧化层.装配后的器件用原子力显微镜表征.实验结果表明,当施加频率2MHz和电压10V时,InAs纳米线装配的成功率很高.同时,该方法和实现技术也可发展应用于其它一维纳米材料的规模化装配制造研究上.

简介：蓝、白光片式LED器件是当今半导体光源的宠儿,用作移动通信工具的显示光源更是一种时尚。自从1992年第1只氮化镓(GaN)基蓝色发光二极管问世后,其寿命和可靠性一直被世人所关注。GaNLED行业由于美、日等国的疯狂投入,其发展之迅速、成果之惊人,众所周知。我国在这方面做了大量的工作,取得了巨大的进展。早在20世纪90年代末,传统封装的蓝光器件已形成大规模生产,白光LED也已形成产业,工艺已基本成熟。

简介：据媒体近日报道，为推动节能降耗，促进电力电子技术和产业的发展，国家发改委等有关部门将对安排补贴资金支持新型电力电子器件产业化。

简介：中国科学院外籍院士、美国佐治亚理工学院王中林领导的研究小组首次研发出一系列基于压电纳米材料的大功率纳米发电机（Nanogenerator）,输出电压达2-3伏,并将其首次成功应用于驱动常规电子器件。这一系列最新进展的3篇论文分别发表在7月和10月出版的美国《纳米快报》和英国的《自然—通讯》上。

简介：概述了铁电薄膜在非易失存储器中的应用研究现状，将铁电存储器与其他类型存储器进行了比较，针对铁电薄膜在存储器中的应用，探讨了铁电薄膜制备工艺与半导体工艺兼容性、极化疲劳、尺寸效应等几方面的问题，指出了当前研究的重点。

简介：据有关媒体报道，天津市规划投资683亿元，加快发展移动通信产品、显示器、电子元器件三大优势领域。“十一五”期间，将形成手机1亿部、片式元器件1400亿只、半导体芯片150万片、硅材料400吨的年产能力，使之成为全国最大的半导体分立器件和硅材料生产基地。将重点支持3G手机和设备、100英寸以上显示设备的开发和生产；重点发展高速、小型、贴装化高压整流器件及硅材料生产，

简介：集成电路工业从一开始就在使用离子注入技术。如果不利用离子注入的固有的精确性就很难制造极大规模集成电路（VLSI）。特别是离子注入可精确地调整MOSFET的阈值电压。离子注入有三大优点：能达到晶片表面上掺杂剂均匀分布、可精确控制掺杂剂的深度及其分布、可精确控制掺杂剂密度。这些优点催生了所谓“掺杂剂分布工程”，它对早期CMOS的研制成功是一个关键因素。如果没有离子注入就不会有CMOS工艺的快速发展也就不会对我们的生活产生如此深刻的影响。

简介：日本东京大学岩佐义宏教授和理化学研冗所的研冗小组置称，实验证明具有与石墨烯相同的原子构成为蜂窝状晶格结构的层状MoS2是一种优异的谷电子学意义上的新型低耗电器件用半导体材料。为降低耗电量，此前的研究集中在自旋电子方面，即半导体器件不用电荷，而是利用电子自旋，但近年来谷电子学研究比较引人注目。这是利用电子的另一个自由度“谷”，即由半导体晶体结构的对称性产生的电子流动及流动方式在左旋和右旋具有不同的性质。通过抑制因半导体结晶缺陷及杂质导致的能量损失，使电子自旋高效运动，从而减少电子器件的电力消耗。

简介：2007年11月28日，据河北省发展和改革委员会办公室转发国家发展改革委办公厅关于2007年电子专用设备仪器、新型电子元器件及材料核心基础产业产业化专项项目复函的通知，唐山晶源裕丰电子股份有限公司申报的年产7200万件新型片式石英晶体元器件产业化项目，已列入国家高技术产业化发展项目计划及国家资金补助计划。本项目将得到800万元的国家资金支持。