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美国DARPA加快GaN IC计划

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摘要 <正>美国军方已经着手实施一系列价值数千万美元的计划来加快GaNIC的研发速度。在DARPA的资助下,在这个开发毫米波和微波集成电路的GaN项目中,最大的获益者是Raytheon(与Cree合作,2700万美元)、NorthropGrumman

DOI 34ge51zoj9/1563831

作者孙再吉

机构地区不详

出处《半导体信息》 2005年4期

关键词 DARPA GAN IC Northrop 获益者微波集成电路

分类 [电子电信][物理电子学]

出版日期 2005年04月14日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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