简介:材料特别是电子材料对环境的影响越来越受到关注.欧洲和日本率先掀起覆铜板无卤化的进程。目前包括生益科技在内的一些CCL厂正在推出的无卤产品。都有或多或少的缺陷.普遍问题是板材Tg和板材其它性能之间的矛盾。我司目前成功推出无卤高Tg板材(编号:S1165)。该基板具有Tg大于160℃(DSC)、优异的耐热性能(T-300>30min)、低Z轴膨胀系数、低吸水率.具有耐CAF功能.且在后段的PCB加工中.适当调整加工参数.可以获得与FR-4相似的加工性能.因而可应用于未来无铅制程及高精度多层板。板材的最大优点是所需要的固化温度和时间可以明显较其它无卤板得到降低和缩短.提高PCB加工效率。
简介:在催化剂P-TSA的作用下,运用原位溶液-凝胶法,将BGPPO、DDM和TEOS合成了具有纳米结构的含磷环氧/硅黏土复合材料,经傅立叶红外转移(FTIR)、核磁共振(NMR)和扫描电子显微镜(SEM)表征后发现,环氧树脂中的硅粘土达到了纳米级尺寸,并且,随着粘土含量的增加,
简介:采用分子动力学方法研究氢氧化镁的力学性能和点缺陷能,而对体相和表面所含点缺陷的微观电子结构采用第一性原理进行研究。结果表明,根据缺陷能分析,阳离子间隙和置换缺陷非常容易产生,因此对于氢氧化镁通过引入其他阳离子进行改性相对容易。高的OH键(OHSchottky缺陷)或H键(H的Frenkel缺陷和Schottky缺陷)提高了氢氧化镁脱水过程所获得熵的能垒,从而提高了氢氧化镁的分解温度,这是氢氧化镁能够满足填充型阻燃添加剂的要求本质原因之一。建立了氢氧化镁MD模拟的势能模型,通过模拟计算揭示了氢氧化镁晶体结构与力学性能的关系。为了获得具有较好机械加工性能的添加型阻燃剂,应选薄层状氢氧化镁。确定了含点缺陷氢氧化镁的电子结构。揭示了离子掺杂对氢氧化镁晶体的影响机制,为掺杂离子的选择提供了理论指导。
简介:耳前,原子氧剥蚀效应研究仍然是空间环境效应研究中最活跃的方向之一。在概括地介绍低地球轨道环境的同时,分析了铝在原子氧环境中的氧化行为、氧化膜的形成机理和氧化铝膜的破裂等情况。基于离子溅射效应已经广泛应用在现代工业和科学研究中,分析当前溅射产额研究状况,采用半经验公式和TRIM程序计算铝被原子氧和离子氧轰击后的溅射产额和腐蚀速度,并与重离子He离子、Ar离子、Fe离子轰击Al的溅射产额比较;分析发现在原子氧环境中,离子对铝材料溅射同样满足溅射产额的变化规律;最后提出铝在原子氧环境中的防护方法。通过上述的分析和研究,得出了相关性的结论、展望和存在的问题。