简介：利用静电放电(ESD)模拟器对集成电路芯片进行电压注入损伤效应实验,通过存贮示波器记录的波形进行乘法和积分运算,得到对应注入电压下芯片上吸收的平均峰值功率和能量.对放电电压与平均峰值能量作散点图,采用曲线拟合的方法对离散点进行拟合,针对该曲线拟合的方法进行了分析,最终建立了ESD注入电压与平均峰值能量之间的数学模型.

简介：介绍了评价烟幕光学性能的方法，主要是烟箱评价法及各类烟箱的基本情况，综合论述了烟幕抗红外能力的评价方法．

简介：介绍了钝化离子注入半导体探测器的工作原理和制备工艺，两种探测器制备的灵敏面积分别为10mm^2和25mm^2，辐射性能测试实验结果表明该探测器具有响应线性度好、噪声低、偏压低等优点，反向偏压为3V时，剂量率监测范围为：1×10^-3～1×10^3cGy／h．

简介：为提高电磁注入法的应用频带范围，提出基于定向耦合原理的电磁注入方法，并以某天线及其射频前端构成的互连系统为试验对象，利用单定向耦合器作为注入装置进行了辐照和注入试验，试验证明该注入方法能够准确替代连续波辐照效应试验．进而，理论分析耦合装置的特性并对该装置进行改进，提高其工程实用性．最后，设计耦合装置的指标并计算了对应的散射矩阵，制作完成注入装置的样机．结果表明：耦合装置监测端电压与等效源之间的关系会受到受试设备状态的影响．将两单定向耦合器级联作为注入装置，并以监测端的功率作为等效依据，可保证监测结果在高频时不受线缆上驻波的影响，提高试验的准确性．

简介：主要介绍了离子注入新技术的工作原理，以及在核辐射探测器中的应用；离子注入技术条件(包括加速电压、注入剂量、注入时间与退火温度等)选取；用离子注入技术制备的核辐射探测器的特性比较。

简介：提出了一种基于自准直反射法测量光学中心偏的检测方法,分析了其测量光学中心偏的基本原理,在此基础上设计了基于自准直反射法的光学镜组中心偏检测系统.系统采用CV-A1型CCD探测器组件,以轴向晃动≤1″、径向跳动≤1μm的高精度基准轴工作台配合PIV研华工控机进行数据采集和图像处理,系统测量精度为:角度≤2″,线度≤0.01mm.实际应用表明,该系统适用于1.06μm激光探测系统光学镜组的在线装校及系统中心偏检测,也可用于其它光学系统中心偏的测量.

简介：分析了军用光学系统像散的特征及其几何规律，运用计算几何模线曲面的方法建立了像散的数学模型。应用体视图像技术实现了军用光学像散的体视三维可视化模拟。

简介：通过理论模拟计算详细分析了KBe2BO3F2（KBBF）晶体的光学倍频特性,得到了Nd∶YVO4激光6倍频输出的深紫外激光光源（177.3nm）的相关技术参数。结果对于KBBF晶体用于产生深紫外全固态激光（DPL）的实验研究提供了重要的理论依据。