简介：通过对夹膜短路的现象进行分析，确定改善对策，并对改善措施进行跟踪评估。评估结果发现干膜的正确选用对改善夹膜短路产生明显效果，而且能降低总生产成本，提升良品率。

简介：香港传新科技有限公司和北京乌人艺术推广有限公司6月17日在鸟人艺术的大师录音棚联合举办产品推广会，中央电视台、解放军歌剧院、北京电影学院和京城一些录音棚的录音师、技术人员应邀参加，听取了设备介绍，互相交流、切磋技艺。

简介：1、什么是电热膜供暖系统低温辐射电热膜供暖系统又称“嵌入式供暖系统“,简称电热膜,是世界上先进的供暖方式之一,它是一种以电力为能源,通过红外线辐射进行传热的新型供暖方式。低温辐射电热膜供暖系统的主体是电热膜,它是一种通电后能发热的半透明聚酯薄膜。由可导电的特制油墨、金属载流条经印刷、热压在两层绝缘聚酯薄膜间制成的一种特殊的加热元件。

简介：1前言线路板的制作流程复杂,问题多,常有"莫名其妙来,莫名其妙去"的说法.而干膜掩孔破裂问题也经常是来无影,去无踪;问题来时,工程师和问题解决的参与者一般从以下几方面着手:

简介：本文介绍了PCB表面平整化和阻焊膜(剂)厚度均匀性的生产技术.

简介：本文主要针对低压功率开关管的功耗进行了理论分析，并在此基础上分别对两种典型结构槽栅MOSFET和e-JFET在不同工作频率下的功耗分布和总功耗进行了定量的仿真计算和对比。通过研究发现，在一定工作条件下，常闭型e-JFET比目前常用的沟槽栅型MOSFET仅开关功耗就降低约24%，总功耗则降低约30%，将其运用于CPU电源电路中的开关功率管的制造，在高频领域有着极好的应用前景。

简介：未经过曝光的干膜具有一定的流动性，这种流动主要表现为：板件竖放时干膜向下流动，板件平放时干膜向孔内流动，通常称之为干膜垂流。当干膜垂流超过一定限度时，会增加开路、短路和镀层空洞的风险，文章将对干膜垂流的影响因素及改善进行阐述。

简介：本文主要介绍用于挠性覆铜板(FCCL)的聚酰亚胺膜，其中包括原材料、制造方法和产品特性。

简介：概述了利用电容膜降低PWB噪声的方法,可以有效地降低电源-地线层之间的谐振和电源脉动电压.

简介：文章将就湿法贴膜与普通干膜对线路的影响进行解析,分析湿法干膜在精细线路制作过程中针对凹陷和划伤起到很好的填充能力,保证了高效的品质及提升生产效率。

简介：将水膜除尘器供水方式由外水环管改为内供喷嘴形式,避免了水膜除尘器进水口缝隙堵塞的问题。提高了污水的重复利用率,达到节约用水的目的。

简介：新建三聚氰胺系统的循环水系统因在制造，加工，储放运输，安装等一系列过程中混入或产生的氧化皮，焊渣，油污，沙石，泥土和保温材料等各类杂质及腐蚀产物，为循环冷却水的正常投运创造必要的条件，同时也使循环水系统在开车后能够迅速达到设计要求并保证系统的正常稳定长周期的运行，而对循环水系统进行系统化学清洗和预膜。

简介：文章主要介绍了通过对厚多晶硅膜进行饱和掺杂来制作低阻值多晶电阻的方法。分析了多晶硅掺杂扩散模式，其中A类扩散模式能够得到较低的多晶电阻。要使杂质以A类扩散模式掺入多晶硅中，需要采用炉管扩散的方式进行长时间的掺杂。受杂质固溶度影响，一定厚度的掺杂多晶硅电阻值是无法无限制降低的，要制作低阻值多晶电阻，需要淀积厚多晶硅薄膜。文章选择炉管扩散的方式，进行低阻值的多晶硅薄膜制作，并通过实验，证实该方法可以得到稳定、均匀、低阻值的多晶硅方块电阻。

简介：文章针对光纤通信1520～1580nm波段设计红外减反射膜系统,采用传统光学薄膜理论特性进行分析,提出了3种不同的方案选择材料。实验结果表明,3种方案设计结果均达到光纤通信减反射膜设计要求。

简介：随着表面安装技术的飞速发展,印制板的高密度线路制造成了PCB行业的必然趋势之一。目前传统的丝网印刷技术已面临严重挑战,因此使用干膜作为图象转移技术也就日趋普遍。从工艺如度分析,干膜的主要发展趋势包括:高分辨率、较宽操作范围、激光直接成像、湿法贴膜、高性能价格比,以及与基材有良好的粘合力,等等。本文主要介绍干膜分辨率和操作范围的探索。实验中使用的两种干膜F和G均属水溶型负性工作的,每一种干膜都有两种不同的厚度,分别是1.0mil和1.5mil的F干

简介：旭化成（AsahiKaseiEMD）旗下旭化成电子材料（苏州）有限公司大规模扩产工程已经动工兴建。旭化成电子材料（苏州）生产电路配线用干膜（Sunfort^TM）。扩产工程预计在08年4月完工，届时干膜年产能将由1．8亿平方米提升至2．8亿平方米，

简介：杭州路通碳膜电路有限公司目前正在扩建新厂，新项目预计总投入6000多万元，将于今年8月投产。扩建项目投产后，公司将有3条高水平新生产线投入使用。此外，该公司最新研发的新产品高电阻碳膜板、银浆灌孔板，分别获得大陆了国家专利和国家创新基金奖励。

简介：<正>Berkeley实验室的研究人员在Si衬底上采用氮化铪(H_fN)中间层生长出优良结构和光学质量的GaN膜。这些研究人员还建立了在Si上淀积H_fN和在H_fN上淀积GaN的工艺参数。用Si衬底而不用蓝宝石衬底来生长GaN提供了很大的成本优势,并提供了GaN基器件与常规Si电子器件单片集成的可能性。

简介：　　1前言　　对于MOS晶体管的栅氧化膜来说,按照高集成化、高性能化的比例要求,在采用0.35μm工艺技术的64MDRAM中,要求薄膜减薄到10nm,而在0.25μm的256MDRAM中则要减薄到8nm.对于高性能CMOS逻辑电路来说,在薄膜化方面的要求比DRAM还要早一个时代,对于0.25μm工艺来说,则要求使用6nm这样极薄的氧化膜.　　……

简介：尽管导电碳油网印技术并非当前最优埋电阻板的制作方案,但适当的流程优化也能提升导电碳油板的电阻值精度和良率,使得它依然能够满足埋阻电子产品的功能要求。