简介:O482.3199053412硅发光研究=Researchonsiliconluminescence[刊,中]/夏建白(中科院半导体所.北京(100083))//半导体学报.—1998,19(5).—321—326介绍了目前已有的使硅发光的方法:掺深能级杂质,掺稀土离子、多孔硅、纳米硅以及Si/SiO2超晶格,讨论了两种可能的发光机制:量子限制效应和表面复合效应。最后介绍了两个硅发光器件,表明硅发光器件的前景是光明的。图9参15(方舟)O482.3199053413离子注入掺铒硅发光中心的光致发光研究=Photoluminescencestudyofluminescentcentersinerbium—implantedsilicon[刊,中]/雷红兵,杨沁清,王启明(中科院半导体所.北京(100083)),周必忠,肖方
简介:TB853.1799042628高灵敏可见/紫外条纹相机的最小可测能量密度=Detectableminimumenergydensityofstreakcamera[刊,中]/李炳乾,王永昌(西安交通大学理学院现代物理研究所.陕西,西安(710049)),张小秋,龚美霞,山冰(中科院西安光机所瞬态光学国家重点实验室.陕西,西安(710068))//光学学报.—1998,18(12).—1727—1730分析了影响条纹相机最小可探测能量密度的主要因素,通过采用两级增强器级联的方法降低了条纹最小可探测能量密度。利用超短激光脉冲经过标准具后形成一个能量等比衰减的脉冲序列。对ZPT—3K紫外/可见皮秒条纹相机的最小可探测能量密度进行了测量。测量表明:相机最小可探测能量密度在可见波段(532nm)达1×10-13J/cm2。图3参6(严寒)
简介:TB8722003053776高速扫描相机时间测量不确定度分析=Uncertaintyanalysisofthemeasurementresultsofhighspeedrotatingmirrorstreakcamera[刊,中]/谭显祥(中科院流体物理研究所.四川,绵阳(621900))//光子学报.-2002,31(11).-1387-1390以国内普遍使用的SJZ-30型高速扫描相机为例,用精测转速方法的结果处理数据,转速测量相对合成不确定度小于0.1%,时间间隔测量的相对扩展不确定度为0.2%。扫描速度在像面上的位置误差,采用"中值扫描速度"可予以校正。同时讨论了进一步降低转速测量不
简介:O482.3196021361电化学引起Si:Er3+材料1.54μm发光增强=Theanodizationinduced1.54μmluminescentintensificationoftheSi:Er3+material[刊,中]/周咏东(中科院上海技物所),金亿鑫,李仪,蒋红,李菊生(中科院长春物理所)∥红外与毫米波学报。—1995,14(4)。—317—320利用77K红外光致发光实验研究了电化学过程对离子注入Si:Er3+样品的光致发光影响。实验结果表明:电化学过程除在Si:Er3+样品硅基质晶体中引入大量的深能级局域态外,还使Si:Er3+样品中Er3+的1.54μm光致发光效率明显提高,且Er3+发光峰增