简介：摘要：在现代科技社会中，光电探测器作为一种重要的光电转换器件，广泛应用于光通信、光电子学、生物医学等领域。光电探测器能够将光信号转化为电信号，具有高灵敏度、高速度、低噪音等优异特性，因而在信息传输、精密测量和生命科学等方面发挥着重要作用。随着人们对高速、高精度、高效率通信和测量需求的不断增加，对光电探测器的研究也越发重要。在光通信领域，光电探测器是实现光纤通信的核心元件之一，其性能直接影响着光信号的接收和解调质量，对于提高通信速度和增强传输容量至关重要。深入研究光电探测器的制备方法及光电特性对于不断改进和优化光电探测器的性能具有重要意义。

简介：周跳的探测与修复是GPS载波相位数据处理中一项重要的任务。首先介绍了双频相位求差法探测与修复周跳的原理;其次,利用Fortran语言编制了相应的程序,并通过实例分析了在不同采样率下探测周跳与修复的效果;最后讨论了该方法探测周跳的不足。

简介：在光电技术产业化过程中，光电器件的重要性日益显现。光电器件的种类很多，功能各异。如何掌握各种光电器件的特性及正确选用光电器件是光电技术实际应用中的关键。在对一个光电系统的性能指标进行评价时，系统所选用的光电器件的性能参数指标已经成为最重要的影响因素之一。本文介绍了常用光电器件的主要特性，对常用光电器件进行了对比。讨论了光电器件应用选择时的注意事项与技巧，并对选用光电器件的基本原则进行了总结。

简介：对激光辐照PV型的Hg1-xCdxTe单元探测器的响应特性进行了研究,建立了材料内部光生电动势变化的数学分析模型。计算了不同光源辐照3类组分不同的Hg1-xCdxTe探测单元的输出特性,并对温度波动影响进行了分析。结果表明：在光敏面积恒定时,x值越大探测器的完全饱和电压越大,即探测器的响应度Hg0.627Cd0.373Te〉Hg0.698Cd0.302Te〉Hg0.819Cd0.181Te;x值越小,探测器受温度波动的影响越小。

简介：为了研究喷砂铝板表面的漫反射特性，基于环形光电探测器阵列和精密光学转台，设计了一种材料表面漫反射特性测量装置。该装置采用准直后的光纤激光作为光源，通过调整光学转台来调整激光入射角度，可以测量激光从不同角度入射时材料表面的反射特性。采用该装置对标准漫反射片的反射特性进行了测试，对测量结果进行拟合后显示，表面散射光的1维强度分布符合余弦分布特征，证明该装置设计是合理的。采用该装置测量了某种铝制漫反射片的表面反射特性。结果表明，这种采用喷砂工艺处理的铝板表面在入射角0°～20°范围内基本符合漫反射的特征。

简介：采用理论模拟和IVA(inductivevoltageadder)产生的脉冲X射线,研究了PIN探测器输出电荷随脉冲辐射强度的变化关系.结果表明,当入射脉冲辐射注量是PIN探测器最大线性电流对应注量的16.2倍时,PIN探测器输出电荷仍然与脉冲辐射强度呈线性变化,偏离线性小于5％.

简介：载波相位观测值中的周跳进行探测和修复一直是GPS精密定位数据处理中的一个十分重要的问题。主要讨论基于双频探测的电离层残差法,编制了相应程序,并通过实例分析了在不同采样率条件下探测与修复周跳效果,针对其探测盲区提出了解决方案。

简介：介绍了PIN光电二极管探测器的工作原理及基本结构，设计了探测器的测试系统，说明了测试系统中各个组成部分的结构和功能。利用该系统对PIN管光探测器电路的电特性进行了测试，测试结果表明PIN光电二极管探测器的响应特性符合技术要求。

简介：给出了用于微电子化剂量仪的半导体探测器的剂量特性，研究工作表明：该探测器可以和微电子化电路结合，并在常温低偏压（1－3V）下工作，且其灵敏度可在68－316cps/(R/h)之间变化，对微电子化剂量仪中电子线路的设计，奠定了基础。

