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同步辐射X射线掠入射衍射实验技术及应用

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摘要利用北京同步辐射装置漫散射实验站的五圆衍射仪，建立了掠入射X射线衍射实验方法。对Si表面生长的Ge/Si量子点及其在Si表层产生的应变进行了成功测量，表明此方法可以有效地提取表面层的微弱信号。实验结果表明，Ge/Si量子点的形成除了在Si衬底表层形成了晶格具有横向膨胀应变的区域之外，还在Si衬底中形成了具有横向压缩应变的区域。

DOI 2d39lqm7d9/1434519

作者姜晓明;蒋最敏;等

机构地区不详

出处《同步辐射装置用户科技论文集》 2000年1期

关键词同步辐射 X射线实验技术应用掠入射衍射表层结构

分类 [核科学技术][核技术及应用]

出版日期 2000年01月11日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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