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  • 简介:据国外媒体报道,市场研究机构ForwardConcepts总裁兼首席分析师威尔一施特劳斯(Wi11Strauss)日前表示,通(Qualcomm)已收购4G调制解调器厂商SandbridgeTechnologies(以下简称“Sandbridge”)。施特劳斯称,市场双方交易价格为5500万美元,交易出价主要是针对专利及知识产权,通无意推动产品线的发展。通并未透露该交易,这是因为通认为该交易不会对公司财务状况带来实质影响。

  • 标签: 芯片厂商 高通 收购 消息 调制解调器 研究机构
  • 简介:本文主要对高密度、多层埋盲孔的钻孔问题进行阐述,并主要针对高密度、多层埋盲孔的钻孔定位方式及钻孔补偿方面进行分析,以便为高密度、多层埋盲孔的钻孔提供参考。

  • 标签: 四槽定位法 钻机补偿法 钻带加放法 钻孔零位
  • 简介:最近几年,分立的IGBT已在不同的领域广泛应用,诸如传动用逆变器、电感性加热、焊接、太阳能发电用逆变器和UPS。这螳应用装置在某些方面仍有本质上的不同要求,需要应用优化的专用器件。本文闸述第三代1200V高速器件(“HS3”产品系列),它是专为焊接,太阳能发电逆变器和UPS等高频应用设计的。这些应用的肌型工作频率范围是20k~0kHz,要求开关损耗低于典型的传动应用的损耗,后者在10kHz甚至在更低范围中应媚。但是,饱和电压VCE,sat在整个损耗中仍起重要的作用,为此要找到开关损耗和传导损耗之间良好的平衡。文中提供了新产品的特性并和市场上的其他产品系列做了比较。这些新产品的效益在特定装置的应用中获得了验证。

  • 标签: 开关损耗 IGBT 速度优化 应用装置 太阳能发电 逆变器
  • 简介:随着产业界要求产品越来越小,越来越轻,运行速度越来越快,对0201元件的使用逐年增加:十个0201元件所占的面积最多只占一个0402元件的三分之一。因此,可以把部件组装得更紧密,从而减小PCB板的尺寸。采用0201元件遇到的主要问题是:随着元件尺寸的减小,工艺窗口也减小了,与1206元件相比,0201的元件已表明其直立的可能性比前者要大9倍,而与0402元件相比,则共可能性要比0402元件大2点5倍。因此,在表面组装0201元件时,要更多注意设计和工艺。总的来说,现已知静态因素(如PCB板和模板设计)比工艺中的动态因素(如印刷冬数,贴装参装.回流参数)乏北影响缺陷数量:部分动态参数确实能对组装过程产生很大的影响(如在回流焊中空气与氮气环境),但是总的来说,静态因素对可能产生的缺陷数影响要比动态因素大得多。在此研究过程中,优化组装参数和设计参数对组装参数的影响都以PPM缺陷数表示。本篇论丈中集中了研究十的数据和对元件组装时进行的多次评估户搜集的数据。首先在每一加工步骤中工艺参数,然后再对整个过程进行研究。检测的部分工艺参数包括印刷工艺中的印刷压力,印刷速度,模板擦拭频率,及回流焊气体,回流曲线和回流曲线上升速度等?从这些研究十可以得到适应高速的020l组装工艺的可靠的工艺窗口。该窗口已证叫能使DPL小于200。

  • 标签: 0201元件 工艺窗口 回流焊 组装工艺 新品 贴装
  • 简介:一、前言面对无铅焊接时代的来临,各种取代传统的喷锡技术的表面可焊处理日趋发展。针对电路板板面焊盘、电镀通孔、IC载板腹底焊锡球焊盘而言,目前较为成熟、可上线量产者计有化学浸金ENIG、化学银ImmersionSilver、有机保护焊剂OSP(OrganicSolderabilityPreservatives)等。随着耐热型有机保焊剂的推出,OSP工艺的成本低、焊接强度、可耐多次回焊处理、制作简单、废水处理容易等优点,日益获得业界重视及使用。

  • 标签: 有机保焊剂 OSP工艺 无铅焊接 耐热型 技术 SILVER
  • 简介:美国通公司宣布,与全球领先的芯片代工公司之一,中芯国际集成电路制造有限公司签署战略协议。中芯国际将采用专门的BiCMOS处理技术在其天津工厂为通公司提供集成电路生产服务。这一合作将综合中芯国际晶片制造能力以及转包能力和通公司在3G无线产业的领导地位,重点将放在电源管理芯片方面。

  • 标签: 中芯国际集成电路制造有限公司 美国高通公司 半导体制造 协议 电源管理芯片 测试
  • 简介:随着中国城市化进程的深化,城市轨道交通建设逐步拉开。据预测,2013年城轨投资规模有望达到2800亿元-2900亿元。市场需求不断发展,进而带动了设备市场的扩增。中达电通在轨道交通领域谋局已久,此前,中达电通MCS3000D通信电源以其稳定、可靠的产品性能成功为京石武铁全线GSM-R通信系统提供更稳固的动力保障,助我国轨道交通建设畅行无忧。据了解,此次京石武铁项目中全线采用GSM-R通信系统,并以北京、郑州、武汉为核心节点进行通信网络建设。京石武铁全线布点约600个,其中枢纽通信机房4个、车站通信机房19个、区间信号中继站和区间基站约580个。