简介：使用傅里叶变换光谱仪（FTIR）测试甚长波宽波段（6．4～15μm）红外探测器响应光谱的过程中，发现短波方向响应光谱异常。通过分步测试分析发现：探测器和放大器工作在非线性工作区导致某些情况下仪器信号发生饱和，引起了短波方向响应光谱畸变的现象。对FTIR测量甚长波宽波段（6．4～15μm）红外探测器响应光谱的畸变现象进行了分析，认为探测器的响应时间是影响其响应光谱的重要因素，并通过试验确定了测试系统对不同探测器所设置的测试参数，消除了响应光谱畸变的现象，并提高了测试准确度。

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简介：探测器冷平台的温度达到100K,中波、短波冷平台上各测温点在无加热、加热0.7W、加热1W时的温度分别如图6、图7所示,中波冷平台中心点、液氮杜瓦冷头及冷平台钛合金支撑的上下端在无加热时的降温曲线如图5所示

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简介：工业界了解到用电磁探测来确定烃类位置的可能性已有许多年了，但在实际中应用还很有限。近年来现代化接收仪器、高速计算机和先进分析方法的出现促使研究开发了既适用于陆地又适用于浅海储油层的多瞬变电磁探测方法

简介：《主办城市》采访了一家保安公司，了解他们如何训练嗅探犬嗅探爆炸物、武器和非法毒品。

简介：背景材料：1．北京时间2003年10月15日9时，我国自行研制的载人航天飞船发射升空；15时57分，飞船成功变轨，进入距地面343千米的圆形轨道；18时40分，航天员杨利伟在距地343千米的太空展示中国国旗和联合国旗，并向世界各国人民

简介：地球上的大气是互相流通的。为了了解地球大气整体的运动情况，全世界已经建立了10000多个气象站。中国已建立2600多个气象站，它们分布在高山、海岛、荒漠、城市等处。这些气象站与气象卫星、气象雷达等多种探测手段一起，组成了气象综合探测系统。

