简介：本文综述了ITO薄膜的应用领域和制备工艺。ITO薄膜主要用于光电器件中,例如用于液晶显示(LCD)。制造ITO薄膜的工艺方法很多,本文综述了磁控溅射法、CVD法、喷雾热分解法和溶胶—凝胶法4种制膜工艺。

简介：以金属铜箔和镍粉为原料，采用涂覆法制备出Ni—Cu多孔薄膜。采用场发射扫描电子显微镜（FE-SEM）、x射线衍射仪（XRD）、原予力显微镜（AFM）等设备对所制Ni-Cu薄膜的显微结构、物相组成进行表征。通过压泡法对所制多孔薄膜的通量及孔径进行测试，并探讨薄膜的成孔机理。研究表明：所制备Ni-Cu多孔薄膜厚度约为50μm，平均孔径约10girl；涂覆面通过Ni粉的松装烧结形成多孔结构；铜箔一测的孔是由于Kirkendall效应所产生的空位沿着晶界扩散在表面聚集而成。

简介：以钛酸丁酯为前驱体,聚乙二醇(PEG)2000为添加剂,采用溶胶-凝胶法制备TiO2薄膜,研究PEG2000的添加量对TiO2薄膜性能的影响。通过热重分析仪、X射线衍射仪(XRD)、比表面积及孔结构分析仪(BET)、扫描电镜(SEM)、接触角分析等手段对薄膜的热稳定性、晶相变化、比表面积、孔结构、表面形貌和亲水性进行表征。结果表明:随PEG2000添加量增加,TiO2薄膜锐钛矿晶型转变为金红石晶型的温度升高,薄膜表面从致密平滑转变为开裂粗糙,比表面积持续增大,平均孔径则减小,接触角由3°增至20.2°;当PEG2000的添加量为5%时,TiO2薄膜的性能最佳,表现出超亲水性。

简介：以异丙醇铝为前驱体，HNO3为胶溶剂，采用溶胶-凝胶法制备Al2O3膜。考察HNO3浓度对溶胶及薄膜的影响，通过TG-DTG，XRD，AFM，BET等表征手段对溶胶的稳定性及黏度，薄膜的热稳定性，物相组成，表面形貌，微孔结构及分布等进行综合分析。结果表明：随HNO3浓度增大，溶胶黏度增大，HNO3浓度为5mol/L时溶胶发生团聚；薄膜的热稳定性较好，高于500℃加热薄膜几乎没有质量损失；随烧结温度升高，薄膜中的γ-AlOOH逐渐向γ-Al2O3转变，薄膜因此变得更加稳定；薄膜表面较为平整，微孔分布均匀，平均孔直径为4.22nm。

简介：以六水合氯化钴（CoCl2·6H2O）和水合三氯化钌（RuCl3·3H2O）为前驱体，采用胶体法制备超级电容器用（RuO2／Co3O4）·nH2O复合薄膜电极材料。用X射线衍射仪以及CHl660C电化学工作站对该复合薄膜的物相结构及电化学性能进行表征。结果表明：当COCl2＇6H20和RuCl3·3H2O的物质的量比n（Co）：n（Ru）为2：1时，于350℃下热处理2．5h制备的复合薄膜电极具有优良的性能，在浓度为0．5mol／L的H2S04电解液中其比电容达到512F／g，500次充放电循环后比电容量保持在充放电循环前的96．1％；充放电电流为0．01A时，内阻为1．2Ω。