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一款低噪声CMOS运算放大器的改进与设计

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摘要采用台积电（TSMC）0．1gum标准RFCMOS工艺进行仿真验证；改进了器件的噪声模型，给出了在功耗和阻抗匹配条件下噪声性能优化的设计方法。在遵守模拟电路设计的八边形法则的基础上，对参数进行折衷考虑（trade—o国和整体优化处理。仿真结果表明，此运算放大器的各项主要参数均满足预期要求，性能优异。

DOI kd2166vxj6/1168638

作者郭虎

机构地区不详

出处《电脑与电信》 2012年9期

关键词低噪声放大器共源共栅密勒效应补偿电容

分类 [电子电信][通信与信息系统]

出版日期 2012年09月19日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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电脑与电信

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