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69 个结果
  • 简介:回顾了平行系统理论的提出过程,总结了理论的具体内容,介绍了理论的发展和应用情况。通过分析抗辐射加固系统的特点,认为运用平行系统理论解决抗辐射性能评估难题在理论上是基本可行的。最后,提出了开展抗辐射性能评估平行试验需要重点研究的几个关键问题。

  • 标签: 复杂系统 平行系统理论 ACP方法 抗辐射性能评估
  • 简介:在“强光一号”上对BiMOS工艺运算放大器CA3140进行了瞬时电离辐射效应正交实验,研究了不同因素对CA3140输出端瞬时电离辐射扰动恢复时间的影响,得到了不同因素对恢复时间产生影响的主次顺序和显著水平,以及运算放大器在瞬时电离辐射环境下的最坏因素组合.

  • 标签: 正交设计 瞬时电离辐射效应 BIMOS 恢复时间
  • 简介:在Z-piirch实验中,研制了由闪烁体薄膜、光纤阵列、条纹相机等组成的同时具有时间分辨和一维空间分辨能力的Z-pinch等离子体X光辐射过程空间分布诊断装置,诊断装置沿垂直于负载轴向的方向观测等离子体X光辐射的时空分布。利用狭缝实现X光辐射区域的一维空间分辨成像,通过选择狭缝方向可选择测量X光辐射过程沿负载轴向或径向空间分布。

  • 标签: Z-pinch实验 X光辐射 空间分布 等离子体诊断
  • 简介:采用多陷阱的理论方法,模拟了不同剂量率辐照下MOS电容的总剂量效应,分析了氧化层空间电荷场效应与辐照剂量率的关系.研究了氧化层中浅能级陷阱、深能级陷阱对界面俘获电荷和半带电压的影响.研究结果表明,相对于高剂量率辐照,低剂量率在Si/SiO2界面附近俘获更多的空穴,导致产生更大的半带电压漂移;空间电荷场效应是由高、低剂量率辐射损伤差异造成的;浅能级陷阱俘获的空穴主要支配着氧化层电荷的传输特征,被深能级陷阱俘获的空穴是永久性的,是引起器件半带电压漂移的主要原因.

  • 标签: 半带电压漂移 低剂量率辐射损伤增强 MOS电容 总剂量
  • 简介:建立了等效基带模型的频域方法,分析了大口径反射面天线微波短脉冲辐射特性,理论推导了辐射场基带波形的重构方法。以Ku波段4.5m口径的单反射面天线为例进行仿真验证,重构出天线主瓣、3dB波束方向、第1,2,3旁瓣的辐射场基带波形。仿真结果表明:在主瓣和3dB波束方向辐射场波形与辐射源基带波形完全一致,但是第1,2,3旁瓣辐射场波形出现轻微畸变。

  • 标签: 大口径天线 微波短脉冲 信号重构
  • 简介:主要研究导弹高超声速飞行时弹头流场对自身红外导引头的辐射照度影响问题.建立导弹弹头及气动流场模型,划分计算流场网格、红外导引头镜面网格和辐射场计算网格.从辐射照度和亮度的理论公式开始,推导出适用于辐射网格的气体辐射积分式,并将流场网格数值插值到辐射场网格,求出各节点辐射值得到由导弹飞行状态确定的导弹头部流场气体辐射,积分到红外导引头的光学系统镜面处,求出对其红外导引头的光学系统镜面处的辐射照度.得出流场气体对导引头主镜面的辐射照度值的分布规律:主镜面中心最大,围绕主镜面中心成环形分布,沿着半径方向逐渐减小,随着Math数增大影响增加.

  • 标签: 数值计算 红外辐射 网格 辐射照度 高温气体
  • 简介:“第三届全国辐射物理学术交流会CRPS’2018”于2018年7月25日至28日在新疆伊宁召开。本次学术交流会由中国核学会辐射物理分会联合强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室以及国防科技工业抗辐照应用技术创新中心共同主办,中国科学院新疆理化技术研究所、中科院特殊环境功能材料与器件重点实验室以及新疆维吾尔自治区核学会联合承办,主题是推动辐射物理产、学、研、用融合发展。

  • 标签: 学术交流会 辐射物理 新疆维吾尔自治区 国家重点实验室 中国科学院 国防科技工业
  • 简介:红外探测器的研究与发展一直是红外物理与技术的发展核心课题,随着探测基本理论发展,军事红外侦察技术也产生更新换代的进步。这些都体现着基础理论的突破带来了工程技术的质的飞跃,体现了理论物理的基础地位。文章以红外探测历史为线过,探讨了军事红外侦察技术的四代历史与物理基础理论的关第。

  • 标签: 物理学理论 科技发展 热辐射探测理论 军事红外侦察技术 军事技术 红外探测器