简介:针对抗辐照SOIPMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明:埋氧化层离子注入后,器件背栅阈值电压由-43.39V变为-39.2V,空穴有效迁移率由127.37cm2/Vs降低为80.45cm2/Vs,亚阈摆幅由1.35V/dec增长为1.69V/dec;结合背栅阈值电压与亚阈摆幅的变化,提取得到埋氧化层内电子陷阱与背栅界面态数量的变化。随后,分析器件沟道电流噪声功率谱密度随频率、沟道电流的变化,提取γ因子与平带电压噪声功率谱密度,由此计算得到背栅界面附近的缺陷态密度。基于电荷隧穿机制,提取离子注入前后埋氧化层内陷阱态随空间分布的变化。最后,基于迁移率随机涨落机制,提取得到离子注入前后PMOS器件的平均霍格因子由6.19×10-5增长为2.07×10-2,这表明离子注入后器件背栅界面本征电性能与应力稳定性将变差。
简介:信息技术对改进公司治理的作用所有权和经营权实现分离,委托-代理关系由此产生,由于委托人(所有者)和代理人(经营者)是不同的利益主体,二者之间潜在地存在着激励不相容.而且代理人(经营者)拥有关于其自身知识、才能、掌握的机遇和努力程度等的私人信息,这都很难为委托人(所有者)所观察和监督,而理性的代理人(经营者)又具有偷懒和机会主义动机,因而在委托人(所有者)与代理人(经营者)相比处于信息劣势的情况下,必然有代理成本或激励问题的产生.为了解决现代公司中广泛存在的委托-代理问题,就必须有公司治理的制度安排,使代理成本最小化,提高企业的经营绩效.而这种制度安排需要通过对公司重要信息有效的传递、鉴别和处理来实现.
简介:随着人工智能应用领域不断拓展,对经济社会的影响也伴随而来。人工智能与互联网等科技既有相同也有不同,其难以预测、难以解释的特点可能引发较大的社会治理问题,需要提前订立规则,尤其是在产品界定和准入、算法歧视、产品责任、隐私保护等方面。目前,各国均高度重视人工智能治理问题的重要性,不仅纷纷出台国家战略和报告,还在自动驾驶、智能投顾等领域加快了治理规则的探索。我国也于2017年7月发布了《新一代人工智能发展规划》,特别指出了人工智能技术的发展对法律、伦理、隐私、国际规则等方面的影响,提出了重点任务和3个阶段的发展目标。关于人工智能的治理,笔者建议监管者、企业和用户应保持头脑冷静,聚焦真正由人工智能技术带来的治理问题,根据技术发展阶段和路线确定治理思路,加强对经济社会影响的评估,解决当前发展面临最为急迫的障碍,同步考虑未来可能出现的前瞻性问题。