简介:为研究空间用四结太阳电池中InGaAsP/InGaAs子电池在电子辐照条件下的性能衰退情况,对InGaAsP/InGaAs双结电池开展了1MeV电子辐照试验,测试了辐照前后的电学参数和量子效率,分析讨论了参数退化情况.结果表明:随着电子注量和位移损伤剂量的增加,电池性能参数退化程度逐渐加大;由位移损伤缺陷导致的载流子寿命减小,是导致电池短路电流和开路电压下降的主要原因;InGaAsP/InGaAs双结电池基区损伤比发射区损伤更加严重,因此,提高其抗辐射能力的关键在于优化基区结构.
简介:O484.599042623用喇曼散射光谱估算纳米Ge晶粒平均尺寸=Estimationofcrystal—sizeofnano—GebyRamanscatteringspectra[刊,中]/王印月,郑树凯,杨映虎,郭永平(兰州大学物理系.甘肃,兰州(730000)),奇莉,甘润今(北京机械工业学院基础部.北京(100085))//光学学报.—1998,18(9).—1265—1268用射频共溅射技术和真空退火方法制备了埋入SiO2基底中的纳米Ge复合膜(nc—Ge/SiO2。测量了不同温度退火后该复合膜的喇曼散射光谱,其结果与晶体Ge的喇曼谱相比,纳米Ge的喇曼峰位红移峰形变宽;用喇曼谱的参数计算了纳米Ge晶粒的平均尺寸。所得
简介:O484.52003053772厚度具有线性变化的吸收平板或膜层的非相干透射率和反射率=Incoherenttransmissivityandreflectivityofanabsorbingplaneplateorlayerwithlinearvariationsinthickness[刊,中]/钟迪生(辽宁大学物理系.辽宁,沈阳(110036))//应用光学.-2002,23(1).-40-43计算了垂直入射下厚度具有线性变化的吸收平板样品的非相干透射率和反射率(正面和反面),给出了直接确定无基底样品以及透明基底上薄膜能量(强度)系数的精确表达式。图3参3(郑锦玉)