简介:
简介:测定贵州兴仁、兴义晚二叠世6个高砷无烟煤样品中As含量为33μg·g^-1-3.2%,Sb含量为8.10μg·g^-1-120μg·g^-1。对样品的矿物学研究表明,未发现任何含As或As的独立矿物,As是赋存在煤有机组分中。应用同步辐射X射线吸收精细结构仪测定样品中As的结构发现,赋存在高砷煤有机组分中的As与O配位,除在一个样品中As与3个O配位外,在其余样品中As均与4个O配位。因此,高砷煤中的As不是赋存在硫化物矿物中,而是赋存在砷酸盐或亚砷酸盐相中,且主要是砷酸盐相。
简介:测定贵州兴仁、兴义晚二叠世6个高砷无烟煤样品中As含量为94.1μg·g^-1-3.2%,Sb含量为8.1-120μg·g^-1,对样品的矿物学研究表明,未发现任何含As或As的独立矿物,As是赋存在煤有机组分中,应用同步辐射X射线吸收精细结构仪测定样品中As的结构发现,赋存在高砷煤有机组分中的As与O配位,除在1个样品中As与3个O配位外,在其余样品中As均与4个O配位,因此,高砷煤中的As不是赋存在硫化物矿物中,而是赋存在砷酸盐或亚砷酸盐相中,且主要是砷酸盐相。
简介:测量了C60单晶[111]方向的同步辐射角分辨光电子谱。观察到HOMO能带和HOMO-1能带明显且有规律的色散。色散曲线与LDA理论结果符合得较好。
简介:本文报道了纳米Gd2O3:(Ce^3+,Eu^3+)在紫外以及真空紫外(UV-VUV)选择激发下的荧光光谱。这些光谱实验表明,Gd2O3:(Ce^3+,Eu^3+)中Ce^3-占据两种不同格位。除了Gd2O3基质与Ce^3+,Eu^3+离子之间的能量传递外,还存在着较弱的Ce^3+与Eu^3+间的能量传递。
简介:在北京同步辐射实验室XAFS实验站上建立了利用全电子产额方法探测XAFS的实验方法。通过测量单色X-射线在样品表面激发出的电子产额随X-射线能量的变化,提取在吸收边附近的XAFS震荡。对不同厚度Cu薄膜的测量表明,在Cu的K吸收边附近可观察到信噪比很好的XAFS震荡。该探测器设计简单,可以直接在大气下工作。全电子产额XAFS方法的建立,有助于导电薄膜和材料的近表面结构研究。
简介:用XPS和PES研究了钙肽矿型氧化物BaTiO3薄膜和La1-xSnxMnO3薄膜的电子结构。特别地,我们采用角分辨X-射线光电子谱技术(ARXPS),研究了薄膜表面最顶层原子种类和排列状况。结果表明,BaTiO3薄膜表面最顶层TiO2原子平面,La1-xSnxMnO3薄膜的表面最顶层为MnO2原子平面。在此基础上,我们进一步在原子水平上探讨了薄膜的层状外延生长机理。
简介:测量了C60单晶(111)解理面法向发射的角分辨光电子谱。利用同步辐射光源研究了对应于分子轨道HOMO及HOMO-1的能带的色散关系。实验观察到HOMO和HOMO-1能带在Г-L方向存在明显的色散,最大色散分别为0.27eV和0.42eV色散曲线与理论电子结构基本符合。
简介:在C60单晶(111)解理面上制备出厚度约30mm的K3C60单晶膜。利用同步辐射光源,在低温下(约150K)测量了样品法向发射的角分辨光电子谱。观察到K3C60导带和价带明显的色散。导带的光电子谱峰可清晰分辨出4个子峰,这些子峰的最大色散超过0.5eV,并且色散曲线与K3C60的一维无序晶体结构模型下的能带理论基本吻合,只是子带间隔差异较大。
简介:在C60单晶(III)解理面上制各出Rb3C60单晶薄膜.得到了室温和150K温度时导带的光电子谱峰形,费米面附近的电子态密度随温度显著变化.甚至在室温时也能观察到导带有不少于6个子峰.
InP表面软X光吸收效应与数值模拟
Sm,Eu掺杂的碱土硼磷酸盐发光材料的VUV激发光谱
北京同步辐射装置—3B1B光束线和VUV光谱实验站
高砷煤中砷赋存状态的扩展X射线吸收精细结构谱研究
C60单晶电子结构的同步辐射光电子谱研究
纳米Gd2O3:(Ce^3+,Eu^3+)在UV和VUV选择激发下的荧光光谱
测量XAFS谱的全电子产额技术
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用成像板探测正电子实验
用全电子产额技术测量薄膜材料的XAFS谱
^22Na低能单色正电子束流装置
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C60单晶价带色散的同步辐射光电子谱研究
Co100—xMnx合金在CaAs(001)表面分子束外延的电子结构
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