简介：后世博时代国内LED产业加速布局我国已将半导体LED照明列入了中长期科技发展规划,目前全国已有七个国家半导体照明产业化基地,上海也是其中之一。《国家半导体照明工程》已于2006年6月正式开始实施。现在已经形成外延片生产、芯片制备、封装集成、LED应用的产业链。

简介：<正>英国阿斯科特的ElementSix公司与德国乌尔姆大学合作,采用化学汽相淀积制备的合成单晶金刚石制造出前期性微波器件(MESFET)。金刚石所固有的理论性能并结合最新推出的这种器件意味着,金刚石可占

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简介：<正>00593Fabricationof0.1μm-GateInPHEMTsUsingi-LineLithography/K.Sawada,K.Makiyama,T.Takahashietal(FujitsuLaboratoriesLtd,Japan)//2003IndiumPhos-

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简介：本文介绍。塑料封装元件的潮湿敏感性是一个关键的制造问题，它不能看作是“容易照办的”装配程序。事实上。相对于十几年的ESD有关的问题，普遍都对潮湿问题缺乏控制。但是，在零件处理、跟踪和控制中任何可能的改进都预示着在该领域中产品可靠性的改善。

简介：诺基亚N6610：N6610CPU可和N7210、N6100、N3300的CPU通用，N6610电源IC可以和N7210的电源IC通用，N6610字库可以和N7210的字库通用，N6610暂存可以和N7210、N3310的暂存通用，N6610的中频IC可以和N7210中频IC通用，N6610射频IC与N7210射频IC通用

简介：小型化和多功能化是SAW器件发展的主要动力。文章回顾了SAW器件封装的发展历史，介绍了金属封装、塑料封装、SMD封装各自的特点，详述了芯片倒装技术及芯片尺寸SAW封装（ChipSizedSAWPackage，CSSP）技术，将通用芯片倒装技术（FlipChipBonding，FCB）和SAW封装的特点结合，使封装尺寸减小到极限。然后对今后的复合封装进行了展望。

简介：功率半导体器件（亦称电力电子器件）、半导体集成电路和光电器件是当前我国七个战略性新兴产业之一的＂新一代信息产业＂的基础和关键技术。同时,功率半导体器件还破认定为融合工业化和信息化的最佳产品。小久前出版的《功率半导体器件基础》一书,对功率半导体领域相关专业的本科生、研究生作为入门教材或专业研究人员、工程师作为案头参考资料,

简介：NMOS管I-V曲线在ESD（electrostaticdischarges）脉冲电流作用下呈现出反转特性。其维持电压VH、维持电流IH、触发电压VB、触发电流IB以及二次击穿电流等参数将会影响NMOS管器件的抗ESD能力。文章通过采用SILVACO软件，对1．0μm工艺不同沟长和工艺条件的NMOS管静电放电时的峰值电场、晶格温度以及VH进行了模拟和分析。模拟发现，在ESD触发时，增加ESD注入工艺将使结峰值场强增强，VH减小、VB减小，晶格温度降低；器件沟长和触发电压VB具有明显正相关特性，但对VH基本无影响。最后分析认为NMOS管ESD失效主要表现为高电流引起的热失效，而电场击穿引起的介质失效是次要的。

简介：在手机维修中，时常要准备一些易坏的元器件以备用，但有些元器件在市场上很难买到，有些元器件价格较昂贵，为方便维修和节约成本，有时我们经常会用其它型号的元器件来代换，那进行元器件的代换有什么决窍呢?

简介：2008已经走过，2009年LED应用趋势渐强。由中国大陆市场带动的大规模LED照明与户外广告牌应用，预期将刺激2009年全球LED产值大幅增长15．7％，创下86．77亿美元的新高纪录。台湾LED产值也将达到23．14亿美元，增长率18．24％表现优于全球。

简介：2008年，全球LCD芯片市场规模将从今年的37亿美元增至70亿美元。液晶电视用半导体的市场规模到2007年有望超过笔记本电脑液晶显示器用半导体。

简介：至2006年中国将超过日本成为世界第二大集成电路市场，到2010年将取代美国成为全球最大的电子产品制造基地和集成电路器件采购国。

简介：湿度敏感器件(MSD)对SMT生产直通率和产品的可靠性的影响不亚于ESD，所以认识MSD的重要性，深入了解MSD的损害机理，学习相关标准，通过规范化MSD的过程控制方法，避免由于吸湿造成在回流焊接过程中的元器件损坏来降低由此造成的产品不良率，提高产品的可靠性是SMT不可推脱的责任。

简介：2003年中国半导体市场达170亿美元，预估5年内市场规模将达到400亿美元，并带动当地晶圆代工市场快速成长。

简介：中国半导体产业首次突破2000亿，今年中国芯片消费市场需求将增长34.9%。

简介：球栅阵列技术已经激起了电子行业的人们强烈的兴趣.随着人们的目光愈来愈多地关注于BGA器件的组装的时候,对BGA器件进行组装时所产生的清洗和干燥的问题受到了人们广泛的关注,各种各样的BGA器件和焊膏需要采用合适的清洗处理方法.

简介：<正>飞兆半导体(Fairchild)日前宣布推出采用SO-8封装的80VN沟道MOS-FET器件FDS3572,能同时为DC/DC转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供优异的整体系统效率。FDS3572提供7.5nCMiller电荷(Qgd),比相

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