简介：在研发一套基于0．18μm工艺的全新半导体芯片时，由于芯片工艺的要求我们将标准0．18μm工艺流程中的接触孔蚀刻阻挡层由原来的UVSIN＋SION改为SIN，但却引进了PID（等离子体损伤）的问题。当芯片的关键尺寸减小到0．18μm时，栅氧化层变得更薄，对等离子体的损伤也变得更加敏感。所以如何改善PID也成为这款芯片能否成功量产的重要攻坚对象。这一失效来源于接触孔阻挡层的改变，于是将改善PID的重点放在接触孔蚀刻阻挡层之后即后段工艺上。后段的通孔蚀刻及钝化层的高密度等离子体淀积会产生较严重的等离子体损伤，因此如何改善这两步工艺以减少等离子体损伤便成为重中之重。文中通过实验验证了关闭通孔过蚀刻中的磁场以及减小钝化层的高密度等离子体淀积中的溅射刻蚀功率可以有效改善芯片的等离子体损伤。通过这两处的工艺优化，使得PID处于可控范围内，保证了量产的芯片质量。

简介：<正>日本产业技术综合研究所日前发布消息说,他们通过自行开发的"大容量高纯度臭氧发生装置"生产出浓度高于90%的臭氧,并成功使用这种超高浓度的气体在400摄氏度较低温环境下制造出高品质的硅氧化膜。

简介：四川长虹公告称，该公司旗下的等离子（PDP）显示屏及模组项目一期工程建设已全部完成，2009年1月进入批量试产，计划3月份正式量产。受去年四川汶川地震等综合因素影响，四川长虹推迟了PDP屏项目的量产时间。公告还表示，四川长虹去年发行分离交易的可转换公司债券募资之后，两次向负责运营PDP屏项目的四川虹欧显示器件有限公司（下“四川虹欧”）增资共4亿元，目前四川虹欧的注册资本约为3．5亿美元、实收资本为2．75亿美元，四川长虹控股50．94％。现在四川虹欧PDP项目设备安装已全部结束，已小批量试产多品种的高清屏模组和全高清屏模组。

简介：本文用光荧光(PL)方法研究了磷离子注入具有两个不同发射波长的InGaAsP/InP双量子阱结构引起的混合.注入能量为120keV,剂量范围为1×1011-1×1014/cm2.注入后,在高纯氮保护下,样品在700℃进行快速热退火30秒.实验结果表明,小剂量注入(～1011/cm2)能较好地诱导近表面阱的混合,且两个阱保持了不同发射波长,说明离子注入诱导量子阱混合与注入深度有关.大剂量注入(>1012/cm2)时,发射波长为1.59μm量子阱混合的程度(蓝移值大于130nm)超过了1.52μm量子阱混合的程度,且两个阱的PL发射峰基本上合并成一个单峰.

简介：评估了使用深反应离子刻蚀工艺来进行晶圆的切割,用于替代传统的刀片机械切割方式。结果表明,使用深反应离子刻蚀工艺,晶圆划片道内的硅通过等离子化学反应生成气态副产物被去除,从而避免了芯片侧面的机械损伤。切割后整个晶圆没有出现颗粒沾污,芯片边缘没有崩角以及开裂等损伤。该工艺还可以适用于更窄的划片道切割要求。

简介：介绍厚膜混合集成电路的制造工艺,特点以及它在几种电子产品中的应用

简介：电路板品质允收规格IPC-A-600G出版日期：2004年11月本文件手册系针对电路板的内部或外部观察所得，就其理想．允收与不合格等情况而加以说明．本手册亦遵循IPC-6010系列与ANSI/JSTD-003等，不同电路板成文规范所宣示之各种起码品质要求者，担任一种目视解说的角色．

简介：摘要：农产品质量安全检验检测工作是保障农产品质量的重要手段。目前，县级农产品质量安全检验检测工作存在的主要问题在于体系不健全、技术不全面等。针对以上问题全面明确农产品质量安全检验检测细则并搭建有效的检验监测体系，对于加强农产品安全质量有着重要作用。当前县级农产品质量安全检验检测的研究多是对质量安全的一般性分析，缺乏对体系以及整体承建程序的科学制定。本文分析了农产品质量安全检验检测存在的主要问题，并针对性地提出了优化建议。

简介：<正>美国佐治亚理工学院(GeorgiaInstituteofTechnology)宣布,开发出了特性几乎不会劣化的有机FET。可在大气且低温的环境中制造,有望为柔性有机电子,比如有机类太阳能电池、RFID、有机EL的实用化做出巨大贡献。进行开发的是佐治亚理工学院电子与计算机工程系教授BernardKippelen

