简介：介绍了纳米硅开关二极管的电特性及其应用。

简介：本文介绍了PPE树脂的改性途径及方法，PPE/玻纤布覆铜板的制作工艺，低介电常数（LGC-O46）和高介电常数两种类型的PPE/玻纤布基覆铜板的性能以及PPE/玻纤布基覆铜板的应用领域、国内外情况和发展方向。

简介：

简介：挪威太阳能大厂RenewableEnergyCorporationASA（RECASA）近日发布新闻稿宣布，由于硅晶圆现货市况持续趋疲，因此为了减少曝险程度，该公司决定在2012年第1季将将挪威Glomfjord单晶硅制造厂的产能暂时关闭50％。该厂的产能原本为300MW（百万瓦），预期产能降低将对65名员工造成影响。

简介：“在工厂制造方面,利德华福拥有二十年的生产制造经验,同时施耐德电气作为世界500强企业,二者强强联合,共同致力于打造敏捷的高压变频器智造中心。”在利德华福2018客户大会暨二十周年庆典上,利德华福工厂总监孙茂宽先生以精益生产为主题发表了演讲。

简介：

简介：利用核反应^30Si(n,γ）^31Si→β^-^31P，硅可以被掺磷。其电阻率被定在2-200Ω·cm之间的值，测得的电阻率分布情况表明，掺杂剂的宏观均匀分布。从二极管发射出的击穿辐射照片证明，这种硅还具有电阻率的微观起伏呈无条纹状分布的特点。用这种均匀掺杂硅制备的二极管和晶闸管具有400～5200V的电压阻断容量。

简介：日前，总投资7亿元的硅能蓄电池项目，在来安县正式签约。该项目由北京汇中基业投资管理有限公司投资建设，建成后可年产硅能蓄电池300万只，年销售额将达19．4亿元。硅能蓄电池是我国拥有自主知识产权的“环保、节能、高效”产品，2005年投放欧共体市场后广受欢迎。这种电池用硅能替代了传统电池中的铅酸，产品在生产、使用。

简介：我们祝贺第四届中国电力电子论坛暨2004电力半导体器件及其应用装置失效分析研讨会的召开!

简介：大量高新技术的电子信息产品需要高频聚四氟乙烯印制板，由于它的结构特殊，孔金属化非常困难。根据聚四氟乙烯印制板的结构，分析原因，改进工艺，在金属化孔前增加一道NH4HF2和HCl的前处理工序，从试验结果及化学反应原理上说明NH4HF2和HCl前处理的工艺配方、工艺条件及使用后的良好效果。

简介：韩国电子界日前成功开发出了使用光纤传输数据的电脑主板，其传输带宽比起传统的铜线主板有了“质”的提高，这一新技术的关键是在主板的环氧印刷电路板上嵌入了光纤和铜线。

简介：近几年来，印刷电路板的技术发展并无重大的突破，仅有应用领域的延伸，而经历过这一波金融风暴过后，台系PCB厂展现出绝佳的竞争力。迎接接下来的景气复口，未来PCB硬板市场的潜力产品将会锁定LED照明领域，同时HDI（高密度连结基板）的新兴应用以及利基性市场都值得期待。

简介：文章主要介绍转炉炼钢变频控制系统的设计与应用，叙述了转炉倾动、氧枪升降变频控制系统的原理和设计，投运后，系统稳定、可靠、效果良好。

简介：研究了掺CoO、Nb2O5、La2O3的SnO2基压敏陶瓷，用阻抗相角图表明了阻抗数据，结果表明，在所测的压敏陶瓷中，其晶粒边界处有不同的缺陷。主要的载流子是O′和O″。LaSn′的作用是促进O′和O″缺陷的形成，它对在晶粒边界区接触面处势垒的形成起了决定性作用。

简介：“该军用技术规范已获准用于国防部各部门和机构中。”

简介：评述了30年前第一批用中子嬗变掺杂硅单晶(即无条纹硅)制造高电压、大电流整流管和晶闸管的报道。由此介绍硅材料的中子嬗变掺杂技术原理、发展进程，指出NTD硅的实用化成为电力半导体器件向大电流(大直径)、高电压方向发展的一个重要突破口。

简介：一、目前废水回收利用百益无一害，利国利民利己，但是如果设计不专业，不把来水的水质弄清楚，设计出来的废水处理设备是不实用的。最後结果劳民伤财，处理成本让业主不能接受。

简介：GaN基功率器件技术正在快速发展，其应用已扩展到包括太阳能逆变器在内的更广阔的应用领域。由于固有的针对高、低压电能变换拓扑的可扩展性，并且其优值（FOM）较Si基器件有非常冠著的改善，GaN功率产品注定会埘未来高效光伏太阳能逆变器／变换器产生直接的影响。GaN基器件能降低每一级电能变换所带来的损耗，所以它将有助于增加收集到的总能量。将其与驱动集成电路和其它部件集成在一起，可以缩小系统尺寸，并推动大规模的商业化生产。本文介绍了GaN基功率技术的最新进展、未来产品路线的发展趋势，以及传统逆变器的和光伏微逆变器中AC／DC和DC／DC拓扑的实测结果和仿真实例。