简介:摘要:为改善某空调室外机低频噪声问题。通过室外机及压缩机试验与仿真分析,定位其产生原因是压缩机分液器摆动模态被激发共振,并通过“分液器—吸气管路—面板”路径振动传递所引起。通过灵敏度仿真分析,研究了不同结构参数对该阶模态的影响。最后,通过优化压缩机分液器支架提升了该阶模态频率以避免被激发。使用该方案后,压缩机单机振动峰值降低约30m/s2,室外机低频噪声峰值降低约13dBA,听感改善明显。
简介:目的观察高强度低频噪声对听力及耳蜗的影响.方法听力正常豚鼠,体重在250~300g之间,经强度为130dBSPL中心频率在100Hz的窄带噪声持续爆震4小时,分别于即刻、震后1天,作脑干诱发电位检测,以及耳蜗形态学观察.结果经130dBSPL强噪声暴露后,豚鼠听力有20dB左右的暂时性阈移产生.1天后,听力有所恢复,但听阈仍然高于正常.耳蜗形态学观察到,强噪声暴露后,耳蜗毛细胞虽未有损伤的表现,但凋亡前期蛋白Caspase3已经出现.结论高强度的低频噪声能产生暂时性阈移和永久性阈移,但可部分恢复.噪声对耳蜗毛细胞短期虽未观察有明确的损伤,但却开启了凋亡的程序.
简介:针对抗辐照SOIPMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明:埋氧化层离子注入后,器件背栅阈值电压由-43.39V变为-39.2V,空穴有效迁移率由127.37cm2/Vs降低为80.45cm2/Vs,亚阈摆幅由1.35V/dec增长为1.69V/dec;结合背栅阈值电压与亚阈摆幅的变化,提取得到埋氧化层内电子陷阱与背栅界面态数量的变化。随后,分析器件沟道电流噪声功率谱密度随频率、沟道电流的变化,提取γ因子与平带电压噪声功率谱密度,由此计算得到背栅界面附近的缺陷态密度。基于电荷隧穿机制,提取离子注入前后埋氧化层内陷阱态随空间分布的变化。最后,基于迁移率随机涨落机制,提取得到离子注入前后PMOS器件的平均霍格因子由6.19×10-5增长为2.07×10-2,这表明离子注入后器件背栅界面本征电性能与应力稳定性将变差。