简介:提出了一种积累型槽栅超势垒二极管,该二极管采用N型积累型MOSFET,通过MOSFET的体效应作用降低二极管势垒。当外加很小的正向电压时,在N+区下方以及栅氧化层和N-区界面处形成电子积累的薄层,形成电子电流,进一步降低二极管正向压降;随着外加电压增大,P+区、N-外延区和N+衬底构成的PIN二极管开启,提供大电流。反向阻断时,MOSFET截止,PN结快速耗尽,利用反偏PN结来承担反向耐压。N型积累型MOSFET沟道长度由N+区和N外延区间的N-区长度决定。仿真结果表明,在相同外延层厚度和浓度下,该结构器件的开启电压约为0.23V,远低于普通PIN二极管的开启电压,较肖特基二极管的开启电压降低约30%,泄漏电流比肖特基二极管小近50倍。
简介:摘要:由于现代城市的高速发展,城市对隧道功能性的需求日渐丰富的,除地铁隧道、铁路隧道、公路隧道等常规隧道外,电力、管路、排水的专用隧道的建设也与日俱增,该类隧道无交通工具行驶需求,在设计时以施工的经济、便捷为主,结合目前城市地下空间的日益复杂,“大坡度”、“小半径”等特点成了该类隧道的“设计标配”,这对盾构施工(尤其是土压平衡式盾构)的水平运输管理来说无疑是全新挑战,因此在施工条件下降的情况下管理规范的提升显得尤为重要。
简介:摘要现代铝工业将以高产率、高质量、高寿命及低能耗、低污染为发展目标,以大型预焙阳极电解槽为发展方向。目前,我国新、改、扩建铝厂几乎均采用大型预焙槽,因为大型阳极预焙电解槽具有产量大、电流效率高、自动化程度高,并配有烟气、粉末回收净化装置,环保性能好,对人体危害小等优点,成为国家目前大力推广使用的一种大型铝冶炼设备。而中、小型电解槽因能耗高、产率低、对环境污染大、对人体危害大,将逐渐被替代。因此,认真总结、研究大型阳极预焙电解槽槽壳施工工艺技术已成为必要。