简介：

简介：为X乐队和8单位的一根真时间的延期线的系统分阶段执行数组天线被介绍。与piezotranslator(PZT)改变一个chirp栅栏的长度，可变延期被获得。计划被用于X乐队谁的分阶段执行的数组雷达寻找数据率是56/s。倾向的横梁被实时延期的错误影响，这被模仿。在beamforming模式和它的修改伏特之间的关系被讨论。

简介：在1996年8月我开始接触Moc的时候．学的第一个软件就是Freehond3.1A,当时Freehand3.1A是为数不多能排中文的DTP应用软件之一．在那之后的Freehand5.0／8.0／9.0／10,我和Freehand就再没分开过．

简介：今年下半年，苹果新一代操作系统MacOSXv10.3Panther将正式登上Macintosh的舞台。这将是一件你绝不愿意错过的精品。无论你使用的什么型号的Mac机，无论你从事什么行业，Panther都会令你的Mac更加强大，今天我们就先睹为快，提前与大家分享一下这款新品的精彩种种。

简介：Anautomaticdependentsurveillancebroadcast(ADS-B)systemhasserioussecurityproblems,andthedatacanbespoofedduringbroadcastingprecisepositioninformationofaircraft.AsolutionoftheADS-Bsystemdataauthenticationbasedontheellipticcurvecipher(ECC)andX.509certificateisproposed.ItcanavoidthekeydistributionproblembyusingthesymmetrickeyalgorithmandpreventtheADS-Bdatafrombeingspoofedthoroughly.ExperimentaltestresultsshowthatthesolutionisvalidandappropriateinADS-Buniversalaccesstransceiver(UAT)mode.

简介：我们建议一个新方法执行极端高速度所有光remotecontrolledX--也不在由利用亢奋的正割的相互作用的很长的距离的逻辑操作光soliton脉搏(HOSP)。实现如此的逻辑操作，维持一个特别条件的三HOSP被介绍进他们与对方一起交往的光纤维。他们中的二个与另外的HOSP的不变的被触发带逻辑操作的输入。

简介：阐述了一种对机载AESA雷达X波段干扰机设计,采用并行发射双波束相控阵体制,可以快速灵活实现不同频率、不同带宽、不同指向空间双干扰波束。工作频段X波段,瞬时带宽1GHz,工作带宽4GHz,连续波工作,等效辐射功率在43dBW。干扰激励2路,各自经延时放大、功率分配成32路送波控移相控制,再混合后送32路路发射通道功率放大输出天线阵面;天线阵面采用4×32斜极化微带振子组成一维相控阵,辐射至空间形成需要干扰波束。双波束工作干扰模式不同,工作频率不同,波束指向不同,可以方便实现对空间双目标同时进行欺骗式干扰和压制干扰。

简介：Theopticalparametersforthreesamplesofintrinsic,dopedSianddopedMg（AlxGa1-x)yIn1-yPpreparedbytheMOCVDonGaAssubstrateweremeasuredbyusingellipsometryandwerecalculatedbythetwo-layerabsorptionfilmmodel.Theresultsobtainedwerediscussed.Thegrownratesandthicknessofoxidiclayerontheintrinsic（AlxGa1-x)yIn1-yPsurfaceexposedintheatmospherewerestudied.Alineardependenceofoxidiclayerthicknessonthetimewasobtained.

简介：本文采用GaN功率管芯,以S参数为基础设计了一个X波段宽带功率放大器,并与实测数据进行了对比。结果表明该电路在6~12GHz范围内,小信号增益全频段大于10dB,饱和输出功率高于37dBm,带内增益波动小于1dB。

