简介:利用同步辐射(BSRF)漫散射站四圆衍射仪,对SiC体单晶的结构进行了判定以及对利用常压化学气相沉积(APCVD)生长的3C-SiC/Si(001)中的孪晶及含量进行了分析。六方{10-15}极图证明了该SiC单晶为6H(H为Hexagonal的缩写)结构。对3C-SiC外延薄膜,Φ扫描证明了3C-SiC外延生长于Si衬底上,外延取向关系为:(001)3C-SiC//(001)Si,[111]3C-SiC//[111]Si。3C-SiC的{111}极图在x=15.8°出现了新的衍射,采用六方{10-10}极图以及基体倒格点111、孪晶倒格点002的Mapping分析了x=15.8°处产生的衍射为3C-SiC孪晶所致,并利用ω扫描估算了孪晶的含量约为1%。
简介:莫斯科钢与合金研究所利用机械一化学合成法成功合成一种特殊的准单晶物质,在工业领域有广泛应用前景。在这种物质中,铁、铜、铝三种原子的排列不像普通单晶那样具有相同的晶格,但仍具有严格的顺序,呈现出几何排列。以橡胶和聚合物为底基,辅以这种准单晶物质制成的复合材料具有金属和陶瓷的双重特性,像金刚石一样坚硬,摩擦系数小于金属,化学稳定性和耐摩性很高。
简介:摘要本文从埚转、等径功率、投料量等几个方面论述了直拉硅单晶中氧含量的控制方法,通过工艺调整,降低硅单晶的氧含量,改善晶体品质。