简介：为了让用户了解爱普生微压电打印技术的优势．爱普生（中国）有限公司在业界率先隆重推出“爱昔生喷墨打印头非耗材，以一挡百高品质”的打印头2年保修承诺的服务升级大行动。活动自2005年3月1日起至6月30日止，凡在此期间购买EpsonStylusPRO7600/9600/10600任意一款大幅画打印机，并在购机后第一年内从爱普生认证经销商处购买与机器型号相对应的爱普生正品墨盒30支以上，

简介：针对抗辐照SOIPMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明：埋氧化层离子注入后,器件背栅阈值电压由-43.39V变为-39.2V,空穴有效迁移率由127.37cm2/Vs降低为80.45cm2/Vs,亚阈摆幅由1.35V/dec增长为1.69V/dec;结合背栅阈值电压与亚阈摆幅的变化,提取得到埋氧化层内电子陷阱与背栅界面态数量的变化。随后,分析器件沟道电流噪声功率谱密度随频率、沟道电流的变化,提取γ因子与平带电压噪声功率谱密度,由此计算得到背栅界面附近的缺陷态密度。基于电荷隧穿机制,提取离子注入前后埋氧化层内陷阱态随空间分布的变化。最后,基于迁移率随机涨落机制,提取得到离子注入前后PMOS器件的平均霍格因子由6.19×10-5增长为2.07×10-2,这表明离子注入后器件背栅界面本征电性能与应力稳定性将变差。

简介：提出了一种利用微波谐振器散射参数的幅度信息测量无载品质因素的方法。该方法认为在谐振点附近，耦合电路的参数和谐振器的参数相比可以忽略，因此采用简化的等效电路模型，利用谐振点附近的标量散射参数测量值来计算无载品质因素。为了消除散射参数曲线左右不对称所产生的影响，不采用散射曲线上独立的点来计算，而是采用带宽来计算。选取无载品质因素曲线平缓部分进行平均作为测量结果，测量精度接近临界点法。

简介：罗德岛州北金斯敦（N．KINGSTOWN，RhodeIsland）2010年3月3日，富士胶片电子材料公司已被评选为英特尔2009年度的16个最佳品质供应商（PQS）之一。富土胶片为英特尔的半导体芯片制造提供先进的化学材料和设备，为英特尔公司的成功作出了贡献。

简介：富士胶片电子材料公司已被评选为英特尔2009年度的16个最佳品质供应商（PQS）之一。富士胶片为英特尔的半导体芯片制造提供先进的化学材料和设备，为英特尔公司的成功作出了贡献。

简介：<正>Vishay发布新的通过AEC-Q200认证的25W厚膜功率电阻—DT025,它采用小尺寸、表面贴装TO-252型(DPAK)封装。对于汽车、工业和国防应用,VishaySferniceDT025比前一代方案节省更多空间,在PCB上的耗散功率则达到3W以上,阻值范围较宽。DT025是无感器件,阻值从0.016Ω到700kΩ,其外形尺寸为8.2mm×7.3mm的面积和2.8mm的厚度,在DPAK封装内能承受比竞争元器件多10倍

简介：srzn2（PO4）2：在大气中的高温固相反应合成Sm3＋荧光粉。srzn2（PO4）2：Sm3＋荧光粉是通过紫外光有效激发（UV）和蓝色光，和发射峰被分配到2-6h54G5//2过渡（563nm），2-6h74G5//2（597nm和605nm）和2-6h94G5//2（644nm和653nm）。对srzn2发射强度（PO4）2：Sm3＋的Sm3＋浓度的影响，其浓度猝灭效应srzn2（PO4）2：钐也观察到。当掺杂离子（=Li，Na和K）离子的发光强度，srzn2（PO4）2：Sm3＋可以明显增强。在国际照明委员会（CIE）的srzn2色坐标（PO4）2：Sm3＋定位在橙红色的区域。结果表明，该荧光粉具有潜在的应用在白光发光二极管（LED）。

简介：摘要：本研究旨在探讨钢铁企业产品质量管理信息系统的研究与开发。通过分析钢铁企业质量管理现状以及存在的问题，本研究提出了信息化解决方案的需求。在此基础上，我们设计了一个综合的产品质量管理信息系统，包括质量数据采集、分析和预警等功能。通过系统的应用，可以实现质量数据的实时采集和分析，提升质量管理的效率和准确性，进而提高钢铁企业的竞争力。

简介：2003年4月16日,在北京市西城区城中园宾馆召开的“中国清洗行业实施“中国洗净”标志研讨会上,记者有幸和上海明兴开城超音波科技有限公司副总经理钟建成先生有一席长谈,在教育系统供职多年的经历给钟经理烙下了浓浓的书卷气,但给记者留下更深印象的却是钟经理选拔人才的标准,在此愿意写出来与清洗系统年轻的从业者共享。记者(以下简称记):钟经理,您好！据说贵公司现在有诸多国内