简介：本发明涉及一种用于制造半导体层或器件的衬底的制造方法，包括下述步骤：提供包括适合作用于CVD金刚石合成的衬底的至少一个第一表面的硅晶片；在所述硅晶片的第一表面上生长具有预定厚度并具有生长面的CVD金刚石层；将硅晶片的厚度减少至预定水平；以及在所述硅晶片上提供第二表面，

简介：研究超重力场下铝硅过共晶熔体凝固精炼提纯冶金硅。实验结果表明：超重力作为一种强化分离手段,可以实现铝硅合金中初晶硅颗粒的富集分离。在超重力作用下,铝硅合金中精炼硅颗粒沿超重力方向富集在铝硅合金下部。用王水溶解其中的铝,得到初晶硅颗粒。通过分析初晶硅中杂质含量可知,与冶金硅原样相比,精炼后的硅纯度由99.59%提高到99.92%,硼和磷的质量分数分别由8.33×10-6和33.65×10-6降低到5.25×10-6和13.50×10-6,表明该提纯方法可行。

简介：尝试用热丝化学气相沉积工艺(HFCVD)在铁衬底上合成金刚石。通过喷嘴向铁衬底上喷射源气体，可在大气压下合成金刚石。金刚石晶粒尺寸在180分钟内可生长到约20μm。用本工艺合成的金刚石只含有少量非金刚石碳。同铁衬底的情况一样，喷射源气体也有利于硅片上的金刚石合成。

简介：文章介绍了应用于石油储罐的水性环氧有机硅类防腐涂料，并重点讨论分析了影响其防腐性、耐热性的主要因素，并对其制备的水性环氧有机硅防腐涂料的性能进行了测试研究。

简介：生产高质量铸件的低压铸造工艺可以用来制造DuralcanA1-SiCp复合材料.添加不同百分含量(质量分数ω分别为9%、15%、20%和25%)的硅,随后可通过低压铸造工艺来铸造复合材料.2mm壁厚、无缺陷、高质量的高硅复合材料铸件也可以通过这种工艺获得.低压铸造工艺铸造出来的复合材料铸件的显微结构显示出颗粒呈均匀的分布,材料具有良好的强度性能.

简介：平板探测器的校正是获取高质量DR图像的前提,本研究针对PE0822非晶硅平板探测器开展了射线DR成像实验研究。当平板探测器预热30min以上时,暗场图像比较稳定。根据坏像素的分类标准,实验测试识别了3121个坏点,并制定了新的坏点位置图,最后从软件上实现了平板探测器输出图像的暗场校正、增益校正和坏像素校正。选用高压I级涡轮叶片进行DR成像实验,实验结果表明：经过暗场校正、增益校正和坏像素校正后,提高了DR图像质量,DR图像灰度介于32000~60000之间,且像质计灵敏度达到了胶片照相的工艺要求,可用于涡轮叶片叶身检测。

简介：为了揭示反应润湿扩散过程的物理本质,提出一种解释其驱动力和润湿机理的能量模型。在真空条件下采用通管滴落法,研究熔融的Al及Cu-Si合金在石墨基板上的反应润湿铺展过程,由轴对称形状分析软件（ADSA）测量摄入图像的接触角。研究典型反应润湿的热力学和动力学过程,推导能量关系的热力学方程,计算石墨表面能和三相线处固-液界面能相对于时间的变化值,并建立关于界面能的动力学模型。借助实验验证该模型的合理性,表明在反应过程中固液界面能随时间呈指数关系下降。从能量角度可为反应润湿过程提供一种新的解释方法。

简介：随着我国半导体工业集成电路（IC）业的快速发展，硅材料加工用金刚石工具具有非常大的市场。本文从硅材料及其加工用金刚石工具与加工技术的发展现状与趋势进行了简要综述。指出了硅材料生产及其加工在半导体与集成电路生产中具有的重大作用与地位。

简介：水热合成并表征水硅铀矿,在此基础上对水硅铀矿在硫酸体系中的浸出过程进行研究,并将结果与其他相关的合成U4+矿物如氧化铀(UO2)和钛铀矿(UTi2O6)在类似条件下的浸出速率和浸出率进行比较。浸出时间对铀溶出影响的研究表明,水硅铀矿在36~48h被完全浸出,该反应的活化能为38.4kJ/mol。与水硅铀矿相比,氧化铀矿的溶出速率明显较快,可以在3h内达到完全溶出(Ea=42~84kJ/mol)。比较而言,合成钛铀矿的浸出速率较水硅铀矿的明显更低,其144h铀的最大浸出率只有18%。上述3种矿物溶出速率和提取率的显著区别与文献报道相符合,即矿物的可溶出性为氧化铀>水硅铀矿>钛铀矿。在天然水硅铀矿中,由于杂质的存在,其可溶出性可能会被进一步抑制。

简介：本文分析了亚微米金刚石微粉中硅化合物的来源，并提出了一种解决方法。

简介：据科学日报报道，想象一下你想要某个物体一模一样的复制品，再设想下你从口袋里拿出手机，利用手机里集成的3D成像器拍张照，然后发送给3D打印机，在数分钟内你就获得了一个精确的复制品，后者与原始物体的精确误差为微米范同。多亏了美国加州理工学院发明的一种新型、高分辨率的微型3D成像器，这一设想可能很快将变为现实。

简介：为提高硼的去除率，研究了电磁感应精炼过程中硼杂质在CaO-SiO2-BaO-CaF2四元渣和熔硅之间的分配系数LB，讨论了四元渣系中CaO/SiO2质量比、BaO和CaF2含量、熔炼时间对LB的影响规律。结果表明：随着CaO.SiO2渣中BaO和CaF2含量的增大，LB值增大。当CaO/SiO2质量比为1.1:1、BaO和CaF2含量分别为15%和20%时，CaO.SiO2.BaO.CaF2四元渣去除熔硅中硼杂质效果最好，LB达到最大值6.94，并且LB随着熔炼时间的延长而增大。经过两次造渣后，熔硅中硼含量由3.5×10.5降到3.7×10.6，硼的去除率达到89.4%。

简介：

简介：利用PVA碳源包覆、HF酸刻蚀和沥青二次包覆方法制备多孔珊瑚状硅/碳复合负极材料,得到沥青含量分别为30%、40%和50%（质量分数）的3种硅/碳复合材料样品。采用XRD和SEM分别对复合材料的组成和形貌进行表征,并采用电化学测试手段对其性能进行测试。结果表明,经二次沥青包覆后,复合材料的电化学性能得到明显提高。当二次包覆的沥青含量为40%时,在100mA/g的电流密度下,该样品第二次充放电循环的放电容量达到773mA·h/g,经60次循环后,放电容量仍然保持在669mA·h/g,其容量损失率仅为0.23%/cycle。因此,调整二次包覆碳含量可明显改善复合材料的循环稳定性。

简介：利用PVA碳源包覆、HF酸刻蚀和沥青二次包覆方法制备多孔珊瑚状硅/碳复合负极材料,得到沥青含量分别为30%、40%和50%(质量分数)的3种硅/碳复合材料样品。采用XRD和SEM分别对复合材料的组成和形貌进行表征,并采用电化学测试手段对其性能进行测试。结果表明,经二次沥青包覆后,复合材料的电化学性能得到明显提高。当二次包覆的沥青含量为40%时,在100mA/g的电流密度下,该样品第二次充放电循环的放电容量达到773mA·h/g,经60次循环后,放电容量仍然保持在669mA·h/g,其容量损失率仅为0.23%/cycle。因此,调整二次包覆碳含量可明显改善复合材料的循环稳定性。