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  • 简介:摘要:伴随着科学技术的不断发展,材料学研究工作逐步推进,尤其是有机致发光材料的相关研究内容,能在提升应用效率的同时,打造更加和谐高效的科研研究平台。本文分析了有机致发光材料的研究背景,并着重介绍了相关材料的研究现状。

  • 标签: 有机电致发光材料 研究背景 应用现状
  • 简介:摘要:伴随着科学技术的不断发展,材料学研究工作逐步推进,尤其是有机致发光材料的相关研究内容,能在提升应用效率的同时,打造更加和谐高效的科研研究平台。本文分析了有机致发光材料的研究背景,并着重介绍了相关材料的研究现状。

  • 标签: 有机电致发光材料 研究背景 应用现状
  • 简介:有机致发光(EL),是指通过对有机化合物薄膜上施加电压的有机化合物本体发光的现象。如图1所示,仅存两块电极之间夹人有机化合物,即町得到一个面状发光的简单结构。凶使用的材料有机化合物,分子设计上的课题是解决从紫外线到町视光,冉到红外领域,并能根据需要的颜色斯发光,这些都是其最大的特点。因此,有机EL不仅适用于显示器,作为薄形平面光源,也能用于照明设备上。

  • 标签: 有机电致发光 照明设备 有机化合物 磷光 利用 化合物薄膜
  • 简介:摘要:本文对无机电致发光的分类、机理、典型的无机电致发光材料进行了综述,并对目前国内外的各种发光材料进行了综述,并对其性能和性能进行了综述,并提出了今后的发展方向,并提出了今后的发展方向,并提出了今后的发展方向。

  • 标签: 无机材料 电致发光 发光机理 薄膜制备
  • 简介:实验中制备了不同厚度的缓冲层PBD修饰的有机致发光器件以及没有缓冲层修饰的有机器件.通过比较发现缓冲层PBD的最优厚度为0.2nm,缓冲层PBD对于器件亮度有显著的影响.当缓冲层PBD厚度为0.2nm,相同电压下器件的亮度要比无缓冲层器件的亮度要高.当电压为16V时,PBD修饰的器件的亮度为1984cd/A,而没有缓冲层材料修饰的器件的亮度为1110cd/A,器件的亮度得到了提高.在电流密度为120mA/cm2的情况下,PBD修饰的器件的效率为3cd/A,要比没有缓冲层材料修饰的器件的效率(为2.6cd/A)高.最主要的原因是由于PBD是电子传输层,因此它对于空穴的注入起阻挡作用.所以缓冲层PBD阻挡和减少了空穴的注入,提高了电子和空穴形成激子的比例,从而提高了器件的效率.

  • 标签: 缓冲层 有机电致发光器件 亮度 D/A 注入 空穴
  • 简介:摘要:采用高温(1100℃)固相反应,球磨(t=0~180 min)和低温(750℃)进行退火,得到了用于平板显示的 ZnS: Cu电致发光材料。研究发现,球磨会导致某些衍射峰的强度减小,峰值宽度变大,同时吸收边出现轻微的红移,随着球磨时间的延长,经球磨180 min后,其发光强度降低了58%,最佳电致发光强度为90.13 cd/㎡。球磨会导致微小的结构缺陷,对其光致发光性能和电致发光性能有很大的影响。

  • 标签: 光致发光 电致发光 ZnS
  • 简介:摘要:OLED是一种可以将电能直接转换成光能量的装置。其优点是发光活性强,材料多样,色彩丰富,响应快,功耗低,重量轻,效率高,生产成本低,在平板显示器、室内照明和各类显示器中得到了广泛的应用。8-羟基喹啉配合物具有良好的发光和电子传递性能。作为一种新型的有机发光元件,近年来已成为人们关注的焦点。以8-羟基喹啉为核心,介绍了8-羟基醌类化合物的发光机理及发光特性,对8-羟基喹啉类化合物的发光特性进行了总结,并对8-羟基奎宁金属络合物的发展前景进行了展望。

  • 标签: 8-羟基喹啉 有机电致发光材料 金属配合物
  • 简介:一个透明的3-巯基丙基三甲氧基硅烷(MPTMS)/银/氧化钼复合阳极制备绿色有机发光二极管(OLED)。研究了亮度复合阳极和有机致发光器件的工作电压的影响。通过优化各层的MPTMS/银/氧化钼结构的厚度,对MPTMS/银的透光率(8nm)/MoO3(30nm)达到75%以上在520nm左右。的薄层电阻为3.78?/□,与此相应的MPTMS/Ag(8nm)/MoO3(30nm)的结构。为优化阳极的有机致发光器件的电致发光(EL),最大电流效率达到4.5cd/A,最大亮度是37和036cd/m2。此外,通过优化阳极的有机致发光器件具有非常低的工作电压(2.6V)获得100cd/m2的亮度。我们认为,改进的设备性能主要是由于增强的空穴注入造成的减少孔注入势垒高度。我们的研究结果表明,使用MPTMS-SAMs/银/氧化钼作为复合阳极可以在低工作电压和高亮度OLED的制作一个简单的和有前途的技术。

