简介：美国宇航局宣称，他们用刻蚀法在一片硅片上为韦伯氏太空望远镜制成了快门阵列。这一组快门由腔体和带有微型折页的移动门组成。微型快门上装有钴铁磁条。一个移动磁铁可打开所有小门，将磁条纳入腔体中。当小门打开时，工程人员可借助一套组合电动势控制快门的开或关。当磁铁移开时，快门就会关闭。

简介：评估了使用深反应离子刻蚀工艺来进行晶圆的切割,用于替代传统的刀片机械切割方式。结果表明,使用深反应离子刻蚀工艺,晶圆划片道内的硅通过等离子化学反应生成气态副产物被去除,从而避免了芯片侧面的机械损伤。切割后整个晶圆没有出现颗粒沾污,芯片边缘没有崩角以及开裂等损伤。该工艺还可以适用于更窄的划片道切割要求。

简介：在光栅的制作中有两种方法:其中一个是湿法,另外一个是干法.本文分别就湿法和干法的实验结果,进行比较.用干法刻蚀方法做出了比较好的一级光栅,证明了干法刻蚀优于湿法刻蚀.

简介：摘要：本文研究的主要目的是在集成电路技术发展及纳米时代到来的背景下，强调刻蚀腔环境对电介质刻蚀混合制程的影响研究的重要性。通过设计刻蚀腔环境对电介质刻蚀混合制程的影响研究实验，并对实验的动机、概况、结果、结论几方面做出分析，以全面提升国家芯片技术制造质量，进而推动国家现代化发展，应对国外技术封锁。此次研究选用的是文献研究法，通过对相应文献的查找，为文章的分析提供一些理论基础。

简介：文章基于Mintab软件,运用Precision5000等离子刻蚀技术研究0.8μm多晶栅刻蚀中功率、压力、HBr流量、Cl2流量对刻蚀效果的影响。获得了四个因素对刻蚀效果影响的主次关系,同时由Mintab软件分析获得了各因子效应的pareto图,各因素对多晶条倾斜角度影响的主效应图,各因子对刻蚀效果的正态分布图,并拟合获得了多晶栅刻蚀的最优化条件。运用最优化条件刻蚀多晶栅,其结果表明剖面倾斜角度及表面形貌均能达到MOS器件的工艺制造要求。

简介：依据感应耦合等离子体的刻蚀机理,对影响刻蚀的两个重要参数及先进的硅刻蚀技术进行了较深入的研究,并对影响刻蚀效果的参数进行了实验研究,刻蚀出了20μm深,2μm宽的谐振器结构,得到了最佳的工艺参数.

简介：摘要刻蚀工艺是将未被抗蚀剂膜（通常为光刻胶）掩蔽的膜层刻蚀掉，从而在薄膜上得到与抗蚀剂膜完全相同图案的工艺。刻蚀工艺通过化学的、物理的或同时使用化学和物理的方法，有选择地刻蚀掉一定厚度的未被抗蚀剂掩蔽的目标薄膜，从而在目标膜层上得到与抗蚀剂膜层上完全一致的图形。本次实验依照控制变量法的原理，通过改变某一工艺参数，保持其余参数不变，来设置使用干法刻蚀工艺加工二氧化硅的对比实验，并根据实验测试结果分析此工艺参数对刻蚀速率、选择比以及刻蚀形貌等的影响。

简介：摘要：

简介：摘要：本控制系统根据湿法刻蚀设备的工艺要求，以PLC为主控制器，工控机、ET200远程模块、阀岛、变频器等进行硬件系统的搭建，根据工艺流程基于博途V18进行软件编写，实现对硅片的刻蚀、清洗、碱洗、酸洗、烘干、传输等功能，经过设备在客户现场生产线上实际应用，控制系统运行正常，满足客户使用需求。

简介：

简介：摘要本文主要从电子束的光刻系统、2ZEP520A正性的抗蚀剂基本工艺条件这两个方面入手，分析了电子束的光刻技术。同时，从ICP刻蚀装置基本架构及特征、运行原理、ICP刻蚀的参数影响这三个方面入手，分析了ICP的刻蚀技术。从而能够让广大专业的技术人员全面了解与掌握电子束的光刻技术、ICP的刻蚀技术，不断提高电子束的光刻与ICP的刻蚀技术专业水平，以为微电子的集成领域后期发展提供强大的技术支持及保障。

简介：摘要：随着微机械加工技术的不断提高，MEMS器件生产工艺也随之得到不断开发与完善。而刻蚀技术是MEMS器件生产过程中的关键技术与核心环节，本文就湿法、干法刻蚀分析了代表性的氢氟酸腐蚀刻蚀和ICP刻蚀方法，就其特点和应用进行列比分析，并结合MEMS器件工程项目生产实际提请建设性意见。

简介：阐述了利用不同的方法，如自组装、嵌段共聚物辅助等方法在基底表面形成一层均匀的无机材料纳米粒子掩模，以此作为模板进行刻蚀，可得到各种纳米图形和纳米结构。这一方法具有操作简单、成本低、可批量生产等优点，在纳米电子器件等领域具有广泛的应用前景。

简介：摘要：本文讨论了半导体蚀刻设备可靠性和维护的优化问题。通过分析半导体蚀刻设备可靠性和维护的需求，提出了优化维护策略，并讨论了其在提高设备可靠性和降低故障率方面的应用。文章还探讨了如何通过有效的维护措施延长设备的使用寿命。

简介：摘要：本文利用化学干法刻蚀的各种同性特征，研究化学干法刻蚀中不同的O2/CF4的比例对SINx、MO以及光刻胶刻蚀效率之间的影响。最后，选取了更加合适的O2/CF4比例在TFL-LCD工艺的应用进行论证。

简介：多孔硅是一种硅基纳米材料,硅基材料的研究是实现光电集研究为硅基发光研究开辟了新的应用研究领域.对多孔硅发光的意义、多孔硅的各种制备方法进行了的报道,论述了多孔硅的微观结构、多孔硅的光致发光机制及多孔硅的光致发射光谱.

简介：

简介：样品经高温灼烧除碳，碳酸钠一硼酸熔融，盐酸酸化，以动物胶重量一钼蓝光度法测定总硅量，该方法精密度和准确性能满足日常检测需要。

简介：硅钙合金是一种炼钢脱氧剂，其中若存在游离硅、二氧化硅杂质会影响炼钢脱氧效果，目前国家标准无硅钙合金中游离硅分析方法。研究了氢氧化钠溶液提取非合金相硅的条件，用硅钼蓝光度法分析硅含量，分析方法回收率达95．9％，可用于硅钙合金中非合金相硅测定。

简介：研究超重力场下铝硅过共晶熔体凝固精炼提纯冶金硅。实验结果表明：超重力作为一种强化分离手段,可以实现铝硅合金中初晶硅颗粒的富集分离。在超重力作用下,铝硅合金中精炼硅颗粒沿超重力方向富集在铝硅合金下部。用王水溶解其中的铝,得到初晶硅颗粒。通过分析初晶硅中杂质含量可知,与冶金硅原样相比,精炼后的硅纯度由99.59%提高到99.92%,硼和磷的质量分数分别由8.33×10-6和33.65×10-6降低到5.25×10-6和13.50×10-6,表明该提纯方法可行。