简介：CMOS（ComplementaryMetalOxideSemiconductor）是一种互补金属氧化物半导体，是一种大规模应用于集成电路芯片制造的原料。在电脑中，CMOS是主板上的一块可读写的RAM芯片，用来保存BIOS的硬件配置和用户对某些参数的设置。CMOS可以由主板电池供电，即使系统掉电，信息也不会丢失。CMOSRAM本身只是一块存储器，只有数据保存功能。而对BIOS中各项参数的设置要通过专门的程序。

简介：SOICMOS技术在一些特殊应用领域中有着体硅无法比拟的优势。文中叙述采用SIMOX材料和0．8μmSOICMOS工艺加固技术成功研制出抗辐射性能较好的器件和电路，并且给出了SOICMOS器件的特性随辐照总剂量的变化关系，试验电路通过了总剂量500Krad（Si）钴60γ射线辐照实验．

简介：<正>为了防止病毒感染计算机房,一般不允许学生带自己的盘上机。要做到这一点,较好的办法是控制软盘驱动器的使用。去掉软驱硬接口,固然保险,但机房人员自己要用驱动器时,又要接上硬接口,不免麻烦,且经常插接,易损坏硬件,而改变cmos中对软盘的设置可方便地做到这一点。但目前对如何改变cmos口令方法,不少上机者已掌握,只要知道其中一种,就可对计算机的设置加以改变,从而造成大量病毒感染。

简介：佳能公司新开设了名为“TheWorldofCanonCMOSSensors”的专业网站，该网站从图像捕捉原因，生产工艺，全画幅表现及拍摄技巧等多个角度详细介绍了佳能的CMOS传感器。

简介：<正>据《PortableDesign》2008年第1-2期报道,意法半导体(STM)成功制造出采用CMOS45nm射频制造技术的功能芯片。这项尖端技术对下一代无线局域网(WLAN)应用产品至关重要。

简介：伴随着CMOS工艺技术的发展,CMOS电路已经成为VLSI制造中的主流,而CMOS器件特征尺寸的快速缩小和CMOS电路的广泛应用,使得CMOS电路中的latch-up效应引起的可靠性问题也越来越受到大家的重视。阐述了CMOS工艺中闩锁的概念、原理及其给电路的可靠性带来的严重后果,深入分析了产生闩锁效应的条件、触发方式,并针对所分析的闩锁原因从版图设计、工艺改良、电路应用三个方面提出了一些防闩锁的优化措施,以满足和提高CMOS电路的可靠性要求。

简介：

简介：我们知道windows98以前的系统，应用程序可以直接访问I／O端口。举个例子．当不知道CMOS密码时．我们可以在DOS下输入如下debug命令

简介：Lowpoweraddercircuits,SERF,10T-Ⅰ,10T-Ⅱ,10T-Ⅲandacomplementaryadder(28T)atphysicallayoutlevelareevaluated.Simulationsbasedontheextractedaddercircuitlayoutsareruntoassesshowvariouscircuitsetupscanimpactthespeedandpowerconsumption.Inaddition,impactsofoutputinvertersonthecircuitperformanceofmodifiedSERFand10Taddersduetothresholdlossproblemarealsoexamined.Differencesamongtheseaddersareaddressedandapplicationsoftheseaddersaresuggested.

简介：　　如今的安防行业用瞬息万变来形容绝不为过,作为泛产业化的代表,安防已然体现出集大成者的姿态.　　……

简介：Thispaperoptimizestheburiedchannelcharge-coupleddevice(BCCD)structurefabricatedbycomplementarymetaloxidesemiconductor(CMOS)technology.TheoptimizedBCCDhasadvantagesoflownoise,highintegrationandhighimagequality.Thechargetransferprocessshowsthatinterfacetraps,weakfringingfieldsandpotentialwellbetweenadjacentgatesallcausethedecreaseofchargetransferefficiency(CTE).CTEandwellcapacityaresimulatedwithdifferentoperatingvoltagesandgapsizes.CTEcanachieve99.999%andthewellcapacityreachesupto25000electronsforthegapsizeof130nmandthemaximumoperatingvoltageof3V.

简介：

简介：摘要：静电是造成CMOS电路芯片失效机理的主要因素之一，严重时还会引发电路自燃现象。因此，探讨ESD对于CMOS电路芯片保护而言存在一定的必要性。基于此，本文简单分析提升ESD保护能力的常用方式及保护原理，并深入探讨CMOS电路芯片ESD保护电路结构设计，以供参考。

简介：<正>在日前举行的"通用平台技术论坛"(CommonPlatformTechnologyForum)上,IBM公司与其技术联盟伙伴三星电子(SamsungElectronics)和GlobalFoundries共同探讨超越FinFET技术的半导体发展前景,看好可挠曲晶圆、CMOS持续微缩、双重曝光微影以及碳纳米管和硅光等下一代技术的最

简介：

简介：半导体技术得到进一步发展的同时，图像传感器的种类也更多。本文将近距离关注该技术的发展动向，包括谁在研发、推动，未来的发展动向和如何应用于安防行业，以及该技术在获取较大图片时的重要性。

简介：随着电子产业的技术进步和发展，光割技术及其应用已经远远超出了传统意义上的范畴，CMOS光刻市场几乎包括和覆盖了所有微细图形的传递、微细图形的加工和微细图形的形成过程。因此，未来光刻。技术的发展也是多元化的，应用领域的不同会有所不同。

简介：设计并讨论了一种新颖的完全基于CMOS静态逻辑反相器设计的数字控制振荡器DCO结构（Digitally-ControlledOscillator）,这种数字控制振荡器采用全数字电路构成,较之LC振荡器更加易于设计和制造,适合于高频高性能数字锁相环的应用。电路结构的仿真采用Spectre仿真器,基于STMicroelectronicsCMOS90nm工艺,在1.2V电源电压下实现了1GHz～6GHz的数控振荡频率变化范围,功耗为0.1mW～3mW,10MHz的频率偏移处的相位噪音约为-114dBc/Hz。

简介：虽然目前电脑已经进入64时代，但是在一些偏远落后地区，仍然有一些老式电脑在不同的工作岗位上发挥着余热，本文介绍一例老式电脑维修实例供同仁们借鉴。

简介：互补金属氧化物半导体(互补金属氧化物半导体)电压控制了戒指振荡器因为极端高频率(UHF)收音机频率鉴定(RFID)读者被认识到并且描绘。在宪章0.35m互补金属氧化物半导体过程制作了，全部的薄片尺寸是0.47