  • 标签: 有机电致发光器件 阳极效应 器件性能 结构 3-巯基丙基三甲氧基硅烷 低工作电压
  • 简介:摘要:第一个高效率的器件被Tang和Slyke展示以来,有机发光二极管就在生活当中极其具有发展潜力,逐渐从科学研究转移到商业用途上,用于照明、手机或者电脑的显示器等,而新型电致发光材料的选择对于器件起到了十分重要的作用,在世界范围内引起了学者们的广泛关注。本文借助咔唑和吡唑原料,将其合成新型的OLED 材料,具体的研究工作主要是以咔唑为基本单元,然后根据实际情况在3、6、9位进行衍生,在2、6位反应之后,成功在9位上引入亚甲基,最终合成新的目标物。

  • 标签: 咔唑衍生物 OLED材料 制备 性能
  • 简介:信息对人类的发展有非常重要的作用,21世纪是信息时代.随着信息技术的发展,对显示技术和显示器件提出了越来越高的要求.平板显示技术是本世纪最有发展前途的显示技术之一,平板显示具有十分突出的优点,在于它全固态、无真空、驱动电压低、视角广、耐恶劣环境等,薄膜电致发光器件具有平板显示技术的特点.本文针对无机薄膜电致发光的原理、目前获得蓝光所遇到的问题及可能的解决方案进行了深入探讨.

  • 标签: 电致发光器件 平板显示技术 全固态 显示器件 驱动电压 解决方案
  • 简介:O482.3199053412硅发光研究=Researchonsiliconluminescence[刊,中]/夏建白(中科院半导体所.北京(100083))//半导体学报.—1998,19(5).—321—326介绍了目前已有的使硅发光的方法:掺深能级杂质,掺稀土离子、多孔硅、纳米硅以及Si/SiO2超晶格,讨论了两种可能的发光机制:量子限制效应和表面复合效应。最后介绍了两个硅发光器件,表明硅发光器件的前景是光明的。图9参15(方舟)O482.3199053413离子注入掺铒硅发光中心的光致发光研究=Photoluminescencestudyofluminescentcentersinerbium—implantedsilicon[刊,中]/雷红兵,杨沁清,王启明(中科院半导体所.北京(100083)),周必忠,肖方

  • 标签: 硅发光 光致发光谱 半导体 超晶格 发光机制 量子限制效应
  • 简介:采用液相外延工艺成功制备了Tb3+,YAGG单晶荧光层,研究了Tb,+激活YAG主晶格外延层中Ga3+掺杂的荧光敏化效应,可以看到在Tb"十荧光得到显著增强的同时,外延荧光层发光的饱和特性也有所改善。实验中观察到了Ga"十掺杂后基质晶体吸收边缘向长波方向展宽,并与Tb3+的’F。一,E、7E典型吸收峰发生交叠的现象,用

  • 标签: 有机电致发光材料 外延荧光层 主晶格 掺杂 外延层 敏化效应
  • 简介:O482.312002032290稀土铽配合物的升频转换荧光=Up-conversionfluorescencespectraofTb3+complexes[刊,中]/陈慰宗,杨一心,宋应谦,忽满得,高平安(西北大学物理系.陕西,西安(710068))//光子学报.-2001,30(8).-970-972以波长为532nm的激光作为激发光,观测了铽(Tb)三种不同配合物的荧光光谱,讨论和分析了铽配合物的升频转换荧光的特性、发光机制及配体的影响。图

  • 标签: 升频转换荧光 稀土铽配合物 荧光光谱 西北大学 发光机制 光子学
  • 简介:O482.3195021317P-GaP中离子注入缺陷的形成=Formationoftheion-implantationdefectinP—typeGaP[刊,中]/李宝军,张旭(甘肃教育学院物理系.甘肃,兰州(730000))//半导体光电.—1994,15(4).—369—371研究了Zn+离子注入P—GaP半导体所引起的缺陷.在电流密度为0.03μA/Cm2下,将注入Zn+离子剂量为1×1014离子/厘米2的GaP样品腐蚀出蚀

  • 标签: 离子注入 半导体 光致发光光谱 电流密度 教育学院 锗酸盐石榴石
  • 简介:O482.3196021361电化学引起Si:Er3+材料1.54μm发光增强=Theanodizationinduced1.54μmluminescentintensificationoftheSi:Er3+material[刊,中]/周咏东(中科院上海技物所),金亿鑫,李仪,蒋红,李菊生(中科院长春物理所)∥红外与毫米波学报。—1995,14(4)。—317—320利用77K红外光致发光实验研究了电化学过程对离子注入Si:Er3+样品的光致发光影响。实验结果表明:电化学过程除在Si:Er3+样品硅基质晶体中引入大量的深能级局域态外,还使Si:Er3+样品中Er3+的1.54μm光致发光效率明显提高,且Er3+发光峰增

  • 标签: 光致发光 毫米波 电化学过程 发光膜 离子注入 光激励发光