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简介：ZnS是直接带隙半导体材料,和具有良好的光电能力,广泛用于光电子学,如紫外检测器、太阳能电池,以其完美的光电转换效率和纯净度,洁净效率等效于CdS薄膜。关键词ZnS制备；ZnS紫外探测器；ZnS紫外探测器应用1.ZnS的结构介绍硫化锌是带隙半导体材料的其中之一。一般来说，白色粉状固体有两种变体高、低温变体，细胞参数a0=0.384nm,c0=0.5180nm,z=2。ZnS的晶体结构可以被认为是精密的六边形堆积。ZnS俗称闪锌矿，还具有面心立方的晶体原子结构，细胞参数a=0.5406nm,z=4。在两种晶体结构中，每四个硫离子形成一个四面体，四面体中含有一个锌离子，构成硫化锌四面体。导致了不同的光电子学性能。比较结构化的研究了材料的发光原理。带隙分别为3.67-3.75eV和3.91-3.94eV。本征发光为蓝光带，但对ZNS纳米材料的制备及不同尺寸、掺杂和形貌的ZNS的发光性能尚未深入研究6。2.ZnS的基本性质硫化锌是一种直接宽带隙半导体，具有良好的压电、热电和光电导性能5。锌具有各种优良的性能，广泛应用于许多领域。3.ZnS作为紫外探测器的选择依据紫外探测器可以将电辐射信号变换成其他易于接收的信号。微粒激发原子核产生电子，然后由外面收光电子。从其间得到的为得到的变化值。紫外探测器的主要性能参数有效率、应答性、应答时间、电流等。根据性能和设计要求，制作紫外探测器需要带隙半导体材料。材料必须具有带隙大、导热性能好、饱和度高等特点。可用它来造出超高频电路，辐射耐久好的电路、高密度集成的电路，还有大功率电子学器件。ZnS作为一种典型的宽频带隙半导体，在优良的光电性能方面具有最显著的优势。根据硫化锌的宽带隙和光电导率高的特点，可以发现硫化锌是制作紫外探测器的良好材料，可以用于制作紫外探测器。同时具有无毒无害、节能环保、生产工艺简单、体积小、在光电集成电路中的广泛应用等优点，具有很大的应用价值。4.ZnS制备方法ZnS是一种应用广泛的纳米材料，制备方法很多。由于其用途不同，制备方法也不同。制备的锌一般有粉状、块状和薄膜状。锌的优良性能主要取决于颗粒的大小、分布和形貌。因此，如何控制颗粒的大小和分布，以及形貌和表面的修饰是研究的关键。ZnS8的制备方法多种多样。到目前为止,大量的文献报道的合成硫化锌,包括模板方法9,元素直接反应法10、11降水方法,水热合成方法12,微乳液方法13,溶胶-凝胶法14,15,化学气相沉积方法等。这些方法涵盖多个学科,每个都有自己的优点和缺点。根据合成环境的不同，可分为固相法、气相法和液相法。5.ZnS的应用ZnS是其中具有宽带隙的半导体材料之一。ZnS作为过渡金属硫化物，具有许多优良的特性，是一种重要的发光材料和半导体材料。它在荧光粉、发光、传感器、红外电子材料领域有着很好的发挥用途。主要用途有(1)在材料中的应用。ZnS是其中过剩本征半导体之一。它具有电性和热粒子性，是很优秀的基体。然而ZnS没有能计算的性能。(2)在发光材料中的应用。锌是最佳基体之一，流行在离子、显示、材料等领域。此外，它还被用于传感器检测x射线和伽马射线。还可用于制作太阳能器件、纳米激光激光，广泛应用于具有光电识别标志的器件之中。6.紫外探测器的用途紫外探测器能起到警示的作用，还可以与军队进行联系，还能用紫外线进行观察周围的情况，还可以用来制造导弹，可以作为国家防御的非常重要的一部分，所以十分受到了军队的高度重视和审视。紫外光探测器可以用于科学的研究，队科技的进步起到十分重要的作用，还对国家军队的防御起到至关重要的作用，对于飞向天空的梦想也起到很重要的作用，还可以对环境的保护等很多很多的领域起到关键性的作用。不仅如此，它对医学的研究。还有各种各样的生物的研究都起到很重要的作用。在日常生活中，它可以作为uv-a(230~320nm)和uv-b(280~320nm)紫外线测量仪，适用于个人在海滩、山区等紫外线丰富的环境中使用。不仅如此，在普通的农民的领域，紫外探测器还可以广泛应用于气体的燃烧，对汽车的尾气进行观察，还对于火灾的防备，还有周围环境的检测与防备，对于细胞进行癌分析，还对DNA进行观察与研究，具有很大的发展潜力。7.硫化锌紫外探测器的制备近十年来，在带隙半导体中，ZnS由于具有很优秀的性能，如正常温度情况下，ZnS光学性能还不错，成为一种很好的选择。ZnS是一种很有前途的硅衬底集成光电器件的制备材料。总结本文对硫化锌的制备进行了探讨，并对硫化锌的应用领域进行了总结。现在为止我们制备ZnS薄膜的方法有真空蒸发法、化学气相沉积法、磁控溅射法、模板法、溶胶-凝胶法等。

简介：8月10日,我国280兆瓦光伏并网发电特许权项目将正式开标,国内不少光伏生产商进入筹备投标项目的最后冲刺阶段。部分晶硅电池生产商对上网电价的预期在1.4元(/千瓦·时)左右,相比之下,薄膜电池生产商相对能够承担稍低的价格。然而,与民间预期不同的是,接近国家能源局的有关人士表示,此轮光伏招标的上限价格很可能不会超过去年1.09元(/千瓦·时)的价格。