简介:介绍了钝化离子注入半导体探测器的工作原理和制备工艺,两种探测器制备的灵敏面积分别为10mm^2和25mm^2,辐射性能测试实验结果表明该探测器具有响应线性度好、噪声低、偏压低等优点,反向偏压为3V时,剂量率监测范围为:1×10^-3~1×10^3cGy/h.
简介:新型半导体探测器技术为现代化技术的代表,要求将半导体材料应用到探测器的研制过程中,达到提高探测器探测效率的目的。本文以硅微条探测器、电致冷半导体探测器、微结构半导体中子探测器三种新型半导体探测器为例,对其目前的发展状况及未来的发展趋势进行了研究,并对探测器的应用原理与方法等进行了探讨,以期能够为有关人员提供参考。
简介:利用Geant4工具包,采用强迫碰撞方法,模拟氘氚聚变中子与反冲质子法脉冲中子探测系统中的聚乙烯靶作用产生反冲质子的过程,计算了反冲质子在不同厚度Si-PIN半导体探测器灵敏区中的能量沉积谱,并将模拟计算结果与实验结果进行比较,分析给出了探测器灵敏区厚度。结果表明,计算得到的探测器灵敏区厚度与探测器灵敏区真实厚度在3%以内吻合,证明了模拟计算方法的可行性。同时,还计算了不同厚度的铝吸收片条件下,反冲质子在探测器灵敏区内的能量沉积,得到了沉积能量随铝吸收片厚度的变化曲线,可为反冲质子法脉冲中子探测器系统设计提供参考。
简介:利用4.5MeV的氪离子(Kr^17+)辐照(100)晶向本征未掺杂和高掺锌(P型)、(100)和(110)混合晶向的高掺硅(N型)砷化镓(GaAs)半导体材料,辐照注量为1×10^12~3×10^14cm^-2,测试辐照后材料的拉曼光谱。随着辐照注量增大,材料的纵向光学(longitudinaloptical,LO)声子峰向低频方向移动,出现了明显的非对称展宽,并且N型样品辐照后,晶体结构损伤要大于P型与本征未掺杂样品。3种类型样品的LO峰频移随辐照损伤的变化趋势一致,研究表明,掺杂元素不影响材料本身的晶体结构,可能是因为混合晶向的生长方式导致辐照后N型GaAs结构稳定性变差。