简介：研究目的：研究双盘双跨转子/轴承/汽封系统在非线性油膜力和非线性汽封力共同作用下的动力学特性，分析了转子转速、密封力、油膜力和联轴器刚度等因素对转子稳定性的影响。创新要点：采用Hamilton原理和有限元方法建立双盘双跨转子/轴承/汽封系统模型，使得双跨多节点的转子系统数值求解更加容易。研究分析转子转速、非线性密封力、非线性油膜力和联轴器刚度等因素对转子稳定性的影响，为大型转子系统的设计提供理论基础。研究方法：采用Hamilton原理和有限元方法建立双盘双跨转子/轴承/汽封系统模型（图1和2）。应用四阶Runge-Kutta法进行数值求解，并采用轴承处、圆盘处的分岔图、时程图、庞加莱映射图、频率图和相轨迹图等来分析转子系统的动态特性。重要结论：1.通过数值计算分析，转子的转速、非线性汽封力、非线性油膜力和联轴器的刚度对双跨转子的稳定性有重要的影响作用。2.随着转速的上升，双跨转子系统从最初的稳定运动，到三倍周期运动，到准周期运动和多倍周期运动交替出现，运动特性相比单跨转子系统要更为复杂。

简介：采用多陷阱的理论方法,模拟了不同剂量率辐照下MOS电容的总剂量效应,分析了氧化层空间电荷场效应与辐照剂量率的关系.研究了氧化层中浅能级陷阱、深能级陷阱对界面俘获电荷和半带电压的影响.研究结果表明,相对于高剂量率辐照,低剂量率在Si/SiO2界面附近俘获更多的空穴,导致产生更大的半带电压漂移;空间电荷场效应是由高、低剂量率辐射损伤差异造成的;浅能级陷阱俘获的空穴主要支配着氧化层电荷的传输特征,被深能级陷阱俘获的空穴是永久性的,是引起器件半带电压漂移的主要原因.

简介：在外加注入信号的速调型相对论返波管的基础上,通过在注入腔和谐振反射器之间插入两个预调制腔,提出了一种带双预调制腔的速调型相对论返波管.双预调制腔实现了对电子束的预调制,增加了电子束在双间隙提取腔内的一次谐波电流幅度.与外加注入信号的速调型相对论返波管相比,功率转换效率从48％提高到57％,控制10GW输出微波相位所需的注入信号功率从10MW减少到0.8MW,注入口的泄露功率从120MW缩小到35MW.

简介：利用10MeV质子对130nm部分耗尽SOIMOS器件进行辐照,测试了在不同辐照吸收剂量下,器件的辐射诱导泄漏电流和栅氧经时击穿寿命等参数,分析了质子辐照对器件TDDB可靠性的影响.结果表明：质子辐照器件时,在Si-SiO2界面产生的界面陷阱电荷,增加了电子跃迁的势鱼高度,减少了电荷向栅极的注入,减小了器件的RILC,增加了器件的TDDB寿命.

简介：利用同步辐射X射线形貌术研究晶体缺陷．是近年来发展起来的一种优良的实验方法．本文在研究LNP等晶体缺陷的同时，对这种实验方法进行了系统的探讨，讨论了散射光的消除、焦距的选择、样品的透明度与厚度、曝光的时间、底片的冲洗答问题．以及在缺陷研究中对晶体衍射的劳厄斑点的选取依据．

简介：摘要：双端激光雷达用于大气探测实验时，所测散射信号包括单次和多次散射信号，其中大气反演基于单次散射信号。本文利用单次和多次散射信号与双端激光雷达的接收端视场角的不同关系，提出改变利用多视场法进行多次测量，并从测量结果中定量计算出单次和多次散射信号，使用理论模型计算的结果表明多视场法是可行的，基于双端激光雷达的大气探测实验的精度有望得到较大提高。

简介：采用拉格朗日方法模拟计算了湍流边界层中气相粒子和颗粒物的运动。其中,气相粒子在流场中按平均风速输送,用一系列随机位移,模拟湍流对扩散的影响,分析了颗粒物在流场中的受力情况,建立了求解颗粒物扩散轨迹的牛顿运动方程。用该方法模拟平板边界层内颗粒物的扩散行为,给出了颗粒物受力及在边界层内的运动轨迹,并将计算的质量通量与文献中的实测值进行了比较。结果表明：计算值与实测值基本吻合,初步验证了本文方法在模拟颗粒物扩散时的可靠性。

简介：在相同的反应体系中当ｐｈ值从约９．５调变至１１时分别合成出双中孔ＳｉＯ２和六方中孔ＳｉＯ２材料，并用ＸＲＤ、Ｎ２吸附、ＴＥＭ、ＴＧ／ＤＴＡ和ＦＴＩＲ等测试手段对合成产物进行了表征。实验结果表明，双中孔ＳｉＯ和六方中孔ＳｉＯ２是合成中必然出现的两种不同的中孔物相。与六方中孔ＳｉＯ２相比，双中孔ＳｉＯ２也具有典型中孔材料的特征ＸＲＤ谱图，虽然仅呈现一个易让人产生不完全晶化误解的相对较宽的单ＸＲＤ衍射峰（ｄ＝５．２ｎｍ），但它却给出一种独特的Ｎ２吸附等温线和窄的双峰中孔孔径分布曲线。由于孔壁的无定形及表面活性剂分子与ＳｉＯ２骨架间相似的相互作用，两类材料给出类似的ＦＴＩＲ谱图和ＴＧ／ＤＴＡ曲线。然而，在双中孔ＳｉＯ２的ＦＴＩＲ谱图中９６０ｃｍ处峰强度的微小变化可能意味着在锻烧脱除模板剂后双中孔ＳｉＯ２较六方中孔ＳｉＯ２具有更高的骨架聚合度。更多还原