简介:摘 要 : 电子级多晶硅金属杂质含量是评价其产品质量的重要指标之一,其杂质含量的高低直接影响下游晶圆制造产品质量,所以对其制造过程的金属杂质含量的控制至关重要,本文主要从制造无金属污染的自动设备的技术指标和设计难点入手,研究了多晶硅表面金属污染的成因,然后分析了控制金属污染的技术,设计了无金属污染自动化设备。最后,为金属杂质含量的控制提供了重要的技术及设备。
简介:摘要:多晶硅是电子及光伏产业广泛使用的重要半导体和光电子材料。西门子现代化方法是多晶硅生产的主要技术,占多晶硅产量的80%以上。在多晶硅生产过程中,三氯硅合成(TCS)、三氯硅、四氯化硅冷氢化(STC)以H2的形式生成不同量的硅。文献表明,氯硅烷含有以STC为主的硅烷、以Si2Cl6为主的硅烷、以Si3Cl8为主的硅烷、少量的硅粉和金属氯化物,其中以Si2Cl6为主的硅含量最高,通过工艺对Si2Cl6进行重组分离气相色谱分析,得出139-142℃沸腾溶液中STC冷氢和TCS计算结果表明,约84.03%的SICL6来自STC冷加氢,其余15.97%的SICL 6来自TCS+H2还原过程。虽然许多学者在分析低多晶硅的组成方面做了大量的工作,但大部分都集中在高附加值的Si2Cl6上,缺乏系统的深入分析。