简介：RamanscatteringspectroscopyisappliedtoinvestigatethephononmodesinGaxIn1-xP(x=0.52)and(AlxGa1-x)0.51In0.49P(x=0.29)alloys.Two-modebehaviorinGaxIn1-xPandthree-modebehaviorin(AlxGa1-x)0.51In0.49Pareobserved.InorderedGaxIn1-xP,weclearlydistinguishtheTO1(GaP-like)modeandthesplittingofLO1(GaP-like)andLO2(InP-like)modes,whichisbelievedtobetheresultofsuperlatticeeffectofordering,andtheLO1+LO2mode,whichisobservedforthefirsttime.Inadditiontotheb/aratio,it'sfoundthattherelativeintensityoftheFLAandtheLO1+LO2modesalsocorrespondstothedegreeoforder.TheTO1andthesplittingofLO1andLO2devotetogethertothereductionofthe'valleydepth'.In(AlxGa1-x)0.51In0.49P,thedoublingofFLAisobserved.DuetotheinfluenceofAlcomposition,theGaP-likeLOmodebecomesashoulderoftheInP-likeLOmode.TheunresolvedRamanspectraindicatetheexistenceoforderedstructurein(AlxGa1-x)0.51In0.49Palloys.

简介：<正>安森美推出全新重要的NCS3651x系列系统单芯片(SoC)收发器,支持高性能、可靠及高效通信,用于物联网(IoT)及智能电表应用。NCS3651x系列以安森美半导体的高集成度混合信号集成器件技术和射频(RF)设计的专知开发。公司更是ZigBee联盟的活跃会员。NCS3651x属于2.4兆赫(GHz)极低功率无线收发器系列,基于IEEE

简介：对于大多数的用户而言，Mac电脑在被按下启动按钮直到进入MacOSX的用户会话界面，展现在用户面前的只有一个简单的进展条和一些令人迷惑和充满期待的系统启动画面。而在这一下，Mac电脑究竟经历了一些怎么样的变化，MacOSX操作系统又究竟在进行一项怎么样的工作，我们将在下面的文章中试图解释这一问题。

简介：富士施乐（中国）有限公司打印机渠道部在京举办了主题为“X纵横”的战略暨新品发布会，宣布了继续以渠道为中心的新财年战略，并推出四款功能强大和性价比更佳的打印机新产品，其中包括包括：每分钟35页的高速A3黑白网络激光打印机DocuPrint3055：秉承富士施乐A3激打引擎技术．综合配置更强大的主流A3黑白网络激光打印机DocuPrint2065j标配双面打印、内置网卡、PS套件。

简介：KIC宣布新型ProBot于2012年10月正式开始装运。ProBot可自动确认每件印刷电路板在回流焊炉中的处理是否符合规格。疑似有缺陷的印刷电路板然后可被送至批次性X射线检测系统。因为通常的批次X射线机仅可检测少量组装的印刷电路板，ProBoL则可进行更有效的抽样。

简介：摘要在科技迅速发展的时代，信息技术在幼儿园教育教学中的应用越来越广泛。教育部于2014年5月27日颁布了《中小学教师信息技术应用能力标准（试行）》，该标准对中小学（幼儿园）教师在教育教学和专业发展中应用信息技术提出了基本要求和发展性要求。要求强化教师利用信息技术进行讲解、启发、示范、指导、评价等教学活动应具备的能力，针对教师在具备网络学习环境或相应设备的条件下，利用信息技术支持学生开展自主、合作、探究等学习活动所应具有的能力。促进信息技术与教育教学的深度融合。

简介：UsingdoublecrystalX-raysdiffraction(DCXRD)andatomicforcemicroscopy(AFM),theresultsofGexSi1-xgrownUHV/CVDfromSi2H6andSiH4areanalyzedandcompared.Adsorbatescanmigratetotheenergy-favoringpositionduetotheslowgrowthratefromSiH4.Inthiscase,aSibufferthatisolatestheeffectofsubstrateonepilayercouldnotbegrown,whichresultsinapitpenetratingintoepilayerandbuffer.TheFWHMis0.055°inDCXRDfromSiH4.Thepresenceofdiffractionfringesisanindicationofanexcellentcrystallinequality,TheroughnessofthesurfaceisimprovedifgrownbySi2H6:however,thecrystalqualityoftheGex2Si1-xmaterialbecameworsethanthatfromSiH4duetomuchlargergrowthratefromSi2H6.ThecontentofGeisobtainedfromDCXRD,whichindicatesthegrowthratefromSi2H6islargest,thenGeH4andthatfromSiH4isleast.