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金刚石微波器件可能超过GaN、SiC器件

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摘要 <正>英国阿斯科特的ElementSix公司与德国乌尔姆大学合作,采用化学汽相淀积制备的合成单晶金刚石制造出前期性微波器件(MESFET)。金刚石所固有的理论性能并结合最新推出的这种器件意味着,金刚石可占

DOI 5jo6gorkjv/1563836

作者陈裕权

机构地区不详

出处《半导体信息》 2005年4期

关键词 GAN SIC器件微波器件德国乌尔姆大学化学汽相淀积 MESFET

分类 [电子电信][物理电子学]

出版日期 2005年04月14日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）