简介：

简介：测定了真空蒸镀的WO3薄膜电致变色前后的谱，发现钨原子与周围的氧原子的作用距离随着阳离子（K^+,Li^+）注入电量的增加而增加，说明阳离子的注入对WO3的微结构有影响。

简介：

简介：从两个方面探讨金属拉伸试验试样的有效性，一是要避免试样所具有的被测性能指标的“真值”明显地高于其所代表的实际产品所具有的被测性能指标的“真值”，二是要避免试样所具有的被测性能指标的“真值”明显地低于其所代表的实际产品所具有的被测性能指标的“真值”。结合核安全审评和监督过程中遇到的实际问题，从不同的角度解读法规条文。以理论分析为基础，并考虑到现实的可操作性，对今后相关的核安全审评提出建议。

简介：本文首次报道了ZnO薄膜发光的激发谱，此薄膜的发射谱主要有绿带和紫外带，峰值波长分别为520和390nm，通过改变生长条件可以获得单一的紫外发射带或绿带。其本征激发带出乎常规的处于真空紫外区，而不在能隙附近的近紫外区，其峰值为197nm左右。作者对此特殊现象进行了初步分析与讨论。

简介：对磁控溅射法在YBa2Cu3O7-δ缓冲层及SrTiO3(001）衬底上生长的Pb(Zr0.52Ti0.48）O3薄膜材料，应用X射线散射倒空间作图法研究了薄膜在垂直（a⊥）和平行（a||）于表面方向的晶格常数与其厚度的关系。研究结果表明，随着PZT厚度的增加，a⊥增加，而a||减小。这种晶格常数的变化，不能用一般的薄膜弹性畸变来解释，我们归结为晶体的尺寸效应起了很大的作用。X射线衍射的测量结果表明，随着PZT厚度的增加，其晶粒尺寸也增加。

简介：用小角X射线散射（SAXS），Raman谱，红外透射谱等研究高氢稀硅烷热丝法（HWCVD）制备氢化微晶硅膜微结构，结果表明微晶硅的大小及在薄膜中的晶态比随氢稀释度的提高而增加。SAXS表明薄膜致密度随氢衡释度的增加而增加。结合红外谱和SAXS的结果讨论了不同相结合下硅网络中H的键合状态。认为在非晶硅膜中H以SiH键为主，在微晶硅膜中H以SiH2为主且主要存在于晶粒的界面。

简介：

简介：根据K在C60晶体中的扩散系数分析了在C60（111）单晶解理面上制备K3C60单晶膜的实验条件。对制备出的样品进行了角分辨光电子谱研究。结果表明样品确实为K3C60单晶，并首次观察到K3C60的能带色散。

简介：本文主要利用X射线衍射技术研究由直流／射频磁控溅射方法制备的PbZr0.53Ti0.47O3(PZT)/La1.85Sr0.15CuO4(LSCO)集成薄膜的界面和表面的微结构，从而给出它的界面和表面的均方根粗糙度，有效晶粒尺寸，应变大小，用计算反射率方法对小角衍射曲线做理论模拟，从我们的实验结果可见，当所制备的铁电／超导薄膜PZT层厚度从48．7nm到996．0nm变化而LSCO层保持1000？不变时，PZT与LSCO的应变状态不同，相差近一个数量级，同时PZT层表面的均方根粗糙度略有增加，本报告对实验结果作了初步讨论。

简介：用X射线摇摆曲线和掠入射衍射、透射电镜、原子力显微镜等实验技术研究了MBE方法生长的Si缓冲层生长温度对SiGe／Si异质结结构的影响。结果表明，所研究的SiGe外延层晶格发生完全弛豫，但表面粗糙度和界面失配位错随Si缓冲层的生长温度而变化，最佳生长温度为450℃；缓冲层晶格应变是达到高质量SiGe外延层的主要原因。

简介：

简介：主管道是核电厂反应堆冷却剂系统的主动脉。某制造厂在主管道预制资质取证模拟件制作过程中出现环焊缝横向拉伸试验结果不满足RCC-M标准规范要求,通过对比不同标准规范下的管道环焊缝横向拉伸试验要求和验收准则,得出从严要求的监管原则。从而得出核电标准与规范的编制是核电国产化的关键,是核电发展实现系列化、标准化和规范化的基础,我国核电建设亟需建立一套适应国情的、统一完整的压水堆核电厂标准体系。

简介：本文从风险管理的视角分析了中国核能发展的现状,运用风险管理的方法识别出我国在核能的发展过程中存在的各种风险因素。以山东省某核电厂为研究背景,运用未确知测度模型从自然、技术、经济、管理、法律法规、政策等层面评价我国核能的发展过程中存在的各种风险及其危害程度,以期为政府主管部门的决策、危害评估提供理论参考,探寻中国特色的核能安全风险管理新模式。

简介：采用高氢稀硅烷热丝化学气相沉积方法制备氢化微晶硅薄膜。其结构特征用Raman谱，红外透射谱，小角X射线散射等来表征。结果表明微晶硅的大小及在薄膜中的晶态比Xc随氢稀释度的提高而增加。而从红外谱计算得到氢含量则随氢稀释度的增加而减小。小角X射线散射结果表明薄膜致密度随氢稀释度的增加而增加。结合红外谱和小角X射线散射的结果讨论与比较了不同相结构下硅网络中H的增加而增加。结合红外谱和小角X射线散射的结果讨论与比较了不同相结构下硅网络中H的键合状态。认为随着晶化的发生和晶化程度的提高H逐渐移向晶粒表面，在硅薄膜中H的存在形式从以SiH为主向SiH2转变，即在微晶硅膜中主要以SiH2形式存在于晶粒的界面。

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简介：用XPS和PES研究了钙肽矿型氧化物BaTiO3薄膜和La1-xSnxMnO3薄膜的电子结构。特别地，我们采用角分辨X－射线光电子谱技术（ARXPS），研究了薄膜表面最顶层原子种类和排列状况。结果表明，BaTiO3薄膜表面最顶层TiO2原子平面，La1-xSnxMnO3薄膜的表面最顶层为MnO2原子平面。在此基础上，我们进一步在原子水平上探讨了薄膜的层状外延生长机理。

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简介：测定了WO3／4，4'－BAMBp超晶格薄膜光致变色前后的XPS光谱，发现薄膜在光致变色后有W^5+生成；同时，氮元素由两种形态变化成三种形态，得到了与无定形WO3不同的光致变色机理。