简介：摘要：以120t提钒转炉为研究基础，通过理论分析、结合生产实际，研究铁水[Si]含量对提钒工序的影响，通过研究得知，铁水中的[Si]含量较高时，提钒吹炼终点温度提高，半钢残钒增加，另由于铁水[Si]含量升高，钒渣中的SiO2含量升高，钒渣流动性增加，提钒转炉出钢过程中钒渣下渣流失量增加，可捞渣回收部分钒渣。铁水[Si]含量极低时，无冷料配吃条件，吹炼反应不完全，氧化率降低半钢残钒升高，可合理补硅，满足提钒吹炼条件。

简介：摘要：以Al-Mg-Si合金为研究对象，通过金相组织、SEM、EDS、TEM等分析手段，采用显微硬度测试、拉伸性能测试等检测手段，研究了高Fe含量的添加对Al-Mg-Si合金的铸态及加工态组织和性能的影响。实验结果如下：（1）Fe元素的添加可以细化铸态组织晶粒，提高铸态组织硬度，同时造成铸态组织中元素富集，形成鱼骨状组织。（2）高Fe元素含量的添加使合金实现均匀化所需温度升高、时间延长，同时降低合金的过烧温度，导致均匀化更加困难。（3）Fe元素可以使经过575℃/50min固溶处理及170℃/8h时效处理后的合金板材的晶粒由80μm降低到60μm，对合金的晶粒起到细化作用。两种合金的再结晶程度均在98%以上，Fe元素对合金的再结晶过程影响不大。（4）Fe元素对合金的力学性能可以起到优化作用。添加Fe元素后合金的峰值时效硬度由124.5HV提高至126.7HV，轧向抗拉强度及屈服强度提高4%。

简介：研究样品的分析功率、助熔剂、浴比、标准加入法等对脉冲加热红外吸收法测定Nb-Si粉末合金中氧含量影响。结果表明:采用Ni作为助熔剂、分析功率为5kW、标准加入法进行测定时,可消除基体干扰,氧含量测定结果精密度和准确度高,相对标准偏差(RSD)为1.27%,加入回收率为98.3%~103.5%。此方法能够准确测定Nb-Si合金中氧含量,可拓展其他类似合金的氧含量测定。

简介：为了解河南省内实验室在铝合金化学成分检测领域的整体水平,国家建材质检中心组织实施了铝合金化学成分中Si、Fe含量测定的实验室间比对。本次实验室比对共有20个实验室参加,推荐检测方法为：GB/T7999-2007《铝及铝合金光电直读发射光谱分析方法》,也可采用其他国家标准方法。结果表明：实验室满意结果率为80%,不满意结果率为15%,可疑结果率为5%。参加比对的绝大多数实验室能够准确检测铝合金化学成分含量。

简介：铍为脆性材料，在焊接时容易使焊缝开裂。为了防止焊缝开裂，途径之一是加延展性比较好的金属或合金(如Al-Si合金或银等)作填充材料进行钎接焊。但是，铍在非真空条件下焊接，在焊缝中出现的主要缺陷是焊接气孔和缩孔。人们早已知道，纯铝在焊接或铸造时的加热过程中会吸收环境中的氢，冷却时熔体要释放氢从而形成以氢为特征的氢气孔，进而影响铝加工的质量。这表明铝及铝合金焊接形成的气孔主要是与焊接时熔体的氢含量有关。那么，在加Al-Si合金焊接铍时，产生的气孔是否也与氢含量的关系，Al-Si合金熔体随温度升高氢含量有何变化趋势，Al-Si合金中的Si对铝熔体的吸氢起何作用。

简介：<正>“Privacy”istranslatedasyinsiinChinese.Traditionally,intheChinesemind,yinsiisassociatedwithsomethingthatisclosedorunfair.Ifsomeoneissaidtohaveyinsi,meddlers(好事者)willbeattractedtopry(打探)intohisorheraffairs.Sopeoplealwaysstatethattheydon’thaveyinsi.

简介：TheinvestigationonopticalpropertiesofSi1-xGex/Sistrainedlayerstructureshasbeencarriedoutactivelyinrecentyears.Thephotoluminescencehasbe-comeabriskersubjectinthestudiesofitsvariousopticalproperties.Aresearchdevelop-menttophotoluminescencepropertiesofsomenewSi1-xGex/Sistrainedlayerstruc-turesisintroduced.

简介：Theoptimumparametersarecalculatedbythelargecross-sectiontheoryandmodecut-offequation.Theeffectonreversebiasvoltagesinanalysedbythedopingconcentrationinn^+-Si.Theissignificantbecausethereversebiasincreasessharplywhenthedopedconcentrationinn^+-Siislessthan1×10^20cm^-3.

简介：Theresidualelectricallyactivedefectsin(4×1012cm-2（30KeV）+5×1012cm-2（130KeV）)si-implantedLECundopedsi-GaAsactivatedbytwo-steprapidthermalannealing（RTA）LABELEDAS970℃（9S）+750℃（12S）havebeeninvestigatedwithdeepleveltransientspec-troscopy（DLTS）.TwoelectrontrapsET1(Ec-0.53eV,σn=2.3×10-16cm2)andET2（Ec-0.81eV,σn=9.7×10（-13）cm2）aredetected.Furthermore,thenoticeablevariationsoftrap’scon-centrationandenergylevelintheforbiddengapwiththedepthprofileofdefectsinducedbyionim-plantationandRTAprocesshavealsobeenobserved.The[Asi·VAs·AsGa]and[VAs·Asi·VGa·AsGa]areproposedtobethepossibleatomicconfigurationsofET1andET2,respectivelytoexplaintheirRTAbehaviors.

