简介：关的全流程设备带来了专业影视前、后期相换制作系统、强氧新媒体方案、强氧集群GPU超级工作站、215K电影摄影机等-系列全新面世的重量级产品，并邀请了BMD、TheFoundry,Nidia、Adobe等国外众多专家开展现场培训、交流。展会现场有多种前期设备例如REDEPlC双机翊本3D拍摄系统、SONY机筹。

简介：概述了基于新概念的环氧-硅复合树脂的开发，并证实了传统FR-5基材的制造工艺可以适用于环氧-硅复合树脂的覆铜箔板制造。

简介：基于终端客户在产品应用面对信赖性及可靠性要求越来越高的情况,开发出一种绿色环保环氧塑封料EMC-GTR,满足高导热及高可靠封装要求,用其封装的器件通过了AEC-Q101-REV-C《基于离散半导体元件应力测试认证的失效机理》考核。

简介：问：承安铜业目前是PCB专用阳极铜生产企业之一,请您介绍一下承安铜业20年多来的成长历史。在这里我粗略介绍一下吧,到今天为止我们走过了26个年头,确实不容易。上世纪90年代初,中国的PCB产业还处于起步阶段,电镀所用的磷铜阳极全部由境外高价进口。广东省西江电子铜材有限公司于1994年正式成立并量产,引进美国WESTERN公司先进的生产技术、生产设备及检测设备,开创国内生产磷铜阳极的先河,并依靠优良的品质、合理的价格迅速赢得市场的青睐。

简介：针对抗辐照SOIPMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明：埋氧化层离子注入后,器件背栅阈值电压由-43.39V变为-39.2V,空穴有效迁移率由127.37cm2/Vs降低为80.45cm2/Vs,亚阈摆幅由1.35V/dec增长为1.69V/dec;结合背栅阈值电压与亚阈摆幅的变化,提取得到埋氧化层内电子陷阱与背栅界面态数量的变化。随后,分析器件沟道电流噪声功率谱密度随频率、沟道电流的变化,提取γ因子与平带电压噪声功率谱密度,由此计算得到背栅界面附近的缺陷态密度。基于电荷隧穿机制,提取离子注入前后埋氧化层内陷阱态随空间分布的变化。最后,基于迁移率随机涨落机制,提取得到离子注入前后PMOS器件的平均霍格因子由6.19×10-5增长为2.07×10-2,这表明离子注入后器件背栅界面本征电性能与应力稳定性将变差。

简介：VR,在2016年犹如“洪荒之力”席卷而来,在BIRTV2016展会上也出现了不少VR技术和产品,但VR究竟只是概念和虚火,还是真正代表了视频应用未来的方向之一呢？本刊专访了北京强氧科技发展有限公司CEO钱怀宇先生,探究关于VR在专业视频应用领域的发展。