简介：

简介：GaAs半导体材料可以提高器件运行速度，日益引起人们的注意，但是也给器件制造者带来了许多问题。在本文个，一个全新的可应用于HEMT器件的深亚微米X射线T型栅工艺被提出来，该工艺采用三层胶方法，曝光实验是在北京同步辐射3BlA束线上进行的，并且取得了好的结果。

简介：通过原位担载法将铁系催化剂担载于煤表面，考察了催化剂前驱体的相态、配位环境以及在载体表面的分散状态。采用X射线吸收精细结构和X射线衍射法对原位担载型铁系催化剂前驱体进行了表征。结果表明，催化剂前驱体在煤表面以非晶态、高分散的形式存在，其化学组成主要为FeOOH，且催化剂前驱体的分散程度与载体煤的物理化学性质有关。

简介：

简介：用XPS和PES研究了钙肽矿型氧化物BaTiO3薄膜和La1-xSnxMnO3薄膜的电子结构。特别地，我们采用角分辨X－射线光电子谱技术（ARXPS），研究了薄膜表面最顶层原子种类和排列状况。结果表明，BaTiO3薄膜表面最顶层TiO2原子平面，La1-xSnxMnO3薄膜的表面最顶层为MnO2原子平面。在此基础上，我们进一步在原子水平上探讨了薄膜的层状外延生长机理。

简介：分别测定了纯煤样和浸渍煤样的小角X射线散射，基于GBC理论假设，采用相关函数法计算了原位担载于两种烟煤上FeSO4的粒径分布，考察了助剂Na2S和尿素的添加对其粒径分布的影响，计算结果与XRD表征结果相似，FeSO4在两种煤样上的最可几粒径为4nm左右，分布范围为0．5－8nm，助剂对FeSO4粒径分布的影响较小，它们的添加主要是改变了催化剂前驱体的活性组成。

简介：用XPS和同步辐射技术研究了钙钛矿型氧化物La1-xSnxMnO3薄膜的电子结构。特别地，我们采用角分辨X－射线光电子谱技术（ARXPS），研究了薄膜表面最顶层原子种类和排列状况。结果表明，La1-xSnxMnO3薄膜的表面最顶层为MnO2原子平面。在此基础上，我们进一步在原子水平上探讨了薄膜的层状外延生长机理。

简介：利用同步辐射（BSRF）漫散射站四圆衍射仪，对SiC体单晶的结构进行了判定以及对利用常压化学气相沉积（APCVD）生长的3C－SiC/Si(001）中的孪晶及含量进行了分析。六方{10-15}极图证明了该SiC单晶为6H（H为Hexagonal的缩写）结构。对3C－SiC外延薄膜，Φ扫描证明了3C－SiC外延生长于Si衬底上，外延取向关系为：（001）3C－SiC//(001)Si,[111]3C-SiC//[111]Si。3C－SiC的{111}极图在x=15.8°出现了新的衍射，采用六方{10-10}极图以及基体倒格点111、孪晶倒格点002的Mapping分析了x=15.8°处产生的衍射为3C－SiC孪晶所致，并利用ω扫描估算了孪晶的含量约为1％。

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简介：利用北京同步辐射装置漫散射实验站的五圆衍射仪，建立了掠入射X射线衍射实验方法。对Si表面生长的Ge/Si量子点及其在Si表层产生的应变进行了成功测量，表明此方法可以有效地提取表面层的微弱信号。实验结果表明，Ge/Si量子点的形成除了在Si衬底表层形成了晶格具有横向膨胀应变的区域之外，还在Si衬底中形成了具有横向压缩应变的区域。

简介：小角X射线散射（SAXS）是一种有效的、重要的亚微结构分析手段。本文介绍了SAXS的基本原理、实验方法和数据处理方法尤其是对于非理想两相体系的解析方法及其在溶胶－凝胶法制备多孔材料研究中的应用。

简介：介绍了利用北京同步辐射实验室的全反射X射线荧光谱仪测量生物细胞样品的可行性。并用此谱仪测量了正常的和辐照的小白鼠小肠细胞的痕量元素含量，发现K、Ca、Fe等元素含量有明显的提高，Cu元素含量明显降低，Mn元素含量变化不大，Zn元素含量基本稳定，并讨论了其在临床医学上的重要价值。

简介：介绍了透射光栅在北京同步辐射装置3W1B光束线光源输出特性诊断中的应用，借助透射光栅进行了能量标定及分辨率的测量，并定性地给出了束线的高次谐波情况。

简介：

简介：完成了上海同步辐射装置医学应用光束线和实验站的物理设计，并开始了有关技术设计及其难点的初步考虑。采用一个磁场强度为1.8T、周期数为10的多极扭摆器为冠状动脉心血管造提供所需的强X光束；利用一块Laue弯晶Si(111)单色器可得到比所需大三倍、能量分别在碘吸收边上下的二束单色X光束；造影过程将通过病人座椅的扫描运动和一个双列线形探测器来实现。

简介：介绍了同步辐射微束X射线荧光分析的特点，主要的仪器设备和方法。介绍了在头发和病变组织中微量元素成分的扫描分析，细胞元素谱及其在外界物理、化学条件下的变化分析等。展示了同步辐射微束X射线荧光分析在生物医学研究中的广阔前景。

简介：本文介绍了同步辐射光源的特点，以及在应用于X射线形貌术时带来的各种好处。并通过介绍在北京同步辐射装置上所做的若干实验成果，扼要叙述了同步辐射X射线形貌术在晶体缺陷研究和晶体生长中的应用。

简介：X射线低角反射实验技术是测定固体材料表层中杂质原子深度分布的有效手段。利用同步辐射X射线反射技术和近年来发展的由反射实验数据逆向求解原子深度分布的分层逼近法，研究了不同温度下分子束外延生长的δ掺杂（Sb)Si晶体样品，成功地测量了样品中几个纳米范围内的Sb原子深度分布，所得结果表明，300℃以下是用分子束外延方法在Si晶体中生长Sb原子δ掺杂结构的合适温度。