  • 标签: 通信系统 通信电源 高铁 城市轨道交通建设 GSM-R 护航
  • 简介:22015年5月18日,VishayIntertcchnology,lnc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,针对功率混合装配、SiC和GaN应用中的使用环境,推出新的薄膜条MOS电容器。VishayDaleResistorsElectro-FilmsBRCP可处理功率,工作电压高达100V,有120milx35mil(外形A)和240mil×35mil(外形B)两种小外形尺寸,能够在不牺牲性能的情况下,实现更小的产品设计。

  • 标签: MOS电容器 高功率 装配 混合 薄膜 外形尺寸
  • 简介:智科技有限公司日前与台湾威盛科技(VIA)正式签署产品代理协议,从而成为VIA在中国大陆地区的正式代理商。据介绍,在由USB带来的电脑外接系统高速发展之前,VIA在其生产的逻辑芯片内部装上了USB1.1。此次北智将与VIA合作,则旨在PC方面共同开拓广阔的中国大陆市场。

  • 标签: 中国大陆地区 PC市场 VIA USB1.1 代理协议 有限公司
  • 简介:在本文中,对两种基于不同设计的,具有转矩密度,并且转速在不高于3000r/min时有1/3弱磁区的永磁电机进行了讨论和测试。这两种电机采用齿绕线技术,逆变器供电,都是应用在变速驱动领域的典型的工业设备。这两台样机每极褙数是分数,分别为1/2相和1/4相,其设计的持续运行的功率为45kW,额定转速为1000rpm,最大转速为3000rpm。采用F热量等级时电机转矩密度可以达到31.7kNm//m3(电机的有效体积,包括绕组端部)。文章还对电机的制造过程、测试中所用到的测试条件以及估算方法等细节做出了说明。

  • 标签: 永磁电机 转矩密度 集中绕组 高强度 冷却 测试条件
  • 简介:本文介绍了飞兆半导体公司最新开发的单元密度,屏蔽栅功率MOSFET的结构。这种屏蔽栅结构有助于建立电荷:平衡,从而减少MOSFET的通态电阻和栅电衙。这种新技术能使通态电阻比前一代减少50%以上。为进一步改善器件特性,一种肖特基器件也被单片集成在这种新型MOSFET中,使得反向恢复电荷减少了将近20%-上述措施直接减小了在高频、大电流和输入电压下非常关键的体二极管损耗。该新型器件在典型的倒步降压变换器应用中,能提供1.5%的最高效率改进。

  • 标签: 功率MOSFET 单元密度 变换器效率 DC-DC 屏蔽 飞兆半导体公司
  • 简介:韩国科学家7月20日称,他们开发出了全球效率最高的柔性太阳能电池的原型产品。据韩国电子和电信研究所太阳能电池研究小组的负责人RyuGwangseon,介绍说,这种柔性太阳能电池的造价相当低,但是,这种太阳能电池将太阳能转换为电能的性能是目前传统的基于硅的太阳能电池的一倍。据介绍,这种太阳能电池的厚度只有0.4mm。

  • 标签: 太阳能电池 柔性 韩国 太阳能转换 科学家 负责人
  • 简介:(中国无锡2010年2月2日)无锡风凰半导体科技有限公司“电流密度NPT型IGBT芯片”科技成果鉴定会今日顺利举行。会议成立了由电力电子业界权威专家组成的鉴定委员会,无锡市科技局副局长赵建平、滨湖区副区长吴建昌、滨湖区科技局局长吴云亮、滨湖区科技局副局长祁华等领导也亲临指导。鉴定会由中国电器工业协会电力电子分会组织并主持。

  • 标签: 科技成果鉴定会 高电流密度 IGBT NPT型 无锡市 芯片
  • 简介:行业人眼中的奥托尼克斯是出众的、卓越的,然而这份独特和优秀建立在平稳发展基础之上,这份荣耀的光环背后是奥托尼克斯人这份骨子里的韧,三十年的耕耘收获,稳健提升换来的是今天站在金字塔顶尖,眺望之后整理思绪我们沉思,奥托尼克斯作为韩国企业是怎样在中国发展、壮大,继而厚积薄发立足于中国自动化之林的呢?本刊记者采访了奥托尼克斯电子广州分公司经理锡珉先生,以下简称“经理”)。

  • 标签: 记者采访 金字塔 后整理 奥托尼克斯电子广州分公司 高锡珉 中国自动化
  • 简介:美国国家仪器公司(NationalInstruments,简称NI)最新推出的PCI版本的PXI-5922可变分辨率数字化仪(也称为基于PC的示波器)可以实现较大动态范围的测量。PXI-5922数字化仪可提供目前市场上数字化仪产品中最高的动态范围,这一具有动态性能和灵活性的通用仪器现在正式推出PCI版本,适用于包括通讯、半导体、生化以及超音速非破坏性测试(ultrasonicnondestructivetest,NDT)的许多领域。

  • 标签: PCI接口 大动态范围 数字化仪 美国国家仪器公司 NI 高动态性能
  • 简介:在SiC二极管经过10年的成功生产后,我们认为SiC技术已足够成熟以提出我们的第一个SiC开关器件。SiC独特的物理特性使我们有机会设计除硅超结器件和IGBT外的新一类高压开关器件,其关键特征在于较低的静态和动态功耗以及体二极管的集成,这对依靠硬开关整流及谐振开关的电路拓扑来说将被证实是革命性的。本文将讨论其主要技术特点

  • 标签: JFET技术 高压开关器件
  • 简介:在工业大功率应用领域已经推出了多种类型(对称,非对称以及逆向导通)的门极换流晶闸管(GCT)器件,为了用它来实现更高性能、更加合适的系统,人们期望对门极换流晶闸管展开进一步的研究,本文提出了对称门极换流晶闸管的一种新方案。

  • 标签: 晶闸管 非对称 驱动单元 门极 换流 紧凑型