简介：针对基于能量收集的无线传感器网络,研究了参数估计时功率分配问题。首先,在收集能量因果性限定条件下,为传感器节点在不同估计周期内功率分配建立系统模型,随时间进行多次估计,使得平均估计误差最小化;然后,建立了随机能量收集模型,并在未知估计周期内能量收集状况下,基于Lyapunov优化算法提出了不同周期内功率分配算法;最后,仿真结果表明该算法降低估计误差效果良好。

简介：应用一种双正激软关断电路，实现了某车载电源系统的24V／12A电源，给出了该电源的主功率变压器和谐振电容、谐振电感的设计，并给出了实际测量波形。

简介：<正>TriQuintSemiconductor公司的研究人员宣布制造出世界上最大功率的Si衬底AlGaN/GaNHEMT。这种器件10GHz下的连续波输出功率密度达到7W/mm。此结果表明,GaN/Si已发展到对中、大功率晶体管具有吸引力的水平,可望用于X波段功率MMIC甚至更高的频率。

简介：介绍一种利用推挽变换、倍压整流电路实现高压输出电源的设计方案．着重介绍了开关电源主电路、高压变压器以及可靠性热设计的具体方法，最后给出了设计的测试结果。

简介：

简介：全包封功率器件相对于半包封功率器件更容易达到安规要求,其需求出现了逐渐增加的趋势,但是全包封器件的分层问题一直困扰着业界。通过分层现状的调查,分析了分层存在的界面和产生原因,通过优化试验找到了解决分层最有效的措施是中大芯片表面缓冲层,从而使全包封功率器件的可靠性达到更高要求。

简介：

简介：对35micro-x封装的微波晶体管防自激老化电路的各部分功能进行了详细介绍,讨论了如何判定管子是否处于稳定工作状态的方法。通过在测试间里搭建老化电路,模拟实际老炼状态,使用红外热像仪测试壳温的方法,比较了不同散热条件下的壳温测试数据,得出了管子的壳温以及管帽和管底之间的温度差。试验证明：在管底使用铝块和导热硅胶相结合散热的方法,能解决35micro-x封装形式的低结温晶体管老化过程中的结温控制问题。

简介：<正>M/A-COM公司开发出PH1090-700B系列NPN共基极C类脉冲功率晶体管,设计用于1030MHz～1090MHz频带的中频频率和其它航空电子学用途。其32μs脉宽和2%占空因素时的峰值饱和输出功率超过700Wpk,50%集电极效率时的可保证增益为7.5dB;在严格的S模脉冲猝发条件下,器件的饱和输出

简介：提出了一种自行研制大功率脉宽调制放大器的设计方案。给出了大功率脉宽调制放大器的电路结构，同时给出了大功率脉宽调制放大器设计中的关键技术问题及解决方法。

简介：<正>宾夕法尼亚、MALVERN—2011年11月14日,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出新器件—SiZ300DT和SiZ910DT—以扩充用于低电压DC/DC转换器应用的PowerPAIR?家族双芯片不对称功率MOSFET。新器件扩大了该系列产品的电压和封装占位选项,使Vishay成为3mm×3mm、6mm×3.7mm和6mm×5mmPowerPAIR尺寸规格产品的独家供应商。

简介：本文在介绍Si功率半导体器件的发展历程及限制的基础上，结合具体器件介绍SiC功率半导体器件的优势，最后介绍SiC功率半导体器件的发展现状及前景。

简介：风能是一种没有污染可再生的绿色新能源，大力发展风能发电被认为是一种有效的环保措施，也是企业开展节能减排工作的一种重要手段。文章介绍了风力发电技术现状，小功率油田风网互补智能供电系统组成、工作原理、主要功能以及油田生产现场的应用情况，分析了该技术应用效益。实践证明，该风电技术应用效果良好，具有很好的推广应用价值。

简介：随着台达变频器功率的不断扩大，以及产业机械行业OEM客户配套市场的成熟，台达开始推出大功率的变频器，意在推动台达产品在工程项目中的使用。2006年初，台达正式推出风机水泵型F系列132kW～220kW的大功率变频器。

简介：GOLDMUND的新产品Telos400单声道功率放大器的价格定位处于同门的Mimesis18．4和Telos600放大器之间，其电路结构与Telos600相同，但外观却如长胖了的Mimesis18．4，可以说Telos400是两者的组合。

简介：本文通过对同一台电动机先后出现的故障进行故障诊断及振动分析，针对振动形式类似的故障，分别采用不同的诊断手段予以辨别和区分，最终诊断出此电动机出现的基础薄弱、电气故障、滚动轴承损坏三种故障，并总结了这三种觉故障的振动牲及诊断分析方法和技巧。

简介：基于AlGaN/GaNHEMT工艺制作了大栅宽GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）管芯,通过负载牵引及建模技术提取了管芯的输入阻抗、输出阻抗。设计中首先通过L-C网络提升了管芯的输入阻抗、输出阻抗,并通过微带多节阻抗变换器实现了宽带功率分配器及合成器电路的制作,同时还加入了稳定网络,最终实现了50Ω输入输出阻抗匹配。该大功率GaNHEMT内匹配器件采用四胞管芯功率合成技术,总栅宽为4×16mm。在50V漏电压、1ms周期、10%占空比的测试条件下及5.3~5.9GHz频率范围内,输出功率均高于56dBm,最高达到56.5dBm,功率增益均大于12dB,带内功率附加效率超过48.2%。

简介：英飞凌科技股份公司壮大现有的CoolMOS技术产品阵容，推出600VCoolMOSP7和600VCoolMOSC7Gold（G7）系列。这两个产品系列的击穿电压高达600V，具备更出色的超结MOSFET性能。它们可在目标应用中实现非常出色的功率密度。

简介：传统射频LDMOS晶体管的源区采用重掺杂p＋sinker结构,该结构会占据较大的芯片面积。文中采用槽型sinker结构,可将源区sinker面积减少1/3以上。通过流片实验,得到饱和电流为170mA/mm、击穿电压120V、截止频率和最大振荡频率分别为5.5GHz和10GHz的RFLDMOS器件。在50V工作电压、1090MHz频点下栅宽345mm单芯片器件的最大输出功率362W,功率增益15.6dB,漏极效率38.1%。

简介：