简介：ＰｈｏｔｏｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙＣｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆＰｏｒｏｕｓＳｉ①ＣＨＡＯＺｈａｎｙｕｎ，ＷＡＮＧＫａｉｙｕａｎ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＥｎｇｉｎｅｒｉｎｇ，ＳｏｕｔｈｅａｓｔＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｎａｎｊｉ...

简介：PitformationandsurfacemorphologicalevolutioninSi(001)homoepitaxyareinvestigatedbyusingscanningtunnelingmicroscopy.Anti-phaseboundaryisfoundtogiverisetoinitialgenerationofpitsboundbybunchedDBsteps.Theterracesbreakupandarereducedtoacriticalnucleussizewithpitformation.Duetoanisotropickinetics,adownhillbiasdiffusioncurrent,whichislargeralongthedimerrowsthroughthecentreareaoftheterracethanthroughtheareaclosetotheedge,leadstotheprevalenceofpitsboundby{101}facets.Subsequentannealingresultsinashapetransitionfrom{101}-facetedpitstomulti-facetedpits.

简介：利用Gaussian-94计算程序中的B3LYP方法,在6-311+G(2d)6d基组下,对Si5,Si5H3,Si5H6,Si5Li3和Si5Na3原子簇的几何结构进行优化和频率计算.结果表明,Si5原子簇中最稳定的具有D3h对称性的结构中,位于同一平面上的3个Si原子确实具有剩余的成键能力,可以与3个H,Li,Na原子和6个H原子形成稳定的化合物.研究还发现,虽然H,Li和Na都属同一主族,但它们与Si5原子簇中Si原子的键连方式却不同,而且它们的加入,对Si5原子簇的'三角双锥'结构也有不同的影响.

简介：ＣｕｒｉｅＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｏｆＡｍｏｒｐｈｏｕｓＦｅＳｉＢａｎｄＦｅＷＳｉＢＡｌｏｙｓＷａｎｇＬｉｎｇｌｉｎｇ，ＺｈａｏＬｉｈｕａ，ＨｕＷａｎｇｙｕ（王玲玲）（赵立华）（胡望宇））ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＰｈｙｓｉｃｓ，ＨｕｎａｎＵｎ...

简介：研究Al-Mg-Si合金晶界组成相（Al-Mg2Si及Al-Mg2Si-Si）间的电化学行为和动态电化学耦合行为,提出Al-Mg-Si合金的晶间腐蚀机理。研究表明,晶界Si的电位比其边缘Al基体的正,在整个腐蚀过程中作为阴极导致其边缘Al基体的阳极溶解;晶界Mg2Si的电位比其边缘Al基体的负,在腐蚀初期作为阳极发生阳极溶解,然而由于Mg2Si中活性较高的元素Mg的优先溶解,不活泼元素Si的富集,致使Mg2Si电位正移,甚至与其边缘Al基体发生极性转换,导致其边缘Al基体的阳极溶解。当n（Mg）/n（Si）〈1.73时,随着腐蚀的进行,合金晶界同时会有Mg2Si析出相和Si粒子,腐蚀首先萌生于Mg2Si相和Si边缘的无沉淀带,而后,Si粒子一方面导致其边缘无沉淀带严重的阳极溶解,另一方面加速Mg2Si和晶界无沉淀带的极性转换,从而促使腐蚀沿晶界Si粒子及Mg2Si粒子边缘向无沉淀带发展。

简介：

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简介：利用SOI衬底生长部分／完全耗尽结构的晶体管或用应变沟道提高器件性能可制备出高性能CMOS逻辑器件；这两种方法均可用于CMOS结构，也可单独用于提高器件性能。将应变用于器件沟道，可将沟道迁移率提高50％，从而提高了器件电流。SOI晶体管的好

简介：Aconductionchannelmodelispropsedtoexplainthehighconductivitypropertyofnc-Si:H.Detailedenergybanddiagramisdevelopedbasedontheanalysisandcalculation,andtheconductivityofthenc-Si:Hwasthenanalysedonthebasisofenergybandtheory.Itisassumedthattheconductivityofthenc-Si:Hstemsfromtwoparts:theconductanceoftheinterface,wherethetransportmechanismisidentifiedasathermal-assistedtunnelingprocess,andtheconductancealongthechannelaroundthegrain,whichmainlydeterminedthehighconductivityofthenc-Si:H.Theconductivityofnc-Si:Hiscalculatedandcomparedwiththeexperimentdata.Thetheoryisinagreementwiththeexperiment.

简介：在大约431nm的蓝光在C+培植以后从取向附生的硅被获得，在顺序蚀刻的氢环境和化学药品退火。随化学蚀刻的增加，蓝山峰起初被一座红山峰最后提高，然后减少了并且代替。C=O混合物在C+培植期间被介绍并且在纳米Si的表面嵌入在退火期间形成了，并且最后被形成纳米硅与嵌入结构，它贡献蓝排放。介绍是光致发光的可能的机制。

简介：首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性。具有此结构的薄膜,经600-800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/。经Raman光谱分析表明,薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成。Ni（W）Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺W的镍硅化物转变温度的上限提高了100℃。Ni（W）Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650-800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.65eV,理想因子接近于1。