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4 个结果
  • 简介:证明了在场强为零势不为零的复连通区域,规范势沿粒子运动闭合路径的不可积分是Berry几何相位。说明了由规范势构成的不可相位因子中一部分是几何Berry相因子,并以电磁场为例说明规范场和相位因子的关系。因此不可Berry相因子最完整地描述了与规范场有关的物理现象

  • 标签: 不可积Berry相位因子 几何相位 规范势
  • 简介:低压化学气相淀(LPCVD)设备主要为微电子机械系统(MEMS)在硅基片上淀Si3N4、Poly-Si(多晶硅)、SiO2薄膜。承担形成微传感器和微执行器的抗蚀层、结构层和牺牲层的加工任务。是MEMS技术中的主要生产工序之一,也可以用于集成电路钝化膜制备。

  • 标签: 低压化学气相淀积 微电子机械系统 硅基片 二氧化硅薄膜
  • 简介:Ni/Al2O3催化剂上甲烷部分氧化制合成气反应是在固定床流动反应装置上进行的。考察了催化剂的床层温度、反应压力、空速和原料气配比对催化剂炭产生的影响。实验结果表明,炭速率随催化剂床层温度的升高而降低,当温度低于70℃时,炭速率骤增:炭总是发生在催化剂床层的下段;若空速超过3.0×105h-1,炭速率随空速增加而明显降低。从FTIR实验结果可知,吸附在Ni/Al2O3催化剂表面上的CO,一部分歧化生成了CO2和C。综上所述,催化剂表面积炭主要来源于以下两个反应:2CO→C+CO2,CO+H2 =C+H2O

  • 标签: 甲烷氧化 合成气 积炭 炭生成反应